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本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种器件隔离工艺及CIS器件结构，通过在进行背光照射工艺时，于衬底背面减薄工艺后，在该衬底的背面覆盖一硬掩模层，并以该硬掩模层为掩模在衬底中对应的隔离区域中刻蚀形成隔离通孔，并继续在该隔离通孔中制备第一隔...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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