株式会社日立制作所专利技术

株式会社日立制作所共有12616项专利

  • 一种半导体器件,其中多个引线中的内引线安置在用树脂包封体包封的半导体芯片的电路制作面上,而制作在芯片的电路制作面上的键合焊点和内引线电连接。粘合剂只选择性地涂于多个内引线中的排列在芯片二端的最外侧上的内引线。芯片的电路制作面与选定引线的...
  • 本发明涉及一种抛光方法及适用于此抛光方法的抛光设备,该方法利用包括磨料颗粒和粘合磨料颗粒和粘合树脂的磨石。利用粘合磨料颗粒的树脂,可以获得具有所需弹性模量的磨石。用此磨石,可以使有凹凸部分的衬底表面变平坦均匀,但与这些凹凸部分的尺寸无关...
  • 一种半导体存储器,它包含: 半导体衬底; 层叠在上述半导体衬底主表面上的多个介质膜; 其中制作有配备了导电类型与上述半导体衬底相反的高扩散区、栅电极和栅隔离膜的场效应晶体管和电容器的存储单元区;以及 外围电路区,...
  • 本发明涉及样品取走方法和装置,其中从样品台取走通过给安装在真空室中的样品台施加静电吸附电压而被静电吸附的样品。第一步骤,相对样品台向上推顶针到预定高度以从样品台取走样品,第二步骤,是在第一步骤结束之后使顶针在预定时间内静止不动。通过重复...
  • 一种半导体晶片的加工方法,其特征是包括: 准备由基体材料和已设置于该基体材料的单面上的粘附构件构成的板状或薄片状载体的第1工序; 以未形成电路元件的背面朝向与上述载体相反方向,把半导体晶片粘附于上述载体上形成晶片复合体的第2...
  • 在CMOS栅阵列中,对应于信号输入单元和对应于电源电压输入单元的每个键合焊盘由多个导体层构成,而对应于将不被采用的输入/输出单元的每个键合焊盘(未连接的焊盘)例如由最上层导体层构成。所以,与信号键合焊盘和电源电压键合焊盘相比,对应于将不...
  • 在半导体封装体的凸点形成方法中,将半导体芯片安装到柔性基板上。使用导电性糊剂将导电性球暂时固定在与设置在上述柔性基板上的半导体芯片进行电连接的连接端子上。将暂时固定了上述导电性球的上述柔性基板卷绕到卷轴上。其次,从卷轴抽出柔性基板,对暂...
  • 一种网格焊球阵列型半导体封装件,用粘接材料将半导体芯片安装在柔性膜衬底的表面上,在上述衬底的背面将多个突块电极排列成矩阵,并用树脂密封半导体芯片。具体地说,制作一个绝缘层来覆盖制作在衬底表面上的导电体层图形,并用粘接材料将半导体芯片安装...
  • 为了缓和半导体装置与封装基板之间的热应力,在使用由具有3维网孔结构方式连续气泡的中心层1和粘接层2的三层结构构成粘接薄片的半导体装置中,作为配置在半导体芯片5与形成布线4的布线层之间的应力缓冲层,设定中心层1的厚度比率为整个应力缓冲层厚...
  • 片尺寸半导体封装,包括外围设有多个连接端的芯片;设于芯片主表面上使连接端暴露的弹性体;弹性体上的绝缘带,在连接端处有开口;绝缘带上表面上的多根引线,其一端与连接端连接,另一端设置于弹性体上;引线另一端上的多个突点电极;及密封半导体芯片的...
  • 一种半导体存储器件,包括半导体存储单元阵列和外围电路,各阵列包括多个具有开关晶体管和信息存储元的存储单元以及与开关晶体管的源区或漏区电连接的位线,上述外围电路包括与其中的半导体区电连接的布线,该半导体区的导电类型与上述源区和漏区的相反,...
  • 一种半导体器件,包括:树脂模,配置在所述树脂模中并具有形成其前表面和后表面以外的前表面上的外部端子的两半导体芯片,和从树脂模内部延伸到外边的引线,其中,每个所述引线在至少树脂模中分支为两个,一个分支引线固定到一个半导体芯片表面上并通过导...
  • 内引线部分被部分排列在半导体芯片主表面上的LOC(芯片上引线)结构封装件中,公开了一种用来减薄封装件并加快信号传输的技术。具体地说,借助于局部减小排列在半导体芯片主表面上的信号内引线的厚度,在确保了封装件的机械强度的同时,减小了密封树脂...
  • 与逻辑电路混合布局的RAM模块具有多个存储器堆及一个控制电路。分别相应于各个存储器堆并以串联形式电连接的算术电路。固定的地址设置信号提供给初始级算术电路的输入端。提供给下一级或次级算术电路的输入信号或从其输出的信号被定义为自-指定(ow...
  • 高速/大容量DRAM(动态随机存取存储器)通常每0.1秒刷新一次,这是因为漏电流使其丢失存储的信息。DRAM在切断电源时也丢失存储的信息。同时,非易失ROM(只读存储器)不能构成为高速/大容量存储器。本发明的半导体存储器件,通过利用隧道...
  • 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法,具有磁场形成装置,通过磁场来控制电子共振,以控制等离子体状态和腐蚀气体的离解状态,由此,即使对于大口径的晶片,也能够同时兼顾处理速度和细微加工性、选择比和均匀性。在真空处理室内的一对电极...
  • 在如DRAM的半导体存储器件中,在隔离绝缘膜1.2的边缘部分上分布有导电薄膜1.11’,所述隔离绝缘膜与半导体衬底1.1相对,中间是薄的绝缘膜。该导电薄膜1.11’电连于存储电容器的下电极1.11。该新颖结构可以独立于冶金pn结的位置来...
  • 本发明的目的是提供一种研磨技术,它能够抑制擦痕和剥落、凹陷、磨蚀,而且不需要复杂的洗涤工序和研磨剂供给/处理装置,并降低研磨剂和研磨布等消耗品的成本。本发明的解决方法是:使用含有氧化性物质和使氧化物水溶性化的物质、而不含研磨磨粒的研磨液...
  • 通过将具有密封的存储芯片的载带封装(TCP)高密度地安装于布线板上,实现大存储尺寸的低轮廓外形电子装置(存储模块和存储卡)。更具体说,TCP由绝缘载带、形成于其一侧上的引线、密封有半导体芯片的封装树脂、及设置于两相对的短边上的一对支撑引...
  • 在使用多个高和低电压输入电源的集成电路器件中布置的电平转换电路中,提供了差分输入。在下拉电平电路中,不用3.3V供电的MOS晶体管在栅极与漏极之间和栅极和源极之间使用一个薄的氧化层。在上拉电平电路中,提供了逻辑操作功能。