温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体结构的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底内具有浅沟槽隔离结构,所述浅沟槽隔离结构具有熔丝区,所述半导体衬底和浅沟槽隔离结构表面具有高K介质层、以及位于所述高K介质层表面的保护层;去除熔丝区的保护层和高K介质层,直至暴露...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体结构的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底内具有浅沟槽隔离结构,所述浅沟槽隔离结构具有熔丝区,所述半导体衬底和浅沟槽隔离结构表面具有高K介质层、以及位于所述高K介质层表面的保护层;去除熔丝区的保护层和高K介质层,直至暴露...