对半导体晶片照射光来进行加热处理的腔室和可燃性气体供给源通过可燃性气体供给管连通连接。在可燃性气体供给管安装有调整可燃性气体的供给流量的电气式流量控制器等。可燃性气体供给管中的包含可能成为着火源的电气式流量控制器等的部分被内侧框体包围。...

本发明的描画装置的自动聚焦机构(5)测定在与基板垂直的方向上描画头(31)中的基准位置与基板之间的分离距离，并且基于分离距离进行使从描画头(31)射出的描画光的焦点位置与基板对准的自动聚焦动作。与载物台向扫描方向的相对移动并行自动聚焦控...

本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法是对主面具有金属层的衬底进行处理。所述衬底处理方法包含：氧化金属层形成工序，通过向所述衬底的主面供给氧化性流体，而在所述金属层的表层形成含有1个原子层或数个原子层的氧化金属层；及氧化...

本发明提供一种即使基板的表面和背面的辐射率均未知，也能够准确地测量基板的表面温度的温度测量方法。利用来自卤素灯的光照射对在表面安装有热电偶的带热电偶的晶片进行加热，并且，利用热电偶来测量该带热电偶的晶片的表面温度并利用背面侧辐射温度计测...

本发明的目的在于提供一种能将处理单元的构造共通化的衬底处理装置。在衬底处理装置(1)中，第1处理单元(12A)配置在搬送空间(12A)的右方。第1处理单元(21A1)具备第1保持部(25A)。第2处理单元(21B1)配置在搬送空间(12...

本发明涉及喷嘴清洗装置、方法及涂敷装置，在使喷嘴抵接构件以与喷嘴的下端部保持抵接的状态在喷出口的延伸设置方向上相对于喷嘴移动来去除附着于喷嘴的处理液时，能抑制残留在喷嘴的处理液的量。在使喷嘴抵接构件相对于在下端部设置有突出部位和后退部位...

提供一种将从喷嘴的下端部去除的涂布液顺利地排出至涂布装置的外部的喷嘴清洗装置、喷嘴清洗方法以及涂布装置，其包括：附着物去除部，由支撑构件予以支撑；移动部，在使喷嘴抵接构件抵接于喷嘴的下端部的状态下，使附着物去除部沿喷出口的延伸设置方向移...

本发明的等离子产生装置具备电极群与介电质。介电质具有第1主面、及与第1主面为相反侧的第2主面。电极群由介电质密封，包含在与第1主面平行的排列面内交替排列的至少一个第1电极及至少一个第2电极，使通过在第1电极21a与第2电极21b之间施加...

本发明提供基板处理装置及筒状护罩的加工方法。基板处理装置具备：旋转保持部件，其在保持基板的同时使上述基板绕着规定的旋转轴线旋转；液体供给部件，其向保持于上述旋转保持部件的基板供给液体；和树脂制的筒状护罩，其包围保持于上述旋转保持部件的基...

本发明具备处理液喷出部和气泡供给部，处理液喷出部设于基板保持部所保持的基板的下方侧，从处理液喷出口朝向贮存空间的内底面喷出处理液，气泡供给部设于基板保持部所保持的基板的下方侧而且设于处理液喷出口的上方侧，将气泡供给至贮存空间所贮存的处理...

本发明的基板处理装置具备：处理液排出部，其设置于由基板保持部保持的基板的下方侧，向贮存空间排出处理液，在贮存空间内形成处理液的流动；以及气泡供给部，其具有在贮存空间内配置于由基板保持部保持的基板的下方侧的配管、和在处理液的流动方向从配管...

即使是使用量子型红外线传感器的放射温度计也能够适当地测定照射闪光后的基板的温度。热处理装置具备用于测定第一基板的温度以及第二基板的温度的量子型红外线传感器，热处理装置还具有温度校正部，该温度校正部用于使用基于基准温度以及偏移温度计算出的...

保持机构(21)将基板(SB)保持为水平。旋转机构(22)使保持基板(SB)的保持机构(21)旋转。喷嘴(51)朝基板(SB)供给处理液。喷嘴臂(52)保持喷嘴(51)。臂动作机构(53)使喷嘴臂(52)在俯视下与基板(SB)重叠的处理...

本发明提供一种基板处理装置、以及基板处理方法。基板处理装置具备：利用蚀刻液对基板进行蚀刻的蚀刻处理部；从所述蚀刻处理部排出蚀刻液的排出流路；以及设于所述排出流路的固体二氧化硅单元。所述固体二氧化硅单元包括：多个固体二氧化硅；以及二氧化硅...

本发明的描画装置具有：描画单元，在基板上描画图案；以及描画数据生成部(42)，生成用于在描画单元中描画图案的描画数据。表示应描画在基板上的图案的设计数据包含作为图案区域的下图形、和重叠在下图形上的上图形。描画数据生成部(42)对下图形以...

本发明涉及一种基板搬送装置、显影装置以及显影方法。本发明有效地防止通过盛在基板表面的显影液来进行显影处理时所产生的泡经由搬送辊而附着于基板的表面。本发明包括：搬送辊，一边从下方支撑基板一边旋转，以搬送基板；以及除泡构件，在由搬送辊所搬送...

本发明的课题在于提供一种能够效率良好地将衬底加热的热处理装置及热处理方法。本发明是在收纳半导体晶圆W的腔室6的上方配置多个闪光灯FL，同时在下方配置多个LED灯45。从闪光灯FL对由来自多个LED灯45的光照射预备加热的半导体晶圆W的正...

在本发明的处理条件确定方法中，从多个处理程式信息中确定出一边移动处理液的喷出位置一边处理基板W时能够使用的处理程式信息。处理条件确定方法包括工序S31、工序S32以及工序S33。在工序S31中，基于包括基板W的厚度的测定值的测定厚度信息...

基板处理装置具备吸附保持机构、旋转机构、多个升降销、上下移动机构以及水平移动机构。吸附保持机构吸附保持基板。旋转机构使保持基板的吸附保持机构以旋转轴为中心旋转。上下移动机构使多个升降销沿上下方向移动。传感器测量保持于吸附保持机构的基板(...

本发明提供一种对焦位置检测方法，即使在一边使焦点位置沿着光轴变化一边获取的多个对象图像中包含高亮度区域的情况下，也能够稳定地检测对焦位置。所述方法包括：第四工序，针对每个对象图像，根据对象图像求出标志焦点的对准情况的对焦度；第五工序，在...