第1护罩顶端部(86)的内周端(74a)在水平方向上隔着第1环状间隙(C1)而与基板(W)的周端面(Wc)相对。另外，第2护罩顶端部(88)的内周端(75a)在水平方向上隔着第2环状间隙(C2)而与圆板部(28)的外周端(28c)相对。...

为了提高基板的质量，基板处理装置具有基板保持部、第一驱动部、药液喷出部、杯部、第二驱动部以及控制部。基板保持部以水平姿势保持具有第一面以及与该第一面相反的第二面的基板。第一驱动部使基板保持部以假想轴为中心旋转。药液喷出部朝向由基板保持部...

本发明提供一种基板处理方法，其提供一种能够抑制处理单元的污染的扩散的技术。基板处理方法具备：设定工序(S1)，基于用户的输入对基板处理装置所具备的多个处理单元的每一个设定容纳器中容纳的多个仿真基板中的能够使用的仿真基板，生成表示在多个所...

本发明提供一种基板处理装置，能高精度地控制回收的臭氧水的臭氧浓度。基板处理装置具备：臭氧水生成部，使用臭氧气体生成臭氧水；第一浓度计，测量生成的臭氧水的臭氧浓度；基板处理部；回收部，回收臭氧水并向臭氧水生成部供给；以及控制部，控制臭氧水...

本实用新型提供一种干燥装置。干燥装置具有干燥炉、排气部、检测部、控制部，使涂敷在基材的第一面上的涂敷液干燥。干燥炉包括：框体，以从周围覆盖基材的方式配置；加热部，通过对涂敷在第一面上的涂敷液进行加热使溶剂从涂敷液气化，干燥炉具有被基材划...

本发明的图像处理方法包括：对细胞块进行光学相干断层拍摄，并获取表示细胞块的三维图像的三维图像数据的工序(步骤S111)；基于三维图像数据，获取在每个位置表示细胞块中的面向外部空间的外侧表面与面向空洞的内侧表面之间的细胞块的厚度的厚度分布...

本实用新型使得在狭缝喷嘴及包括所述狭缝喷嘴的基板处理装置中，能够有效率地进行用于使吐出量在吐出口的中央部与端部之间均匀化的作业。本实用新型的狭缝喷嘴包括：喷嘴本体，通过一对唇部隔开间隙地相互相向，形成呈狭缝状开口的吐出口；以及调整机构，...

本发明提供一种抑制因混合液中的气泡引起的不良产生的技术。基板处理方法包括保持工序(S1)、混合液供给工序(S5)、以及置换工序(S8)。在保持工序(S1)中，保持基板。在混合液供给工序(S5)中，将含有水的处理液以及异丙醇分别经由第一供...

本发明涉及一种周缘部涂布装置及周缘部涂布方法。利用旋转保持部保持衬底而使衬底绕着衬底的中心轴旋转。在衬底正在旋转的状态下，通过利用涂布液供给部向衬底一面的周缘部供给涂布液，从而在衬底一面的除中央区域以外的周缘部形成涂布膜。当在衬底一面的...

本申请提供在使用多种药液的基板处理中抑制药液间的混合的基板处理方法以及基板处理装置。本申请的基板处理方法具有：从第一喷嘴向基板喷出第一药液的工序；在喷出第一药液之后，抽吸第一喷嘴内的液体的工序；以及在第一喷嘴内的液体的抽吸停止之后，从第...

本实用新型的课题在于在狭缝喷嘴及包括所述狭缝喷嘴的基板处理装置中，确实地固定经调整的螺丝而抑制吐出口的开口宽度的变动，从而稳定地吐出涂布液。本实用新型的狭缝喷嘴包括：喷嘴本体，通过一对唇部隔开间隙地相向而形成呈狭缝状开口的吐出口；以及调...

将含有水的漂洗液供给至衬底的上表面。将衬底的上表面上的漂洗液置换成第1液体。将衬底的上表面上的第1液体置换成第2液体。将衬底的上表面上的第2液体除去，由此使衬底干燥。第2液体在水中的溶解度小于第1液体在水中的溶解度。第2液体的表面张力低...

本发明能够提高基板的温度的测量精度。热处理装置具备：支承部，由石英构成且在腔室内从第一侧支承基板；闪光灯，配置在第二侧且用于通过照射闪光来加热基板；连续点亮灯，配置在基板的第二侧且对基板进行连续加热；遮光构件，以在俯视时包围基板的方式配...

衬底处理方法包括下述工序：处理液供给工序，向衬底的表面供给含有溶质及溶剂的处理液；处理膜形成工序，使供给至所述衬底的表面的所述处理液固化或硬化，以在所述衬底的表面形成对存在于所述衬底的表面的除去对象物进行保持的处理膜；和除去工序，通过以...

本发明的目的在于提供衬底处理方法，其解决了若欲仅依赖臭氧的分解作用来除去阻剂膜，则处理时间变长的课题；虽然利用使阻剂膜溶胀而促进剥离，但在溶胀进行的程度上还存在较大改善的余地的课题，能够抑制废液处理的负担，并且能够在短时间内从衬底除去阻...

在基板处理方法中，对具有包含多个构造物(63)的图案PT的基板(W)进行处理。基板处理方法包括下述工序：针对多个构造物(63)执行使用非液体的规定处理，与执行规定处理前相比使多个构造物(63)各自的表面(62)的亲水性增大的工序(S1)...

衬底处理方法具备下述工序：将具有在表面形成有源自于干蚀刻的变质层的非晶硅层的衬底以水平状态保持的工序(步骤S11)；通过向变质层照射紫外线，从而对变质层进行改性以生成改性层的工序(步骤S12)；和向在表面具有该改性层的非晶硅层供给药液，...

处理条件选择方法包括步骤(S21)以及步骤(S22)。在步骤(S21)中，比较表示在对象物的多个测定位置分别测定出的多个厚度的分布的厚度图案(TM)与预先存储的多个参照图案(RP)，根据规定规则从多个参照图案(RP)中确定与厚度图案(R...

本发明的基板处理方法具有：在第一处理部中对在表面形成有凹凸图案的基板实施湿式处理(步骤S104)之后，以包括有机溶剂的液膜覆盖基板的表面，使该液膜的至少表面凝固而形成凝固膜的工序(步骤S105)；将由凝固膜覆盖的基板向第二处理部搬运的工...

对半导体晶片以预加热温度进行预加热之后，自闪光灯照射闪光。由上部辐射温度计测定通过闪光照射而升温的半导体晶片的表面温度。在由上部辐射温度计测定的半导体晶片的表面温度到达目标温度时，停止对闪光灯的电流供给而使半导体晶片的表面温度降温。由于...