基板处理方法、半导体制造方法及基板处理装置制造方法及图纸

在基板处理方法中，对具有包含多个构造物(63)的图案PT的基板(W)进行处理。基板处理方法包括下述工序：针对多个构造物(63)执行使用非液体的规定处理，与执行规定处理前相比使多个构造物(63)各自的表面(62)的亲水性增大的工序(S1)；以及在使亲水性增大的工序(S1)后，向多个构造物(63)供给处理液的工序(S3)。向多个构造物(63)供给处理液的工序(S3)。向多个构造物(63)供给处理液的工序(S3)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法、半导体制造方法及基板处理装置


[0001]本专利技术涉及基板处理方法、半导体制造方法及基板处理装置。

技术介绍

[0002]专利文献1中记载的基板处理装置针对基板进行有机物的除去处理。在基板的表面形成有多个微细构造物。微细构造物在基板被搬入基板处理装置之前的工序中形成。例如，通过向形成有抗蚀图案的基板供给药液以进行蚀刻处理，从而在基板的表面形成多个微细构造物。并且，在蚀刻处理后进行冲洗处理、疏水处理及干燥处理。冲洗处理为向基板供给纯水以冲刷药液的处理。干燥处理为通过使基板在水平面内旋转而使基板干燥的处理。在干燥过程中，微细构造物可能因纯水的表面张力而倒塌。
[0003]为了抑制微细构造物倒塌，在干燥处理前进行疏水处理。疏水处理为向基板的表面供给含有疏水剂的处理液，以在微细构造物的表面形成疏水膜(有机物)的处理。通过疏水处理，能够减小作用于微细构造物的纯水的表面张力，能够抑制干燥处理中的微细构造物倒塌。另一方面，疏水膜(有机物)对于半导体产品而言是不需要的。因此，希望在干燥处理后将疏水膜(有机物)除去。<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理方法，其对具有包含多个构造物在内的图案的基板进行处理，所述基板处理方法的特征在于，包括下述工序：针对所述多个构造物执行使用非液体的规定处理，与执行所述规定处理之前相比使所述多个构造物各自的表面的亲水性增大的工序；以及在使亲水性增大的所述工序后，向所述多个构造物供给处理液的工序。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，还包括在使亲水性增大的所述工序之前，向所述多个构造物供给从所述基板除去氧化物的除去液的工序。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，所述规定处理为对所述多个构造物照射紫外线的处理。4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，所述规定处理为对所述多个构造物照射等离子体的处理。5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述规定处理为对所述多个构造物供给氧或氧的同位素的处理。6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述处理液将所述多个构造物中的彼此相邻的构造物之间的空间中存在的气体溶解。7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，还包括下述工序：在供给所述处理液的所述工序后，向所述多个构造物供给疏水剂，与供给所述疏水剂之前相比使所述多个构造物各自的表面的疏水性增大的工序；以及在使疏水性增大的所述工序后，对所述基板进行干燥的工序。8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述多个构造物中的彼此相邻的构造物之间的距离满足规定条件，所述规定条件表示在使亲水性增大的所述工序之前，与所述处理液相同的处理液无法渗透至所述彼此相邻的构造物之间的空间。9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，所述规定条件包含第1条件及第2条件，所述第1条件表示在使亲水性增大的所述工序之前，与所述处理液相同的处理液无法通过毛细管现象而渗透至所述彼此相邻的构造物之间的空间，所述第2条件表示在使亲水性增大的所述工序后，所述处理液能够通过毛细管现象而渗透至所述彼此相邻的构造物之间的空间。10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在使亲水性增大的所述工序中，针对所述多个构造物执行所述规定处理，与执行所述规定处理之前相比使所述多个构造物各自具有的凹部的表面的亲水性增大，所述凹部相对于所述构造物的侧壁面沿着与所述构造物延伸的方向交叉的方向凹陷。11.一种半导体制造方法，其对具有包含多个构造物在内的图案的半导体基板进行处理，制造作为处理后的所述半导体基板的半导体，所述半导体制造方法的特征在于，包括下述工序：针对所述多个构造物执行使用非液体的规定处理，与执行所述规定处理之前相比使所述多个构造物各自的表面的亲水性增大的...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林健司，佐藤雅伸，中野佑太，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：