本发明涉及半导体装置的制造方法，所述方法除去了在至少含有碳或硅的绝缘膜上形成的金属膜的至少一部分，使用由铜或以铜为主体的合金构成的金属膜、由高分子树脂构成的研磨垫、研磨中的动摩擦系数不足０．５的研磨液，利用所述研磨垫研磨所述金属膜。该方...

本发明提供一种半导体器件，具有在半导体基板的一主面的第１区域构成了沟道形成区域的ｎ沟道导电型场效应晶体管、及在上述半导体基板的一主面的与第１区域不同的第２区域构成了沟道形成区域的ｐ沟道导电型场效应晶体管，在该半导体器件中，在上述ｎ沟道导...

在半导体衬底某一主表面上给出构成电路的电路元件和布线，以及与该电路电相连的第一电极。在电路上除了第一电极表面上的开口的地方形成有机绝缘膜。在有机绝缘膜上给出第一和第二外部连接电极。在有机绝缘膜上安置至少一层用以电连接第一、第二外部连接电...

为了提供半导体集成电路器件，如能够减少ＳＲＡＭ之各个存储单元中产生的软错误的高性能半导体集成电路器件，采用从二氧化硅薄膜之表面上突出的形状，形成ＳＲＡＭ存储单元的交叉连接部分的布线的表面，该存储单元具有一对其栅极和漏极分别交叉连接的ｎ沟...

在包括半导体元件，覆盖半导体的电绝缘盖，以及分别电连接到半导体元件的至少第一和第二导电端子的半导体装置中，第一导电端子具有第一端子凸起从盖的第一表面突出并且包括第一终止端和第一根源端，第二导电端子具有第二端子凸起从盖的第二表面突出并且包...

以低成本实现功率附加效率和功率增益高且能降低功率增益的温度依存性的功率放大器。因此，在使用了形成在半导体衬底上，具有平面形状为环状的发射极顶部异质结双极晶体管的半导体器件中，采用了只在环状发射极基极结区域的内侧存在基极的构造。这样，不使...

ＣＦ卡（１）包括：由两个面板（２，２）和框架（３）构成的外壳；以及容纳于外壳中的印刷电路板。在面板（２）的外围做上大量爪状啮合部分（５）。在装配ＣＦ卡（１）时，将第一面板（２）的啮合部分（５）插入做在框架（３）上的长槽（８）的通孔中，然...

提供一种半导体器件，可防止元件整体的机械强度下降，减少沿布线传播的信号的延迟。构成各布线层（１００）的第一绝缘层和第三绝缘层包含碳化氮化硅膜、碳化硅和／或氧化硅，下层布线层的第二绝缘层包含氧化硅，上层布线层的第二绝缘层包含添加氟的氧化硅...

一种通过分析配线之间的串扰引起的延迟时间劣化，可以精度良好地计算电子电路装置的延迟时间的方法，该电子电路装置中，根据输入信号模式，关注配线及与其邻接的多个配线的各个信号到达时刻动态地变化。利用由关注配线及邻接配线之间的相对信号到达时刻可...

课题在于缩短掩模的制作时间。在用光刻胶膜构成遮光体的掩模ＲＭ的缺陷检查中，采用使用异物检查装置ＣＩＳ，读取对照射到掩模ＲＭ上的检查光的反射光、透过光或这两方的光学信息的办法，检查掩模ＲＭ上边的光刻胶图形的卷边、膜减薄、异物等这样的缺陷的...

一种半导体器件及其制造方法，提高在封装的背面上具有外部连接端子的ＱＦＮ（方形扁平无引脚封装）的装配精度。ＱＦＮ１的密封体３在沿着其背面一侧的对角线方向的２个拐角部分上设置有切口部分８。在从这些切口部分８露出来的悬空引线５ｂ的一部分上，设...

本发明给出一种半导体器件，包含：第一绝缘膜，沉积在半导体衬底上；互连开口部分，形成在第一绝缘膜中；互连，置于互连开口部分中；以及第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜和互连上。所述互连具有：第一导电膜；第二导电膜，由化学气相沉积或ＡＬＤ通过第一导...

一种薄膜半导体器件，其特征在于： 具有：绝缘体基板；在上述绝缘体基板上形成的硅薄膜；以及将上述硅薄膜作为沟道的晶体管，上述硅薄膜是排列多个具有细长形的矩形结晶粒而构成的多晶，在上述多晶中，特别是其表面在粒界中呈凹陷状，在上述沟道内...

本发明的半导体器件具有在上述半导体芯片的主面沿其一边配置的多个电极焊盘、及在上述布线基板的主面沿上述半导体芯片的一边配置的多个连接部，上述多条引线中的相邻的第１和第２引线中，上述第２引线的弯曲部分的高度比上述第１引线高，上述第２引线的一...

一种半导体器件，其特征在于： 包含： 半导体衬底； 在该半导体衬底的整个背面和包括边沿部在内的周边部形成的绝缘膜；以及 在将该绝缘膜的周边部除外的表面区域形成的半导体膜。

本发明的课题是在绝缘性基片上控制粒界、粒径和结晶方位。解决方法是使用下述的半导体薄膜器件，其中，在变形点为６００度以下的绝缘性的基片上形成的膜厚为２００ｎｍ以下的半导体薄膜中，具有交替地将缺陷密度比１×１０＃＋［１７］ｃｍ＃＋［－３］小...

提供一种有源矩阵型显示装置。向构成显示装置的有源矩阵基板（１０１）的像素部的非晶硅膜（１０４）选择性地照射激光束（２０８）来使多晶硅膜（１０５）改性。然后，在改性的多晶硅膜（１０５）上形成薄膜晶体管等像素电路。这样，可非常经济地实现包括...

薄膜半导体器件是利用熔化的半导体的表面张力的凝结现象，在绝缘性基板的整个面上，或在特定的区域形成孤立的单晶薄膜的岛区域，在该岛区域中形成薄膜晶体管的有源区域。

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有下述工序： 通过在硅半导体衬底的表面上有选择地形成元件隔离用的场绝缘层来形成互相隔离的第１半导体区域和第２半导体区域的工序；在该第１半导体区域和该第２半导体区域的表面上形成氧化硅膜的工序；...

一种半导体集成电路器件，包括： 用于接收高电位侧电源的第一输入端； 用于接收低电位侧电源的第二输入端； 内部电路，包括接收电压低于所述高电位侧电源的用于内部电路的电源的第一端，内部电路通过接收所述电源而工作； 分...