第1护罩顶端部(86)的内周端(74a)在水平方向上隔着第1环状间隙(C1)而与基板(W)的周端面(Wc)相对。另外，第2护罩顶端部(88)的内周端(75a)在水平方向上隔着第2环状间隙(C2)而与圆板部(28)的外周端(28c)相对。基板相对面(26a)与基板(W)的表面(Wa)保持规定的间隔(WU)，同时遮蔽部件(6)与基板(W)相对。第1环状间隙(C1)的距离(L1)与第2环状间隙(C2)的距离(L2)的合计(L1+L2)为排气路径(EP)中的流路宽度(WF)以上，且为基板相对面(26a)与基板(W)的表面(Wa)的间隔(WU)以下(WF≤(L1+L2)≤WU))。表面(Wa)的间隔(WU)以下(WF≤(L1+L2)≤WU))。表面(Wa)的间隔(WU)以下(WF≤(L1+L2)≤WU))。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置及基板处理方法
[0001]本申请基于2019年6月28日提出的日本专利申请2019
‑
122134号主张优先权，该申请的全部内容通过引用而组入于此。
[0002]本专利技术涉及基板处理装置及基板处理方法。在成为处理对象的基板的例子中，包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence：电致发光)显示装置等的FPD(Flat Panel Display：平面显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
技术介绍
[0003]在半导体器件的制造工序中，有时为了对半导体晶片等基板的表面实施基于药液等处理液的处理，而使用对基板逐片进行处理的枚叶式基板处理装置。该枚叶式基板处理装置例如包括：将基板大致水平地保持并使其旋转的旋转卡盘(spin chuck)；用于向通过该旋转卡盘而旋转的基板供给处理液的喷嘴；与保持于旋转卡盘的基板的表面(上表面)相对的遮蔽部件；用于捕获从基板排出的处理液的处理承杯；和收容旋转卡盘及遮蔽部件等的腔室。
[0004]在下述专利文献1中，旋转卡盘例如包括具有比基板的外径大的外径的圆板状的旋转基座；和在旋转基座的上表面的外周部在与基板的外周形状对应的圆周上隔开适当间隔而设置的多个夹持部件。
[0005]另外，在专利文献1中，遮蔽部件为了相对于基板上方的上方空间(形成于基板与上述遮蔽部件之间的空间)周围的空间即外方空间将上方空间更有效地隔离，而具备配置在旋转卡盘上所保持的基板的上方的圆板部、和从圆板部的周缘垂下的圆筒部。由于在遮蔽部件的圆筒部的下端部与旋转基座的上表面的外周端缘之间形成的间隙保持得窄(参照专利文献1的图3)，所以能够有效抑制外方空间中的含氧的环境气体进入上方空间。由此，能够将上方空间保持在低氧环境下。
[0006]另外，在专利文献1中，处理承杯具备多个护罩。利用多个护罩划分出供排气及排液通过的排气排液路径。通过排气装置的驱动而排气排液路径减压，由此进行排气。各护罩的内周端包围遮蔽部件的圆筒部，与遮蔽部件的圆筒部相邻。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本专利6330998号公报
技术实现思路
[0010]在旋转卡盘中，包括利用配置在基板周围的多个夹持部件将基板水平地夹持从而将基板水平地保持的挟持式旋转卡盘、和通过吸附基板的下表面将基板水平地保持的真空式旋转卡盘(所谓真空卡盘)。
[0011]在挟持式旋转卡盘中，使用具有比基板的外径大的外径的圆板状的旋转基座。与
之相对，在真空式旋转卡盘中，使用具有比基板的外径小的外径的圆板状的旋转基座。
[0012]在挟持式旋转卡盘中，旋转基座的外周部与基板的周端面相比配置在外侧。因此，在专利文献1所记载的基板处理装置中，旋转基座的外周部配置在基板的周端面与遮蔽部件的圆筒部之间的间隙的下方。然而，在真空式旋转卡盘中，由于旋转基座的外周部与基板的周端面相比配置在内侧，所以即使使用具备圆板部和圆筒部的遮蔽部件，也存在含氧的环境气体从基板的周端面与遮蔽部件的圆筒部之间的间隙通过而进入基板的上表面与遮蔽部件之间的空间的隐忧(参照图12)。
