一种器件隔离工艺及CIS器件结构制造技术

本发明专利技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种器件隔离工艺及CIS器件结构，通过在进行背光照射工艺时，于衬底背面减薄工艺后，在该衬底的背面覆盖一硬掩模层，并以该硬掩模层为掩模在衬底中对应的隔离区域中刻蚀形成隔离通孔，并继续在该隔离通孔中制备第一隔离孔结构和第二隔离孔结构；由于位于衬底中的第一隔离孔结构的材质为绝缘材料，可以有效的隔离该衬底中的电子串扰，而位于硬掩模层中的第二隔离孔的材质则为金属或金属氧化物，又能有效的隔离相邻的像素单元之间的光子串扰，进而有效的降低了CIS器件结构中的串扰现象，大大的提高了制备的CIS器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种器件隔离工艺及CIS器件结构，通过在进行背光照射工艺时，于衬底背面减薄工艺后，在该衬底的背面覆盖一硬掩模层，并以该硬掩模层为掩模在衬底中对应的隔离区域中刻蚀形成隔离通孔，并继续在该隔离通孔中制备第一隔离孔结构和第二隔离孔结构；由于位于衬底中的第一隔离孔结构的材质为绝缘材料，可以有效的隔离该衬底中的电子串扰，而位于硬掩模层中的第二隔离孔的材质则为金属或金属氧化物，又能有效的隔离相邻的像素单元之间的光子串扰，进而有效的降低了CIS器件结构中的串扰现象，大大的提高了制备的CIS器件的性能。【专利说明】—种器件隔离工艺及CIS器件结构
本专利技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种器件隔离工艺及CIS器件结构。
技术介绍
目前,CIS (Contact Image Sensor,接触式图像器)器件中的像素(Pixel)之间普遍存在着串扰现象，该串扰现象主要是由于CIS器件中光电二极管之间的光子串扰及光电子串扰造成的；虽然传统的工艺中可通过设置金属栅格(Metal Grid)来降低上述的光子串扰给器件带来的影响，但CIS器件中还会因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件隔离工艺，其特征在于，所述器件隔离工艺包括：提供一制备有隔离结构的衬底；于所述衬底的背面制备一具有隔离通孔图形的硬掩膜层，并以该硬掩膜层为掩膜刻蚀所述衬底至所述隔离结构的表面，以在剩余的硬掩膜层和剩余的衬底中形成隔离通孔；于所述隔离通孔中填充一绝缘层，并回刻部分该绝缘层后，于所述隔离通孔中形成第一隔离通孔结构；继续制备一金属材料层充满剩余的隔离通孔，平坦化工艺后，于所述剩余的隔离通孔中形成第二隔离通孔结构；其中，所述第一隔离通孔结构和所述第二隔离通孔结构充满所述隔离通孔，且所述第一隔离通孔结构充满所述隔离通孔位于所述剩余的衬底中的部分。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王连红，陈俊，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42