多个半导体芯片安装其上的条状衬底的背面被真空吸附于一模具的下半模具上，在这种状态，多个半导体芯片与树脂同时被密封形成一密封体。其后，条状衬底和密封体从模具中被释放出，并被切成多个半导体器件。从而获得的半导体器件在其安装可靠性上被改进。

在半导体集成电路器件制备方法中，为了抑制防止外来物质的产生，使用的光掩膜构建方式为，阻挡膜被用作光屏蔽膜来进行检测或暴光处理，当光掩膜１ＰＡ１被安装于如检测设备或对准机预定装置上时，其状态为，预定装置的安装部分２与光掩膜１ＰＡ１的掩膜衬...

一种通过在绝缘衬底的表面上形成非晶半导体膜、然后用激光束照射非晶半导体使非晶半导体膜结晶、从而形成多晶半导体薄膜、然后在多晶半导体薄膜中形成晶体管的制造半导体器件的方法，其特征在于，将ＵＶ射线照射到绝缘衬底的背面和非晶半导体膜以将非晶半...

短时间开发少量多品种的半导体装置，而且以低成本制造实现最佳光掩模。例如在光刻胶膜等这样的有机膜中含有碳等这种微粒子状物质，构成光掩模Ｍ的遮光体图形２。通过利用该光掩模Ｍ的缩小投影处理，把图形复制到半导体晶片５上的光刻胶６中。该曝光处理时...

在有自对准ＬＤＤ的多晶硅薄膜晶体管基片上，用Ｗ浓度为重量５％以上不到２５％，更希望用Ｗ浓度为重量１７％到２２％的Ｍｏ－Ｗ合金制作栅极，用包括磷酸浓度为重量６０％到７０％的刻蚀溶液的湿刻蚀工序的方法制作的薄膜晶体管基片有均匀的特性并有优越...

具有多条Ｉ／Ｏ线的存储器芯、传送电路用模块以及逻辑库并存储在数据库中，用它们进行半导体集成电路装置设计。进而，把具有多条Ｉ／Ｏ线的存储器芯和逻辑电路配置成各Ｉ／Ｏ线为同一方向，在Ｉ／Ｏ线之间配置由多级开关群构成的传送电路。若一级或少数级...

改善了半导体集成电路器件的产率。根据光掩模被使用多少次，恰当地使用具有由金属组成的不透明图形的光掩模以及具有由抗蚀剂膜组成的不透明图形的光掩模，从而执行曝光处理。

在进行读出放大器交互配置的情况下，作为从子存储器阵列（ＳＭＡ）向读出放大器（ＳＡ）引出数据线的方式，把在子存储器阵列内连续的２条或者交错地把２条数据线夹在中间的２条数据线，连接到相邻的读出放大器上。说得更详细点，采用使被夹持在连接到２个...

一种减少生产步骤数目和进行流水线生产的半导体器件制造方法，该方法通过将芯片部件（２２）和半导体切片（２１）装配到经过检查的多单元基片（２７）中包含的布线板（２）上，其中布线板（２），即在当对多单元基片（２７）进行检查时发现有欠缺的单元上...

使用一种在基板材料（特别地，二氧化硅）上的抛光速率，与在内埋膜材料（特别地，钨）上的抛光速率和在阻挡膜材料（特别地，二氧化钛）上的抛光速率彼此基本相等的浆体，同时抛光内埋膜和阻挡膜。这可以高抛光速率实现无任何台阶或多个台阶的内埋结构。

在用一个树脂密封体密封多个半导体芯片时考虑到各个半导体芯片测试容易性的安装方法。也考虑对各种ＭＣＰ、系统ＬＳＩ的应用。作成为这样的规格：采用使单一封装内的第１半导体芯片的一个信号输出端子和半导体器件的第１外部端子独立地进行内部连接，使第...

关于具有多层布线和铜布线的半导体集成电路器件，降低缺陷挽救和调整的成本。利用第１层多晶硅作为浮置栅极的非易失性存储元件，存储用于挽救半导体中存储单元阵列缺陷的地址等。或者，在半导体集成电路器件的测试中对上述非易失性存储元件进行编程。形成...

一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，及利用其的数据处理设备。栅极—沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否...

通过ＣＶＤ法形成改进了膜质量的金属膜，例如构成数据存储电容器下电极的Ｒｕ膜等。更具体地说，使用Ｈ↓［２］Ｏ作为催化剂，一价Ｒｕ化合物Ｒｕ（ＡＣＡＣ）（ＴＭＶＳ）↓［２］［ＡＣＡＣ：乙酰丙酮化物（ＣＨ↓［３］ＣＯＣＨＣＯＣＨ↓［３］）↑［...

本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率，高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料，所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使９５％或者更...

光刻过程中为精确监测产品晶片的曝光条件，即曝光能量和聚焦的变化，针对曝光条件变化，通过获取尺寸特征量变化倾向相互不同的第１和第２图形部分的电子束图像，能算出曝光条件变化。之后，计算第１和第２图形部分的各个尺寸特征量，并把这些尺寸特征量加...

以廉价的非退火玻璃作为基片，在５００℃以下的处理温度下对搀杂了硼（Ｂ）或磷（Ｐ）的多晶硅膜表面用臭氧进行氧化处理，在多晶硅表面形成４～２０ｎｍ的硅氧化膜。由此，可以降低栅绝缘层／沟道层界面上的能级密度，从而可在非退火玻璃基片上制造特性变...

即使是缩小了芯片尺寸、缩小了焊盘间距的半导体器件也能利用检查装置有效地进行检查的半导体器件。在半导体器件１的两端部上形成多个焊盘２ａ、２ｂ，在半导体器件１的左端一侧配置输入焊盘组２ａ，在半导体器件１的右端一侧配置输入输出焊盘组２ｂ。在半...

本发明提供一种液晶显示装置，其在隔有液晶而相向配置的各基板中的一侧基板的液晶侧的面中的各像素区域上，设有薄膜晶体管，该薄膜晶体管的构造具有：栅极电极，其连接到栅极信号线、半导体层，其通过该栅极电极与绝缘膜而层积形成、漏极电极，其是在该半...

提供半导体存储元件、半导体装置。在要求高可靠性的半导体快速存储器中，由于必须通过将硅基板直接氧化了的氧化膜进行电子的进出，使用的电压从正到负成为大电压。与此不同，通过将电荷蓄积在多个分散的区域，能实现高可靠性。以该高可靠性为背景，不仅通...