阵列基板及其制作方法和液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法和液晶显示装置，涉及液晶显示技术领域，能够增大存储电容，从而提高显示装置的显示效果。该阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成TFT、栅线和数据线；在包括所述TFT、栅线和数据线的基板上形成板状电极；在包括所述板状电极的基板上形成绝缘层，对所述绝缘层上的存储电容区域进行刻蚀，使所述存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度；在包括所述绝缘层的基板上形成狭缝电极，所述狭缝电极与所述板状电极的重叠区域为所述存储电容区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法和液晶显示装置。
技术介绍
高级超维场开关(Advanced-Super Dimensional Switching，简称ADS)模式是平面电场宽视角核心技术，具体为通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率。ADS模式广泛应用在液晶显示装置中，如图1和图2所示，其中板状电极1和狭缝电极2的重叠区域之间形成存储电容Cst，随着液晶显示装置的分辨率越来越高，受制于像素大小，存储电容无法做的很大，导致某些显示效果较差。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制作方法和液晶显示装置，能够增大存储电容，从而提高显示装置的显示效果。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成TFT、栅线和数据线；在包括所述TFT、栅线和数据线的基板上形成板状电极；在包括所述板状电极的基板上形成绝缘层，对所述绝缘层上的存储电容区域进行刻蚀，使所述存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度；在包括所述绝缘层的基板上形成狭缝电极，所述狭缝电极与所述板状电极的重叠区域为所述存储电容区域。具体地，所述在包括所述板状电极的基板上形成绝缘层，对所述绝缘层上的存储电容区域进行刻蚀，使所述存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度的过程包括：在包括所述板状电极的基板上沉积绝缘层材料；在包括所述绝缘层材料的基板上沉积光刻胶；对绝缘层过孔区域的光刻胶进行完全曝光，对所述存储电容区域的光刻胶进行半色调曝光；对光刻胶进行显影，使所述绝缘层过孔区域的光刻胶完全去除，使所述存储电容区域的光刻胶变薄；对所述绝缘层过孔区域的绝缘层材料进行刻蚀，形成绝缘层过孔；对所述光刻胶进行灰化，使所述存储电容区域的光刻胶完全去除，所述存储电容区域之外的光刻胶变薄；对所述存储电容区域的绝缘层材料进行刻蚀，使所述存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度；去除剩余的光刻胶。可选地，所述板状电极为像素电极，所述狭缝电极为公共电极。可选地，所述板状电极为公共电极，所述狭缝电极为像素电极。另一方面，提供一种阵列基板，包括板状电极、狭缝电极和位于所述板状电极与狭缝电极之间的绝缘层，其特征在于，存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度，所述狭缝电极与所述板状电极的重叠区域为所述存储电容区域。可选地，所述板状电极为像素电极，所述狭缝电极为公共电极。可选地，所述板状电极为公共电极，所述狭缝电极为像素电极。另一方面，提供一种液晶显示装置，包括上述的阵列基板。本专利技术提供的阵列基板及其制作方法和液晶显示装置，通过使存储电容区域中绝缘层的厚度变薄，减小了板状电极和狭缝电极之间的距离，因此增大了存储电容，从而提高显示装置的显示效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中一种阵列基板的结构示意图；图2为图1中阵列基板BB’向的截面图；图3为本专利技术实施例中一种阵列基板制作方法的流程图；图4为图3的制作方法中形成板状电极后阵列基板的结构示意图；图5为图4中阵列基板CC’向的截面图；图6为图3的制作方法中对绝缘层上存储电容区域进行刻蚀后阵列基板的截面图；图7为图3的制作方法中形成狭缝电极后阵列基板的结构示意图；图8为图7中阵列基板CC’向的截面图；图9为图3的制作方法中步骤103的一种制作过程的具体流程图；图10为图9的制作过程中沉积光刻胶后阵列基板的截面图；图11为图9的制作过程中显影后阵列基板的截面图；图12为图9的制作过程中灰化后阵列基板的截面图；图13为图9的制作过程中对存储电容区域的绝缘层进行刻蚀后阵列基板的截面图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图3所示，本专利技术实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括：步骤101、在基板上形成TFT、栅线和数据线；步骤102、如图4和图5所示，在包括上述TFT、栅线和数据线的基板上形成板状电极1；步骤103、如图6所示，在包括板状电极1的基板上形成绝缘层3，对绝缘层3上的存储电容区域A进行刻蚀，使存储电容区域A的绝缘层厚度小于存储电容区域A之外的绝缘层厚度；步骤104、如图7和图8所示，在包括绝缘层3的基板上形成狭缝电极2，狭缝电极2与板状电极1的重叠区域为存储电容区域A。本实施例中阵列基板的制作方法，通过使存储电容区域中绝缘层的厚度变薄，减小了板状电极和狭缝电极之间的距离，因此增大了存储电容，从而提高显示装置的显示效果。进一步地，如图9所示，上述步骤103、在包括板状电极1的基板上形成绝缘层3，对绝缘层3上的存储电容区域A进行刻蚀，使存储电容区域A的绝缘层厚度小于存储电容区域A之外的绝缘层厚度的过程包括：步骤1031、在包括板状电极的基板上沉积绝缘层材料；步骤1032、如图10所示，在包括上述绝缘层材料的基板上沉积光刻胶4；步骤1033、对绝缘层过孔区域（图中未示出）的光刻胶进行完全曝光，对存储电容区域A的光刻胶4进行半色调曝光；步骤1034、如图11所示，对光刻胶4进行显影，使上述绝缘层过孔区域的光刻胶完全去除，使存储电容区域A的光刻胶4变薄；步骤1035、对上述绝缘层过孔区域的绝缘层材料进行刻蚀，形成绝缘层过孔；步骤1036、如图12所示，对光刻胶4进行灰化，使存储电容区域A的光刻胶完全去除，存储电容区域A之外的光刻胶4变薄；步骤1037、如图13所示，对存储电容区域A的绝缘层材料进行刻蚀，使存储电容区域A的绝缘层3厚度小于存储电容区域A之外的绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成TFT、栅线和数据线；在包括所述TFT、栅线和数据线的基板上形成板状电极；在包括所述板状电极的基板上形成绝缘层，对所述绝缘层上的存储电容区域进行刻蚀，使所述存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度；在包括所述绝缘层的基板上形成狭缝电极，所述狭缝电极与所述板状电极的重叠区域为所述存储电容区域。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成TFT、栅线和数据线；
在包括所述TFT、栅线和数据线的基板上形成板状电极；
在包括所述板状电极的基板上形成绝缘层，对所述绝缘层上的存储电容区
域进行刻蚀，使所述存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的
绝缘层厚度；
在包括所述绝缘层的基板上形成狭缝电极，所述狭缝电极与所述板状电极
的重叠区域为所述存储电容区域。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，
所述在包括所述板状电极的基板上形成绝缘层，对所述绝缘层上的存储电
容区域进行刻蚀，使所述存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之
外的绝缘层厚度的过程包括：
在包括所述板状电极的基板上沉积绝缘层材料；
在包括所述绝缘层材料的基板上沉积光刻胶；
对绝缘层过孔区域的光刻胶进行完全曝光，对所述存储电容区域的光刻胶
进行半色调曝光；
对光刻胶进行显影，使所述绝缘层过孔区域的光刻胶完全去除，使所述存
储电容区域的光刻胶变薄；
对所述绝缘层过孔区域的绝缘层材料进行刻蚀，形成绝缘层过孔；
对所述光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鑫，任健，唐磊，裴扬，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11