本发明涉及一种衬底处理系统及衬底处理方法。衬底处理系统包含：保护膜形成液供给单元，向衬底的一面供给保护膜形成液；保护膜形成单元，使保护膜形成液固化或硬化，而在衬底的一面形成保护膜；吸附单元，吸附衬底的一面；处理单元，在衬底的一面吸附于所...

本实用新型提供一种能够提高基板的品质的减压干燥装置。减压干燥装置通过减压使在第一面附着有处理液的基板干燥，减压干燥装置具有腔室、支撑部、排气部以及加热部。腔室具有容纳基板的处理空间。支撑部在处理空间中以使第一面朝向上方的状态支撑基板的与...

本发明的衬底处理装置对衬底供给流体而进行处理，所述装置包含以下要素：第1处理壳体；处理部，设置在所述第1处理壳体的内部，用于利用流体对载置于载置部的衬底进行处理；第1供给部，从所述第1处理壳体的供进行维护的正侧面观察时，配置在所述处理部...

本发明的衬底洗净装置的旋转保持部保持衬底下表面中央部而旋转。第1及第2直动保持部分别保持衬底下表面周缘部的相互对向的第1及第2区域，且在平行于第1方向的方向往复移动。下表面洗净器在由第1及第2直动保持部保持衬底时洗净衬底下表面中央部，在...

本发明涉及一种基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置1具有处理单元14以及控制部18。处理单元14具有基板保持部31、旋转驱动部35、处理液供给部41、液体回收部50以及防护罩驱动部60。基板保持部31以水平姿势保持基板W。旋转驱动...

一种基板处理方法，具备：保持具有第1面(S1)及与第1面(S1)相反的第2面(S2)的基板(WF)的步骤；对晶圆(WF)的第2面(S2)供给混入了含有臭氧气体的粒径50nm以下的气泡的处理液的步骤；以及在用以进行基板(WF)的处理的使用...

本发明的课题是，在将衬底(W)浸渍于处理槽(821)中贮存的处理液内，并且在处理液内向所述衬底(W)供给气泡而对其进行处理的衬底处理系统(1)中，缩小气泡(V)的尺寸，提高衬底的处理品质。本发明是一种衬底处理装置，包含：处理液喷出部(8...

保持有具有第1面(S1)及与第1面(S1)相反的第2面(S2)的基板(WF)。在基板(WF)的第2面(S2)上配置有被加压的臭氧水(LQ)。臭氧水在用以进行基板(WF)的处理的使用点被加热。以进行基板(WF)的处理的使用点被加热。以进行...

半导体元件形成方法，其包括：形成覆盖层(Ps)的工序；和进行蚀刻的工序。在形成覆盖层(Ps)的工序中，形成对设置于由基材(S)支承的层叠结构(L)中的凹槽(R)中位于表面侧的部分进行选择性覆盖的覆盖层(Ps)。在进行蚀刻的工序中，以扩大...

本发明提供图像处理装置及方法、检查装置及计算机可读取的存储介质，能够针对检查对象物所涉及的拍摄图像高效地指定检查图像区域。第一获取部获取检查对象物的三维模型所涉及的三维模型信息和该三维模型中的检查区域所涉及的检查区域信息。第二获取部获取...

贴付机构(5)具备：在包含在电解质膜(82)的表面设置了第一催化剂层(83)的膜电极接合体(85)在内的电极层基材(8)上附加包含副垫片膜(92)在内的副垫片基材(9)。贴付机构(5)具备：在外周面保持电极层基材(8)的第一贴付辊(51...

本发明提供一种在利用多遍印刷形成图像的情况下，抑制在单位区域间的接缝形成条纹状的不均的技术。控制部(12)通过主扫描(SC3)，对布线基板(9)的表面(9a)中的第一单位区域(91)以及相对于第一单位区域(91)在+X侧相邻的第一接缝区...

本发明提供一种基板位置检测方法，包括：保持具有多个基板要素的基板的工序(步骤S11)，多个所述基板要素分别由格子状的预定分割线划分为矩形；分别拍摄选自多个基板要素的两个以上的选择基板要素并获取两个以上的拍摄图像的工序(步骤S12)；使用...

本发明提供一种基板处理装置，提供能够更适当地收集参数的技术。基板处理装置包括同时处理部、搬运部、第一传感器、控制部。同时处理部能够一并处理N(N是2以上的整数)张基板。搬运部向同时处理部一并搬运N张以下的基板。第一传感器设置在同时处理部...

本发明涉及一种处理衬底的衬底处理装置及衬底位置调整方法。本发明的衬底处理装置具备：基座，具有将圆板状衬底以水平姿势保持的保持面；旋转单元，使所述基座绕铅直的旋转轴线旋转；加热单元，加热保持在所述保持面的衬底的周缘部；偏心量测定单元，具有...

本发明提供一种基板处理装置，按组来管理基板的搬运和处理。依次处理部基于针对分为多个组的每个基板设定的依次处理基板数据，依次搬运基板，并对基板进行处理。同时处理部基于针对每个组设定的同时处理基板数据，按组同时处理基板。同时处理基板数据包括...

本发明提供一种描画系统，第一标记描画部在由第一载物台(21a)保持的基板(9)的下侧主面上描画第一定位标记。第二标记描画部在由第二载物台(21b)保持的基板(9)的下侧主面上描画第二定位标记。第二定位标记的外观与第一定位标记不同。因此，...

本发明提供一种描画装置。第一移动机构(22a)在图案描画部(4)的下方在Y方向上水平移动第一载物台(21a)。第二移动机构(22b)在图案描画部(4)的下方在Y方向上水平移动第二载物台(21b)。第二移动机构(22b)在X方向上与第一移...

本发明涉及一种衬底处理方法。本发明的课题在于有效率地去除衬底上表面的抗蚀剂。本发明的衬底处理方法具备如下工序：对衬底的上表面供给处理液；使形成在衬底上表面的至少一部分上的处理液的液膜厚度为第1厚度，并且在大气压下对液膜进行等离子体处理；...

本发明提供一种减轻腔室的散热的基板处理装置及隔热构件。基板处理装置(1)为对基板(9)进行加热的装置。基板处理装置(1)具有腔室(2)、多个支撑销(3)及热板(4)。多个支撑销(3)在腔室(2)内支撑基板(9)。热板(4)对被多个支撑销...