一种封装电子器件具有一个电子器件和一些细长引线。电子器件和细长引线的一部分用模塑材料包封起来。支持用的绝缘材料插入在从封装件伸出的相邻引线之间用以支持细长引线的伸出部分。支持用绝缘材料与模塑材料连成一件，并由绝缘连接材料在引线外端处彼此...

一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，还涉及利用其的存储器件。栅极－沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否...

为制作密封式半导体器件，将引线架连同电绝缘条与半导体芯片一起放入一套有上下凹模的模具内。该模具的上下凹模有互不相同的决定模具内腔的凹陷面积，将模制材料注入内腔，提供一模制封装，包封半导体芯片和各引线的一部分。该密封式半导体器件具有凸缘状...

将掺氢室１０３和用较低温度排除掺入晶片的氢室１０４安装到等离子腐蚀装置或者离子注入装置的后级，用于有效地消除由于等离子腐蚀和离子注入对半导体衬底产生的损伤。利用碳氢化合物气体和加速碳氢化合物分解的氧的混合物在等离子体中形成氢原子团，用顺...

半导体存储器件，具有衬底、字线和位线导体、以及位于字线和位线导体交点处的存储单元。相邻两单元构成一存储单元对单位结构，两相邻单元的晶体管的第一半导体区在其交界处结合成单一的区且经由位线连接件连接到一位线导体，晶体管的栅极分别连接到相邻的...

由具有铁电电容器的存储单元构成的存储矩阵按字线划分为一组存储块。由于配置了存储存储块模式信息的模式存储电路和对存储块相继受到刷新的次数进行计数的刷新操作计数电路，使得相继受到预定次数刷新操作的存储块转换为ＮＶ（非易失）模式，而使得有一个...

一种半导体塑封，特别涉及对ＢＧＡ封装的封装结构和方法。一种树脂密封的ＢＧＡ封装，其中支撑架牢固地支撑半导体部件，例如，ＩＣ芯片，电路板或电路膜，用树脂密封，用由上半模和下半模构成的模具，其下半模中有多个凸柱，每个凸柱的位置与每个外引出端...

一种半导体存储器，其存储器阵列带有一１ＭＯＳ型存储器单元矩阵，其高速存储器阵列带有一３ＭＯＳ型存储器单元矩阵，其中Ｘ系统选取高速存储器阵列的操作由地址储存电路和地址比较器执行，前者储存分配给写／读字线的Ｘ地址，后者比较存储于前者的数据和...

在由多个电子电路组成的半导体集成电路（这些电路分别配置了实现信号传输的接口电路并由多个独立的电源引线端供电）中配置了保护元件，它们分别具有在电源正常状态下使元件关闭的高阈值电压，并将避免静电击穿的一电阻和一二极管连到位于电路间执行信号传...

一种供塑封半导体器件用的引线框架，包括其上安装半导体芯片的托片、芯片衬垫支撑引线、与半导体芯片电连接的内引线、以整体结构方式与内引线一起形成的外引线，以及支撑芯片衬垫支撑引线和外引线的框架。在引线框架中，只在外引线之间配置堵封件。或者，...

一种能够产生具有良好反差和对称性的位置检测信号的目标图形，该目标图形由光波长为λ、数值孔径为ＮＡ且局部相干为σ的位置检测光学系统检测，由具有隆起的点部或线部１ａ和设于１ａ周围的重复台阶部分１ｂ构成，隆起宽度小于０．５λ（１＋σ）ＮＡ，１...

一种可适合于增加了引出脚数目、热可靠性提高了的ＬＳＩ的树脂密封外壳。该外壳包括：一个具有一支撑和散热底座以及配置在该底座周围的内引线和外引线的引线框；一个带自动键合（ＴＡＢ）结构；在上述半导体芯片的主表面上的ＴＡＢ引线，以及用于密封上述...

当对具有耐熔件的ＦＰＧＡ（现场可编程门阵列）进行编程时，每个耐熔件都由依在半导体基片的主表面上的次序顺序构成的ＴｉＷ下电极、非晶硅构成的绝缘薄膜以及ＴｉＷ上电极构成，将ＤＣ电压加在用于编程的耐熔件上，然后将ＡＣ电压加在耐熔件上，以便ＡＣ...

一种用以形成存贮电极的上层翅片和下层翅片的工艺方法，以及由此方法制造的半导体集成电路器件。当用第１掩模由干法腐蚀依次刻蚀成两层的多晶硅膜以形成上层翅片和下层翅片时，首先把上层多晶硅膜刻成图形，以便按ＤＲＡＭ存储单元最小加工尺寸形成两上层...

一安装于存储器模块上的故障校正ＬＳＩ，包括：用于捕获地址和控制信号的输入接口部分；一相应于存储器设备数据总线的输入／输出接口部分；一个存储器电路；一个冗余校正ＲＡＭ部分；相应于一故障芯片地址把冗余校正ＲＡＭ部分的数据输入／输出总线连接到...

高可靠性、低成本、安装时可修复的极薄半导体装置。用多个该装置叠层构造，可提供比相同体积有更高功能的半导体模块，以及插件型模块。在模块制作时，可直接连接极薄引线框架和ＬＩＳ芯片，用低粘度环氧树脂，使ＬＳＩ芯片的里面露出来，进行薄型锭模。对...

一种包含多晶硅薄膜的半导体器件，在这种多晶硅薄膜中硅薄膜的晶粒主要具有圆柱形结构且各个晶粒的晶向几乎为均一的方向。这种膜可以这样制作：在基底薄膜的界面上先淀积一层无掺杂硅薄膜或者先淀积一层杂质层，然后淀积掺杂的硅薄膜，如果需要，接下来进...

为了在ＬＳＩ制造中实现高选择比和高精度的刻蚀，在对半导体衬底上的薄膜进行干法刻蚀时，借助于使等离子体中激发到亚稳态的惰性气体与碳氟气体相互作用并选择性地获得所需的分解物的方法，精确地控制了反应气体分解物的组分。

Ｐ－型阱区中形成存储器阵列部分，此阵列中的动态存储单元排成矩阵状，给该Ｐ－型阱区加以绝对值减小了的反向偏压；最好地适应于更新特性。考虑到高速工作，则给形成外围电路之Ｎ－沟道ＭＯＳＦＥＴ的Ｐ－阱区加上一个反向偏压，使其绝对值比加给存储器阵...

一种制造半导体集成电路器件的方法，包括：将半导体衬底的第二表面部分做成凹槽；在其第一表面部分处制作第一电路区元件，而在第二表面部分处制作第二电路区元件，第一电路区和第二电路区的元件在垂直于半导体衬底表面部分的方向上具有相对小和大的尺寸；...