[0013]因此，本专利技术的目的在于，提供一种在不是支承基板的外周部而是支承基板的中央部的情况下，能够在低氧环境下对基板的上表面实施使用药液的处理的基板处理装置及基板处理方法。
[0014]本专利技术的一个实施方式提供一种基板处理装置，包括：腔室；基板保持单元，其配置于基板的下方，具有在俯视下比上述基板小的基座板，在上述腔室的内部水平地保持上述基座板上的上述基板；遮蔽部件，其具有圆板部，该圆板部设有与由上述基板保持单元保持的上述基板的上表面隔开间隔地相对的基板相对面；处理承杯，其具有内侧护罩和外侧护罩，该内侧护罩具有围绕上述基板保持单元的周围的第1圆筒部、和从上述第1圆筒部的上端朝向从由上述基板保持单元保持的上述基板的中央部穿过的铅垂线延伸的第1护罩顶端部，上述第1护罩顶端部的内周端隔着第1环状间隙而与上述基板的周端面水平地相对，该外侧护罩具有围绕上述第1圆筒部的周围的第2圆筒部、和从上述第2圆筒部的上端朝向上述铅垂线延伸且与上述第1护罩顶端部相比位于上方的第2护罩顶端部，上述第2护罩顶端部的内周端隔着第2环状间隙而与上述圆板部的外周端水平地相对，上述处理承杯在内部形成有由上述第1护罩顶端部和上述第2护罩顶端部划分出的第1空间、和与上述第1空间连通的排气路径；非活性气体供给单元，其形成在由上述基板保持单元保持的上述基板与上述遮蔽部件之间，向与上述第1空间连通的第2空间供给非活性气体；药液供给单元，其向由上述基板保持单元保持的上述基板的上表面供给药液；以及控制装置，其控制上述非活性气体供给单元及上述药液供给单元，上述控制装置执行以下工序：正压维持工序，利用上述非活性气体供给单元向上述第2空间供给非活性气体，将上述第1空间及上述第2空间双方保持为正压；和药液处理工序，与上述正压维持工序并行地，利用上述药液供给单元向由上述基板保持单元保持的上述基板的上表面供给药液，对上述基板的上表面实施使用药液的处理。
[0015]根据该结构，在保持于基板保持单元的基板的上方配置的遮蔽部件以基板相对面与基板的上表面的间隔成为规定间隔的方式与基板的上表面相对。第1护罩顶端部的内周端在水平方向上隔着第1环状间隙而与基板的周端面相对。第2护罩顶端部的内周端在水平方向上隔着第2环状间隙而与遮蔽部件的圆板部的外周端相对。在使基板及圆板部相对于处理承杯旋转的情况下，需要在基板的周端面与第1护罩顶端部之间、以及圆板部的外周端与第1护罩顶端部之间分别设置环状间隙(第1环状间隙、第2环状间隙)。
[0016]通过向第2空间供给非活性气体，从而将第1空间(由第1护罩顶端部和第2护罩顶端部划分出的空间)及第2空间(形成于基板与上述遮蔽部件之间的空间)双方保持为正压。由此，能够有效抑制作为与第1空间及第2空间连通的腔室内的空间的接近空间内的含氧的环境气体通过两个环状间隙进入第2空间。由此，能够将第2空间保持在低氧环境下。
[0017]在通过非活性气体的供给将第1空间及第2空间保持为正压的状态下，对基板的上表面实施使用药液的处理。由此，能够在低氧环境下对基板实施使用药液的处理。
[0018]因而，在不是支承基板的外周部而是支承基板的中央部的情况下，能够在低氧环境下对基板的上表面实施使用药液的处理。
[0019]在本专利技术的一个实施方式中，上述正压维持工包括将流量比从上述排气路径排出的排气的流量多的非活性气体向上述第2空间供给的工序。
[0020]根据该结构，流量比从排气路径排出的排气的流量多的非活性气体供给到第2空间。由此，能够比较容易地将第1空间及第2空间保持为正压。
[0021]在本专利技术的一个实施方式中，上述排气路径中的流路宽度为间隙合计距离以下，该间隙合计距离为上述第1环状间隙的距离与上述第2环本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，包括：腔室；基板保持单元，其配置于基板的下方，具有在俯视下比所述基板小的基座板，在所述腔室的内部水平地保持所述基座板上的所述基板；遮蔽部件，其具有圆板部，该圆板部设有与由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面隔开间隔地相对的基板相对面；处理承杯，其具有内侧护罩和外侧护罩，该内侧护罩具有围绕所述基板保持单元的周围的第1圆筒部、和从