基板处理装置、以及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置、以及基板处理方法。基板处理装置具备：利用蚀刻液对基板进行蚀刻的蚀刻处理部；从所述蚀刻处理部排出蚀刻液的排出流路；以及设于所述排出流路的固体二氧化硅单元。所述固体二氧化硅单元包括：多个固体二氧化硅；以及二氧化硅收容部，其收容多个所述固体二氧化硅，且使蚀刻液通过内部。部。部。

Substrate processing device and substrate processing method

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、以及基板处理方法
[0001]本申请与在2021年1月29日向日本专利局提出的JP特愿2021
‑
013938号对应，该申请的所有公开内容援引至此。


[0002]本专利技术涉及对基板进行处理的基板处理装置、以及对基板进行处理的基板处理方法。
[0003]成为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置以及有机EL(Electroluminescence：电致发光)显示装置等的FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。

技术介绍

[0004]氧化硅溶解在基板的蚀刻处理所使用的磷酸水溶液中。因此，为了抑制磷酸水溶液中的氧化硅的浓度(以下，有时称为“硅浓度”)超过饱和浓度而在基板上析出，使用通过在基板的蚀刻处理中补充磷酸水溶液来调整硅浓度的手法。根据这种手法，对硅浓度的调整需要大量的磷酸水溶液。
[0005]于是，在专利5829444号公报以及专利3788985号公报中提出了再次利用基板的蚀刻处理所使用的磷酸水溶液的手法。
[0006]具体来说，在专利5829444号公报公开了在通过温调机构在蓄存箱内冷却磷酸水溶液而使氧化硅从磷酸水溶液中析出之后，利用过滤器将磷酸水溶液过滤，由此从磷酸水溶液除去氧化硅的手法。
[0007]在专利3788985号公报中公开了通过对用于蚀刻处理的磷酸水溶液供给纯净水来稀释磷酸水溶液使氧化硅析出之后，通过过滤器将磷酸水溶液过滤的手法。此后，通过从磷酸水溶液使水蒸发而将磷酸水溶液浓缩再将磷酸水溶液供给至蚀刻槽。
[0008]在专利5829444号公报以及专利3788985号公报中公开的手法中，过滤器会因过滤析出的氧化硅而引起堵塞。因此，需要花费定期更换过滤器的工夫。
[0009]另外，在专利5829444号公报的手法中，为了使氧化硅析出而需要将蓄存箱整体冷却，在专利3788985号公报的手法中，需要使磷酸水溶液中的水蒸发。因此，在专利5829444号公报以及专利3788985号公报的任一手法中，氧化硅的析出所需的时间均比较长。

