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株式会社日立制作所专利技术
株式会社日立制作所共有12616项专利
半导体存储器件制造技术
一种半导体存储器件,具有存储单元阵列部分和外围电路部分,存储单元阵列包括多个具有开关晶体管和信息存储元的存储单元,外围电路包括具有栅、源和漏的MISFET,还包括:形成在存储单元阵列的衬底主表面上、起开关晶体管的栅极作用的字线导体;形成...
一种半导体器件集合制造技术
在半导体封装体的凸点形成方法中,将半导体芯片安装到柔性基板上。使用导电性糊剂将导电性球暂时固定在与设置在上述柔性基板上的半导体芯片进行电连接的连接端子上。将暂时固定了上述导电性球的上述柔性基板卷绕到卷轴上。其次,从卷轴抽出柔性基板,对暂...
半导体集成电路器件制造技术
一种半导体集成电路器件,包括:(a)形成在半导体衬底中的沟槽,以及(b)埋置在所述沟槽内的第一绝缘膜;其中,所述沟槽具有倾斜的表面,所述倾斜的表面和所述半导体衬底(1)的表面之间的第一边界部分是圆形的,以及所述倾斜的表面和所述沟槽的侧壁...
存储装置制造方法及图纸
提供一种存储装置,是由使用了存储元件和选择晶体管的存储单元构成的相变存储装置,具有可在130度以上工作的高耐热性。作为该装置的结构,在记录层上使用Zn-Ge-Te的Zn或Cd等的含量≥25原子%、Ge的含量≥5原子%且≤25原子%、Te...
半导体模块制造技术
一种半导体模块,其特征是包括:具有半导体元件、配线基板和在上述半导体元件的与上述配线基板侧的面相对侧的面上形成的第1有机膜的半导体封装,上述配线基板具有连接上述半导体元件的配线构件和连接上述配线构件的外部端子;以及装载上述半导体封装的安...
半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置,该半导体装置把第1半导体芯片(2)粘接固定到第2半导体芯片(3)上,使得前者的背面在后者的电路形成面(有源面)的上边,而且,把支持引线(6)的内部部分粘接固定到第2半导体芯片(3)的电路形成面(3X)上。这种构造可使半导...
半导体器件及其制造方法技术
提供半导体器件(LSI芯片)及其制造方法,在通过划片将LSI芯片从晶片分离时,不发生破片(切断面断的欠缺),即使有也被减低到实际使用容许的程度。本发明的半导体器件,其特征在于,至少在半导体芯片的元件形成面及其背面的端部实施倒角,该倒角倾...
半导体装置制造方法及图纸
本发明提供一种形成多个具有栅极绝缘膜的晶体管的半导体装置,充分抑制通过栅极绝缘膜流过的泄漏电流。该半导体装置,其特征在于:形成具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管,上述栅极绝缘膜以...
半导体器件及制造方法技术
本发明的目的在于提供半导体器件及制造方法,半导体器件具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管,漏极电流特性优良、可靠性高。用于实现该目的的本发明的核心在于,在形成了n沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上设置氮化硅膜,而且在p沟道型场...
半导体器件的制造方法技术
提供了一种半导体器件的制造方法,包括下列步骤:隔着弹性树脂将一其上形成有布线图形的树脂薄膜放置在半导体芯片的形成有多个电极的表面上;把引线的一端与所述电极连接起来,并把所述引线的另一端与所述布线图形连接起来,以及在所述电极与所述引线连接...
液冷系统和使用该液冷系统的电子设备技术方案
提供超小型和薄型化的适用于高发热量的半导体元件等发热零件的、确保长期耐腐蚀性的液冷系统或者使用该系统的电子设备。在具有供给冷却液的泵、接受前述冷却液供给的来自电子零件的热的受热套、使经过该受热套的前述冷却液供给的热进行放热的散热器、经散...
半导体器件制造技术
提供了用于安装半导体芯片的半导体芯片安装区,通过以相同间隔在半导体芯片安装区的整个周边上配置内引线的末端,可使内引线末端更接近于半导体芯片安装区。沿半导体芯片安装区的整个周边配置内引线的末端,使对应于半导体芯片安装区的角部的内引线的末端...
液晶显示设备制造技术
本发明提供一种液晶显示设备,在相互面对相对放置的一对衬底中,插入液晶于其中,对于在其液晶侧上形成的各象素区,提供了象素电极,它反射通过另一衬底入射到象素电极上的外来光线。突出部分被分散地形成于象素电极的表面上。当从平面视角看时,这些突出...
器件的制造方法和观察方法技术
在使用光或电子束的加工中,由被抗蚀剂吸收的光或电子的总量来决定反应性,因此不能进行微细加工。另一方面,虽然提出了热记录,但由于进行记录的光或电子束的光点大小不同,在加工尺寸的微细化上也存在限制。本发明提供通过使用碱溶液或者纯水,仅使在相...
液晶显示器件制造技术
本发明的目的是易于修复漏极信号线。在相互对置的两层基片之间夹有液晶,在基片之一的液晶一侧表面上构成的、被相邻两条栅极信号线以及相邻两条漏极信号线所围合的每一区域构成一个像素区。每个像素区具有一个开关元件,该元件受到来自两条栅极信号线之一...
半导体集成电路器件制造技术
本发明提供一种半导体集成电路器件,包括:半导体衬底主表面的第一区上的第一MISFET;和半导体衬底主表面的第二区上的第二MISFET,其中所述第一MISFET的栅绝缘膜包括相对介电常数高于氮化硅相对介电常数的第一绝缘膜,其中第二MISF...
显示装置的制造方法制造方法及图纸
利用物镜集中激光束并且将其辐射到具有1微米或者更小的晶粒大小的非晶硅薄膜或者多晶硅薄膜上,从连续波形激光束开始处理激光束,(1)以便于利用EO调制器使其脉动并且在脉动时具有任意的随着时间的能量变化;(2)利用光束均匀器、具有任意透射率分...
液晶显示装置制造方法及图纸
一种液晶显示装置,其特征在于:在隔着液晶(LC)相对配置的各基板中的一个基板(SUB1)的液晶侧的面上具有像素区域,该像素区域具有光反射部及光透过部,在上述各基板中的另一个基板(SUB2)的液晶侧的面的像素区域上形成有滤色体(FIL),...
半导体器件的制造方法及半导体器件技术
本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件,能提高单位面积的电容器容量,能简化制造工序。通过在电容器形成区域的表面,形成至少不少于1个的凹凸的电容器形成槽(4a),来增加电容器的表面积,可提高单位面积的电容器的容量。另外,通过利用同...
半导体器件及其制造方法技术
一种半导体器件,包括:树脂模,配置在所述树脂模中并具有形成其前表面和后表面以外的前表面上的外部端子的两半导体芯片,和从树脂模内部延伸到外边的引线,其中,每个所述引线在至少树脂模中分支为两个,一个分支引线固定到一个半导体芯片表面上并通过导...
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