所述第1圆筒部的上端朝向从由所述基板保持单元保持的所述基板的中央部穿过的铅垂线延伸的第1护罩顶端部，所述第1护罩顶端部的内周端隔着第1环状间隙而与所述基板的周端面水平地相对，该外侧护罩具有围绕所述第1圆筒部的周围的第2圆筒部、和从所述第2圆筒部的上端朝向所述铅垂线延伸且与所述第1护罩顶端部相比位于上方的第2护罩顶端部，所述第2护罩顶端部的内周端隔着第2环状间隙而与所述圆板部的外周端水平地相对，所述处理承杯在内部形成有由所述第1护罩顶端部和所述第2护罩顶端部划分出的第1空间、和与所述第1空间连通的排气路径；非活性气体供给单元，其形成在由所述基板保持单元保持的所述基板与所述遮蔽部件之间，向与所述第1空间连通的第2空间供给非活性气体；药液供给单元，其向由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面供给药液；以及控制装置，其控制所述非活性气体供给单元及所述药液供给单元，所述控制装置执行以下工序：正压维持工序，利用所述非活性气体供给单元向所述第2空间供给非活性气体，将所述第1空间及所述第2空间双方保持为正压；和药液处理工序，与所述正压维持工序并行地，利用所述药液供给单元向由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面供给药液，对所述基板的上表面实施使用药液的处理。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述正压维持工序包括将流量比从所述排气路径排出的排气的流量多的非活性气体向所述第2空间供给的工序。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述排气路径中的流路宽度为间隙合计距离以下，该间隙合计距离为所述第1环状间隙的距离与所述第2环状间隙的距离的合计。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述间隙合计距离为由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面与所述遮蔽部件的所述基板相对面的间隔以下。5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述排气路径中的流路宽度为由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面与所述遮蔽部件的所述基板相对面的间隔以下。6.根据权利要求3至5中任一项所述的基板处理装置，其中，所述流路宽度为所述第1圆筒部与所述第2圆筒部之间的径向上的距离。7.根据权利要求3至6中任一项所述的基板处理装置，其中，所述基板处理装置还包括排气单元，该排气单元通过所述排气路径吸引所述处理承杯
的所述内部的环境气体，由此将所述腔室的环境气体向所述腔室外排出，所述排气单元排出所述第1空间及第2空间的环境气体、和所述处理承杯外且所述腔室内的空间的环境气体双方。8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，其中，所述内侧护罩和所述外侧护罩设置为能够彼此独立地升降。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，还包括排气流量调整环，该排气流量调整环设于所述内侧护罩及所述外侧护罩中的至少一方，随着上下方向上的所述内侧护罩与所述外侧护罩的相对移动而调整所述排气路径的流路宽度，由此改变所述排气路径的压力损失。10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理装置，其中，所述内侧护罩的所述第1护罩顶端部的所述内周端与所述圆板部的所述外周端相比在水平方向上位于内侧。11.一种基板处理方法，由基板处理装置执行，...
【专利技术属性】
技术研发人员：中井仁司，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：
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