技术实现思路

[0010]本专利技术的一个目的在于，提供一种能够良好地降低蚀刻液中的硅浓度的基板处理装置、以及基板处理方法。
[0011]本专利技术的一个实施方式提供一种基板处理装置，其具备利用蚀刻液对基板进行蚀刻的蚀刻处理部；从所述蚀刻处理部排出蚀刻液的排出流路；以及设于所述排出流路的固体二氧化硅单元。所述固体二氧化硅单元包括：多个固体二氧化硅；以及二氧化硅收容部，
其收容多个所述固体二氧化硅，且使蚀刻液通过内部。
[0012]根据该基板处理装置，将基板的蚀刻所使用的蚀刻液从蚀刻处理部向排出流路排出。设于排出流路的固体二氧化硅单元包括收容多个固体二氧化硅的二氧化硅收容部。因此，蚀刻液在从二氧化硅收容部内通过时与多个固体二氧化硅接触，由此，有效地冷却蚀刻液。因此，溶解在蚀刻液中的氧化硅析出而附着于多个固体二氧化硅的表面。像这样，能够使氧化硅从蚀刻液迅速析出。
[0013]另外，能够在彼此相邻的固体二氧化硅之间形成有充分大的间隙。在氧化硅在固体二氧化硅的表面析出时，能够抑制彼此相邻的固体二氧化硅之间的间隙被堵塞。
[0014]其结果为，能够良好地降低蚀刻液中的硅浓度。
[0015]在本专利技术的一个实施方式中，所述固体二氧化硅呈具有角部的粒形状。本申请的专利技术人发现了在使用了具有角部的粒形状的固体二氧化硅的情况下，在角部的周围易于引起蚀刻液的液体更换，因此，在固体二氧化硅的表面中，氧化硅易于在角部以及其周边析出。因此，通过使用具有角部的粒形状的固体二氧化硅，能够使溶解在蚀刻液中的氧化硅有效地析出。作为这种固体二氧化硅的形状，举出有多面体形状、或者药片形状等。
[0016]在本专利技术的一个实施方式中，所述固体二氧化硅的粒径在1mm以上且10mm以下。若固体二氧化硅的粒径在该范围内，则在彼此相邻的固体二氧化硅之间形成有适当的尺寸的间隙。在氧化硅在固体二氧化硅的表面析出时，能够进一步抑制彼此相邻的固体二氧化硅之间的间隙被堵塞。
[0017]在本专利技术的一个实施方式中，所述二氧化硅收容部包括填充有多个所述固体二氧化硅的筒状空间。所述排出流路包括与在所述筒状空间的轴向上的该筒状空间的一端连接的上游排出流路、以及与在所述轴向上的所述筒状空间的另一端连接的下游排出流路。
[0018]根据该基板处理装置，在筒状空间内，蚀刻液从轴向上的一端流向另一端。因此，能够在筒状空间的轴向上的各位置提高蚀刻液的线速度的均匀性。因此，易于使氧化硅在筒状空间内的多个固体二氧化硅整体析出。其结果为，能够良好地降低蚀刻液中的硅浓度。
[0019]在本专利技术的一个实施方式中，所述二氧化硅收容部包括蓄液部，该蓄液部在内部收容多个固体二氧化硅且蓄存蚀刻液。
[0020]根据该基板处理装置，能够将从蚀刻处理部向排出流路排出的蚀刻液蓄存在蓄液部中，并且利用多个固体二氧化硅从蚀刻液析出氧化硅。因此，即使在从蚀刻处理部排出大量的蚀刻液的情况下，也能够良好地降低蚀刻液中的硅浓度。而且，能够抑制蚀刻液的废弃量。
[0021]在本专利技术的一个实施方式中，所述基板处理装置还具备对多个所述固体二氧化硅进行冷却的冷却单元。因此，若事先冷却多个固体二氧化硅，则在蚀刻液从固体二氧化硅单元通过时，能够急速地冷却蚀刻液。由此，能够使氧化硅快速析出。
[0022]在本专利技术的一个实施方式中，所述冷却单元包括：向所述二氧化硅收容部供给冷却液的冷却液供给流路；以及从所述二氧化硅收容部排出冷却液的冷却液排出流路。根据该基板处理装置，通过向二氧化硅收容部供给冷却液能够冷却多个固体二氧化硅。因此，与从二氧化硅收容部的外部冷却多个固体二氧化硅的情况相比，能够快速地冷却在二氧化硅收容部内位于比较内侧的位置的固体二氧化硅。其结果为，能够良好地降低蚀刻液中的硅浓度。
[0023]在本专利技术的一个实施方式中，所述基板处理装置还具备：浓度测定单元，其测定在所述排出流路中与所述固体二氧化硅单元相比靠下游侧的规定的测定位置的蚀刻液中的硅浓度；蓄存蚀刻液的蚀刻液箱；以及排出流路开闭单元，其在所述排出流路中与所述测定位置相比设在下游侧，对所述排出流路进行开闭。
[0024]固体二氧化硅单元从蚀刻液除去氧化硅的能力(除去能力)因使蚀刻液持续从固体二氧化硅单元通过而下降。具体来说，通过多个固体二氧化硅冷却蚀刻液，使多个固体二氧化硅的温度上升，因此，冷却蚀刻液的能力下降。
[0025]在固体二氧化硅单元的除去能力充分高时，从固体二氧化硅单元通过后的蚀刻液的硅浓度充分降低，在固体二氧化硅单元的除去能力没有充分高时，从固体二氧化硅单元通过后的蚀刻液的硅浓度不会充分降低。
[0026]根据该基板处理装置，能够使蚀刻液向蚀刻液箱流入，或者停止蚀刻液向蚀刻液箱的流入。因此，例如，若通过浓度测定单元测定出的硅浓度在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：利用蚀刻液对基板进行蚀刻的蚀刻处理部；从所述蚀刻处理部排出蚀刻液的排出流路；以及设于所述排出流路的固体二氧化硅单元，所述固体二氧化硅单元包括：多个固体二氧化硅；以及二氧化硅收容部，其收容多个所述固体二氧化硅，且使蚀刻液通过内部。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述固体二氧化硅呈具有角部的粒形状。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述固体二氧化硅呈球体形状。4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述固体二氧化硅呈多面体形状或者药片形状。5.根据权利要求2～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述固体二氧化硅的粒径为1mm以上且10mm以下。6.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述二氧化硅收容部具有填充有多个所述固体二氧化硅的筒状空间，所述排出流路包括与在所述筒状空间的轴向上的该筒状空间的一端连接的上游排出流路、以及与在所述轴向上的所述筒状空间的另一端连接的下游排出流路。7.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述二氧化硅收容部包括蓄液部，该蓄液部在内部收容多个固体二氧化硅且蓄存蚀刻液。8.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还具备对多个所述固体二氧化硅进行冷却的冷却单元。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述冷却单元包括向所述二氧化硅收容部供给冷却液的冷却液供给流路、以及从所述二氧化硅收容部排出冷却液的冷却液排出流路。10.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还具备：浓度测定单元，其检测在所述排出流路中与所述固体二氧化硅单元相比靠下游侧的规定的测定位置的蚀刻液中的硅浓度；蓄存蚀刻液的蚀刻液箱；以及排出流路开闭单元，其在所述排出流路中与所述测定位置相比设在下游侧，对所述排出流路进行开闭。11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，还具备：返回流路，其在所述排出流路中连接在与所述测定位置相同的位置或者与所述测定位置相比靠下游侧的位置，在所述排出流路中使蚀刻液返回至所述固体二氧化硅单元的上游侧；以及返回流路开闭单元，其对所述返回...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中孝佳，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：