半导体元件形成方法及基板处理装置制造方法及图纸

半导体元件形成方法，其包括：形成覆盖层(Ps)的工序；和进行蚀刻的工序。在形成覆盖层(Ps)的工序中，形成对设置于由基材(S)支承的层叠结构(L)中的凹槽(R)中位于表面侧的部分进行选择性覆盖的覆盖层(Ps)。在进行蚀刻的工序中，以扩大凹槽(R)中较之覆盖层(Ps)为深部(Rf)的直径的方式，用药液(C)对凹槽(R)的深部(Rf)进行蚀刻。(Rf)进行蚀刻。(Rf)进行蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体元件形成方法及基板处理装置


[0001]本专利技术涉及半导体元件形成方法及基板处理装置。

技术介绍

[0002]处理基板的基板处理装置例如用于半导体元件的形成。近年来，为了精细地制作半导体元件的存储元件，正在进行将存储元件层叠于半导体基板而形成半导体元件的存储元件(参考专利文献1)。专利文献1的半导体存储元件中，在半导体基板的层叠结构中，在相对于基材而言的垂直方向上形成所谓的被称作存储器孔的横纵比大的孔。该孔内排列配置有大量存储元件。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019
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117894号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]专利文献1的半导体存储元件中，存储器孔的下部的直径小于存储器孔的上部的直径。这是由于与存储器孔的上部相比，蚀刻液更不易到达存储器孔的下部。此时，形成于存储器孔内的存储元件的电气特性可能会产生偏差。存储器孔的横纵比(存储器孔的高度与宽度的比率)逐年变大，近年来还出现了横纵比超本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.半导体元件形成方法，其包括：形成对设置于由基材支承的层叠结构中的凹槽中位于表面侧的部分进行选择性覆盖的覆盖层的工序；以扩大所述凹槽中较之所述覆盖层而言为深部的直径的方式，用药液对所述凹槽的所述深部进行蚀刻的工序。2.如权利要求1所述的半导体元件形成方法，其中，形成所述覆盖层的工序包括：形成部分填充所述凹槽中的深部的部分填充层的工序；形成所述部分填充层之后供给防水剂的工序；和供给所述防水剂并于所述凹槽的表面侧形成所述覆盖层以后，去除所述部分填充层及所述防水剂的工序。3.如权利要求2所述的半导体元件形成方法，其中，去除所述部分填充层的工序包括供给去除液使所述部分填充层溶解的工序。4.如权利要求2所述的半导体元件形成方法，其中，所述部分填充层含有升华性物质，去除所述部分填充层的工序包括对所述部分填充层进行加热的工序。5.如权利要求2～4中任一项所述的半导体元件形成方法，其中，形成所述部分填充层的工序包括：形成填充所述凹槽的填充层的工序；和形成所述填充层之后部分地去除所述填充层的工序。6.如权利要求5所述的半导体元件形成方法，其中，部分地去除所述填充层的工序包括供给去除所述填充层的去除液的工序。7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体元件形成方法，其中，所述进行蚀刻的工序中，所述药液包含氢氟酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅田荣次，鳅场真树，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：