半导体器件的制造方法、有效检查由切割分离的分立ＬＳＩ芯片的半导体器件的检查方法以及在所述方法中使用的夹具。从半导体晶片上切割大量的ＬＳＩ芯片之后，在检查步骤中，使用由热膨胀系数近似等于ＬＳＩ芯片的材料形成的所述夹具重新排列和集成预定数量...

利用溅射法在晶片的主表面上淀积Ｃｏ膜，该溅射法采用Ｃｏ纯度不小于９９．９９％，较好是９９．９９９％且Ｆｅ和Ｎｉ的含量不大于１０ｐｐｍ的高纯Ｃｏ靶。所淀积的Ｃｏ膜转变成Ｃｏ硅化物膜，与ＭＯＳＦＥＴ的栅极、源和漏欧姆接触，具有低电阻且几乎不...

本发明的半导体集成电路器件的制造方法包括将含有由氢气和氧气通过催化作用产生的低浓度水的氧化反应物送到半导体晶片的主表面或附近，在足以确保形成氧化膜的精度和氧化膜厚度均匀性的氧化膜生长速率下，在半导体晶片的主表面上形成薄氧化膜作为ＭＯＳ晶...

半导体器件中，内引线的尖端固定于热辐射板，可使热辐射板得到支持并免去悬置引线。与半导体芯片连接的内引线的尖端具有引线间距ｐ、引线宽度ｗ和引线厚度ｔ，其间的关系为ｗ＜ｔ和ｐ≤１．２ｔ。热辐射板具有在径向方向上形成有从热辐射板上的半导体芯片...

提供可靠性高，能够以低噪声进行高速动作的半导体装置。在同一个面内形成电源布线１００３ａ、接地布线１００３ｂ和电信号布线１００３ｃ，与信号布线至少一部分的两侧相邻地形成电源布线或者接地布线。

一种半导体集成电路中，通过把衬底偏置控制装置１０２设置为第１状态，在ＭＯＳ晶体管中流过大电流，把衬底偏置控制装置设定为第２状态，把上述大电流控制为较小的值，进行控制使得第２状态时提供给第１被控制电路的衬底偏置的值是比第１状态时对于ＰＭＯ...

从内置在扁平型管壳内的多个半导体芯片上的控制电极引出的控制电极布线和用于将其与主电极布线绝缘的绝缘用部件具有兼有在扁平型管壳内的各半导体芯片的定位的功能。此外，将一体型的控制电极布线网容纳在管壳的共同电极内部，通过将从各半导体芯片上的控...

提供一种半导体集成电路技术，借助于该技术，采用使ＤＲＡＭ的存储单元微细化的办法可以改善ＤＲＡＭ的集成度同时可以增加ＤＲＡＭ的工作速度。提供一种半导体集成电路装置的制造方法。首先，通过栅极绝缘膜（６）在半导体衬底衬底（１）的主面上边形成栅...

开关ＭＯＳＦＥＴ插入在读出放大器与互补位线之间：在信号电压被字线从多个被选定的动态存储器单元读出到多对互补位线之后，开关ＭＯＳＦＥＴ的开关控制信号从选择电平被改变到预定的中间电位，由于读出节点根据读出放大器的放大操作而被开通。由放大操作...

一种半导体集成电路器件及其制造方法。被元件隔离沟槽包围的有源区的衬底表面，在有源区的中心部分是水平面，但在有源区的肩部向着元件隔离沟槽的侧壁下降。该斜面包括两个具有不同倾斜角的斜面。靠近有源区中心部分的第一斜面较陡峭，靠近元件隔离沟槽侧...

本发明提供一种集成电路制造方法，用诸如铂或ＢＳＴ之类的薄膜作为对钌等构图用的硬掩模，从而可以在不去掉硬掩模的情况下形成器件。此外，本发明方法使得可以插入例如铂等保护膜，从而防止去除用于构图硬掩模用的抗蚀剂时，底层钌膜等受损伤。

提供半导体器件、半导体晶片以及半导体组件：其中半导体器件翘曲很小；在下落试验中几乎不产生芯片边缘的损伤和龟裂；半导体器件在安装可靠性和大规模生产性很优异。半导体器件１７包括：半导体芯片６４；提供在半导体芯片形成有电路和电极的平面上的多孔...

一种具有在每一个中都形成有构成存储单元的存储单元选择用ＭＩＳＦＥＴ（Ｑｓ）且由在半导体衬底（１）的主面的Ｘ方向上直线延伸的岛状的图形构成的有源区域（Ｌ）的ＤＲＡＭ，存储单元选择用ＭＩＳＦＥＴ（Ｑｓ）具有用恒定的宽度在半导体衬底（１）的主...

绝缘门控晶体管包括第一半导体区、包括多个部分的第二半导体区、第三半导体区、第四半导体区、第一主电极和第二主电极，其中在第一主表面平面上经由绝缘层设置金属布线层，通过上述的主电极设置与第一主电极绝缘的多个区域，以及金属布线层通过绝缘层经由...

为了提供一种在与基板连接时不发生导通不良并能容易地进行高密度安装且能实现低成本的半导体装置、其安装结构体及其制造方法，本发明的特征在于：将角锥形状的凸起电极接合到配置在半导体芯片上的各焊区电极上而构成。

本发明公开了一种有机硅纳米簇组合物及其制造方法，还具体公开了利用该有机硅纳米簇形成的硅薄膜和氧化硅薄膜，以及包括这些膜的电子器件。该有机硅纳米簇能溶于有机溶剂中，用Ｔａｕｃ绘图法测量的其在有机溶剂中的溶液的带隙在３ｅＶ－１．２ｅＶ之间。

提高半导体芯片的安装密度和存储器组件的容量以及适应高速总线的存储器组件。此存储器组件包含多个具有作为外部端子的突出端子和用来使突出端子之间的间距扩大成大于半导体芯片的键合电极之间的间距的布线部分的ＷＰＰ、具有半导体芯片、作为外部端子的外...

一种装载有多个半导体裸芯片器件的基底金属基板，具有第１和第２主面，在第１主面上形成了至少一个凸部和用来决定裸芯片器件的装载位置的至少２个凹部。凹部的深度比凸部的长度大且具有比金属基板的主面更好的平滑度。金属基板被部分地进行化学刻蚀以形成...

在一种制造半导体器件的方法中，在半导体晶片的正面上形成具有电路的多个芯片形成区的步骤后，且在各芯片形成区上形成凸点电极的步骤前，提供在半导体晶片的背面侧上对应于各芯片形成区的区域中形成识别标记的步骤。

一种半导体模块，其中引线电极和与树脂壳体分离的树脂构件一体成形，或被压入到树脂中，通过粘接剂等把接插件粘接到基板上，该接插件具有用于与引线电极引线键合的焊盘，在该基板上半导体功率器件也以类似方式安装到模块壳体上。由此，电极可以设置在半导...