半导体存储装置制造方法及图纸

由具有铁电电容器的存储单元构成的存储矩阵按字线划分为一组存储块。由于配置了存储存储块模式信息的模式存储电路和对存储块相继受到刷新的次数进行计数的刷新操作计数电路，使得相继受到预定次数刷新操作的存储块转换为ＮＶ（非易失）模式，而使得有一个存储单元受到读／写操作的存储块转换为ＤＲＡＭ（易失）模式。因为对处于ＮＶ模式的存储块不进行刷新和只在向ＮＶ模式转换时极化才反相，所以大大降低了功耗和消除了对重写次数的限制。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属半导体存储装置
具体地说，本专利技术推出一种适用于存储单元由铁电电容器和地址选择金属氧化物半导体场效应晶体管(即MOSFET)构成的半导体存储装置的技术。用铁电电容器作为存储单元、可在非易失模式和易失模式间来回转换的半导体存储装置的一些实例在日本专利公报NO.5996/1991、283097/1991以及283176/1991中都有所揭示。本专利技术的专利技术者业已专利技术一种功能独特的半导体存储装置。在这种半导体存储装置中，考虑了DRAM(动态读写存储器)所消耗的大部分电流都是用于刷新操作以及用铁电电容器的铁电存储器的极化特性会随着重写次数的增加而恶化这两个缺点，通过相互弥补来克服这两个缺点。本专利技术的目的是提供一种功耗低、重写次数不限的半导体存储装置。本专利技术的上述及其他目的、特点从本说明书以下的结合附图所作的说明中可清楚地看出。本专利技术的一些有代表性的特性可以简要归结如下。存储矩阵由一些排列成矩阵的存储单元组成，每个存储单元都含有一个铁电电容器和一个地址选择MOSFET。存储矩阵按每根字线划分成一组存储块。每个存储块都相应有一个用来存储该块是处在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储装置，其特征是所述装置包括：一个由一些排列成矩阵的存储单元构成的存储矩阵，其中的每个存储单元都具有一个铁电电容器和一个地址选择ＭＯＳＦＥＴ；一组按照每一根或几根字线划分所述存储矩阵而得到的存储块；与所述存储块一一对应配置的模式存储电路，用来分别存储相应存储块的模式是ＤＲＡＭ模式还是ＮＶ模式的信息；刷新操作计数电路，用来分别对相应存储块相继受到的刷新操作的次数进行计数；一个模式改变电路，所述电路在预定的第ｎ次刷新操作期间进行一次存储器访问，暂时将铁电电容器的极板电压从一个电压改变为另一个电压和将模式存储电路从ＤＲＡＭ模式转换为ＮＶ模式，而在对所述存储块的一个存储单元执行一个读或写操...

【技术特征摘要】
JP 1994-3-7 62108/941.一种半导体存储装置，其特征是所述装置包括一个由一些排列成矩阵的存储单元构成的存储矩阵，其中的每个存储单元都具有一个铁电电容器和一个地址选择MOSFET；一组按照每一根或几根字线划分所述存储矩阵而得到的存储块；与所述存储块一一对应配置的模式存储电路，用来分别存储相应存储块的模式是DRAM模式还是NV模式的信息；刷新操作计数电路，用来分别对相应存储块相继受到的刷新操作的次数进行计数；一个模式改变电路，所述电路在预定的第n次刷新操作期间进行一次存储器访问，暂时将铁电电容器的极板电压从一个电压改变为另一个电压和将模式存储电路从DRAM模式转换为NV模式，而在对所述存储块的一个存储单元执行一个读或写操作期间将模式存储电路从NV模式转换为DRAM模式；以及一个刷新控制电路，所述电路按照存储在所述模式存储电路中的信息不对已转换为NV模式的所述存储块执行刷新操作。2.一种按权利要求1所提出的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：本诚繁，柳泽一正，井上清，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]