【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
随着半导体工艺的微小化以及复杂度的提高，半导体器件也变得更容易受各种缺陷或杂质所影响，而单一金属连线、二极管或晶体管等的失效往往即构成整个芯片的缺陷。因此为了解决这个问题，现有技术便会在集成电路中形成一些可熔断的连接线（fusible links），也就是熔丝（fuse），以确保集成电路的可利用性。现有技术中，熔丝用于连接集成电路中的冗余电路，当检测发现电路具有缺陷时，这些可熔断的连接线可用于修复或取代有缺陷的电路；此外，熔丝还能够提供程序化的功能，即先将电路、器件阵列以及程序化电路在芯片上加工好，再由外部进行数据输入，通过程序化电路熔断熔丝以完成电路的设计；例如，在可编程只读存储器（Programmable Read Only Memory,PROM）中，通过熔断熔丝产生断路，即为状态“1”，而未断开的熔丝保持连接状态，即为状态“0”。现有技术的几种常见熔丝结构中，多晶硅熔丝结构一般在形成具有高K栅介质层和金属栅极层的晶体管的过程中同时形成；具体地，现有技术形成具有高K栅介质层和金属栅极层的晶体管时，会采用后栅工艺（gate last），首先在半导体衬底表面形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括：高K介质层、高K介质层表面的保护层、以及保护层表面的多晶硅层；后续再以金属替代所述多晶硅层，以形成晶体管的栅极结构；而现有技术...
【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构具有熔丝区，所述半导体衬底和浅沟槽隔离结构表面具有高K介质层、以及位于所述高K介质层表面的保护层；去除熔丝区的保护层和高K介质层，直至暴露出浅沟槽隔离结构表面为止；在去除熔丝区的保护层和高K介质层后，在所述保护层和浅沟槽隔离结构表面形成熔丝层；去除所述浅沟槽隔离结构的熔丝区以外的熔丝层、保护层和高K介质层，直至暴露出浅沟槽隔离结构表面，形成熔丝结构。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽
隔离结构具有熔丝区，所述半导体衬底和浅沟槽隔离结构表面具有高K介质
层、以及位于所述高K介质层表面的保护层；
去除熔丝区的保护层和高K介质层，直至暴露出浅沟槽隔离结构表面为
止；
在去除熔丝区的保护层和高K介质层后，在所述保护层和浅沟槽隔离结构
表面形成熔丝层；
去除所述浅沟槽隔离结构的熔丝区以外的熔丝层、保护层和高K介质层，
直至暴露出浅沟槽隔离结构表面，形成熔丝结构。
2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成熔丝层之
前，所述去除熔丝区的保护层和高K介质层的方法包括：在所述保护层表
面形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层暴露出熔丝区所对应的保护层表
面；以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述保护层和高K介质层，直至暴
露出浅沟槽隔离结构为止。
3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除所述熔
丝区以外的熔丝层、保护层和高K介质层的方法包括：在所述熔丝层表面
形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层暴露出熔丝区以外的熔丝层表面；
以所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述熔丝层、保护层和高K介质层，直
至暴露出浅沟槽隔离结构为止。
4.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一光刻胶
层和第二光刻胶层的光刻胶材料相互反型，形成所述第一光刻胶层和第二
光刻胶层的光刻版图相同。
5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成
\t熔丝结构的同时，在所述半导体衬底表面形成晶体管，所述晶体管的栅介
质层的材料为高K材料，栅电极层的材料为金属。
6.如权利要求5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述晶体管的形
成方法包括：在去除所述浅沟槽隔离结构的熔丝区以外的熔丝层、保护层
和高K介质层之前，在半导体衬底上的部分熔丝层表面形成第三光刻胶层；...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴金刚，王剑屏，倪景华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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