【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域,特别涉及一种多层堆积的金属遮光薄膜及其制备方法。
技术介绍
在光学设备中,常因为入射光在不同接收器件上的吸收而产生信号干扰,从而影响器件的性能,比如应用于摄像头的背照式传感器,常会产生串扰的问题。现有技术通常采用沉积金属遮蔽薄膜对入射光进行反射的方法来解决此问题,但是遮蔽薄膜的厚度选择较有难度,若薄膜厚度较薄则遮光效果不好;若薄膜厚度太厚,又会与底部薄膜因应力大而导致分层,使器件失效。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种多层堆积的金属遮光薄膜及其制备方法,解决了现有技术中难以在保证遮光效果的同时避免薄膜分层的技术问题。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种多层堆积的金属遮光薄膜,包括交替涂覆在器件晶圆上的至少一个金属铝薄膜和至少一个金属钨薄膜;所述金属遮光薄膜的总厚度为2000~4000埃米。在上述技术方案的基础上,本专利技术还可以做如下改进。进一步,照射到所述最上层金 ...
【技术保护点】
一种多层堆积的金属遮光薄膜,其特征在于:包括交替涂覆在器件晶圆上的至少一个金属铝薄膜和至少一个金属钨薄膜;所述金属遮光薄膜的总厚度为2000~4000埃米。
【技术特征摘要】
1.一种多层堆积的金属遮光薄膜,其特征在于:包括交替涂覆在器件
晶圆上的至少一个金属铝薄膜和至少一个金属钨薄膜;所述金属遮光薄膜的
总厚度为2000~4000埃米。
2.根据权利要求1所述的金属遮光薄膜,其特征在于:照射到所述最
上层金属遮光薄膜的入射光波长范围为350~770纳米。
3.根据权利要求1所述的金属遮光薄膜,其特征在于:所述每层金属
铝薄膜的厚度范围为500~2000埃米;所述每层金属钨薄膜的厚度范围为
500~2000埃米。
4.根据权利要求1~3任一所述的金属遮光薄膜,其特征在于:所述金
属铝薄膜的折射率均为0.8~0.9;所述金属钨薄膜的折射率均为0.7~0.8。
5.一种多层堆积的金属遮光薄膜的制备工艺,包括以下步骤:
(1)在器件晶圆的表面,采用物理气相沉积方法沉积一层金属铝薄膜,
所述金...
【专利技术属性】
技术研发人员:洪齐元,黄海,
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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