将一批半导体芯片配合到引线框上组成芯片－引线复合件，此复合件设于模塑设备可对合形成模腔的上、下模之间。模腔至少部分地由多孔材料构成以抑制模塑树脂下沉并可通过部分气体以防产生孔隙。当复合件于上下模间而合模时，树脂即注入模腔内；当模腔经多孔...

为了抑制由于电子遮蔽现象而引起的开槽、电荷聚集损伤、副沟和弯弓形，提供一种占空比等于或低于５％和重复频率等于或高于４００ＫＨ↓［ｚ］脉冲电压。因此，在衬底偏置中出现一个用于加速电子的周期，从而使电子遮蔽现象不出现。

在半导体衬底基片上方形成的势阱区域上方，形成有外延层，外延层含有的杂质浓度比势阱区域中含有的杂质浓度低。ＭＯＳ场效应晶体管被安装在外延层上。场绝缘薄膜在深度走向上延伸到与势阱区域接触。ＭＯＳ场效应晶体管具有在外延层内形成的源／漏区域以在...

本发明提出了一种采用多个串联连接的半导体压阻规元件的半导体混成传感器。压阻元件相分隔，从而使具有相同阻值的电阻元件的高电势端和其他电阻元件的衬底保持相同的电势。各个用作电阻元件的半导体区域与衬底之间的电势差相等。

本发明为一种复合半导体装置，包括串联在一起的一个ＭＩＳ场效应管和一个可控硅，这里，或者把ＭＩＳ场效应管的Ｐ基极层和可控硅Ｐ基极层之间的可承受电压设置成低于该ＭＩＳ场效应管的可承受电压，在ＭＩＳ场效应管的ｐ基极层和可控硅ｐ基极层通过－ｐ通...

通过在衬底上形成氧化膜，以８００℃或以上的温度在惰性气氛中热处理氧化膜，接下来是形成晶体管的普通步骤，以此方法制作的半导体器件由于在氧化膜内或在衬底表面中产生的应力的减弱而在电学可靠性方而得到改善。

＊＊＊ 一种具有Ｓｉ－Ｆ键和Ｓｉ－Ｏ键的氟氧化硅薄膜被用于半导体期间的布线绝缘。且利用ＳｉＨ↓［２］Ｘ↓［２］（Ｘ＝Ｈ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＯＣＨ↓［３］，ＯＣ↓［２］Ｈ↓［５］，和ＯＣ↓［３］Ｈ↓［５］）气体作为反应物质形成电介质薄膜。...

本发明通过在芯片的电路形成面或在该面附近，或者在芯片的主要非电路形成面或在其附近延伸引线，从而在该芯片之上或其附近延长内引线的长度来改进树脂封装半导体器件中内引线与封装树脂的粘合力。

一个提供有存储单元可成批擦除的不挥发存储装置，通过程序操作，释放积累在浮栅上的电子电荷，适合执行擦除操作。执行次序为读擦除单位的存储单元，并在这些不挥发存储单元上执行预写操作；用相对大能量，对所说擦除单位的不挥发存储单元高速执行批擦除操...

在一种如二极管和可控硅这类至少包含一个位于一对主表面之间的ｐｎ结、一个在主表面之一的表面上形成的第一主电极和一个在另一主表面上形成的第二主电极的半导体器件中，形成一种半导体晶格缺陷，使得晶格缺陷密度从第一主电极到第二主电极方向逐渐增大。...

本发明的目的是提供一种制作过程简单、成品率高而显示特性好的液晶显示器件。本发明的液晶显示器件包括一块衬底表面带有多条漏极引线、在矩阵阵列中与多条漏极引线交叉的多条栅极引线、位于每一个交点附近的多个薄膜晶体管以及与每一个薄膜晶体管连接的多...

本发明公开了一种动态随机存取存储器或诸如此类，为了防止电容性元件的击穿电压变劣，当采用ＣＶＤ法在构成电容性元件的电容器绝缘膜的钽膜上淀积电极材料和ＴｉＮ膜时，预先在氧化钽膜表面上形成钝化膜，以此避免采用含钛源气体和含氮还原气体通过ＣＶＤ...

一种半导体器件，具有硅基片、电布线用金属、开在形成于硅基片上的绝缘膜上并用于硅基片和电布线用金属连接的多个接触孔、形成于该接触孔内部的硅化钛膜，其特征是，硅化钛膜的膜厚为１０ｎｍ－１２０ｎｍ，最好是２０ｎｍ－８４ｎｍ，通过该硅化钛膜连接...

把弹性体高精度稳定搭载到布线基板，并使半导体芯片的粘接工艺稳定而进行高成品率组装的半导体集成电路器件。这是一种焊球网格阵列形式的半导体封装，由芯片、粘接到芯片上的弹性体、粘接到弹性体上并形成了连接芯片压焊焊盘上的引线的布线的挠性布线基板...

提供了一种半导体器件，包括带有多个用于外部连接的电极的半导体芯片、粘接到除多个电极中至少某些电极之外的半导体芯片的由弹性体树脂组成的弹性体树脂部位、一个在其表面上包括狭带布线图形的狭带树脂层、用于将印刷布线图形粘结到狭带布线图形的多个焊...

一种用来减小晶体管在不激活时引起的漏电流的电路和方法。在第一实施例中，电路选择性地将晶体管的栅极激励到高于源极电压的电压电平。结果，栅－源电压被反转且流过晶体管的漏电源被大大减小。在第二实施例中，电路使晶体管的阱选择性地偏置到高于正常偏...

半导体器件，具有：包括主表面和相对表面的半导体衬底，至少一个部分暴露于衬底侧表面的ｐ－ｎ结，以及具有两个或更多个涂敷于所述半导体衬底侧表面的钝化膜的多层钝化结构，所述半导体衬底表面上提供的第一钝化膜和所述第一钝化膜表面上提供的第二钝化膜...

具有多条Ｉ／Ｏ线的存储器芯、传送电路用模块以及逻辑库并存储在数据库中，用它们进行半导体集成电路装置设计。进而，把具有多条Ｉ／Ｏ线的存储器芯和逻辑电路配置成各Ｉ／Ｏ线为同一方向，在Ｉ／Ｏ线之间配置由多级开关群构成的传送电路。若一级或少数级...

在大直径试样进行微细图形精密加工，提高微细加工时选择比的等离子处理装置及等离子处理方法。在具有真空处理室，试样台，以及等离子生成装置的等离子处理装置中，还有在一对电极之间的５０至２００ＭＨ↓［ｚ］ＶＨＦ电源的高频电源，以及产生１０高斯以...

一种电极结构及其制造方法：（ｉ）制备具有规则相距的外缘接合焊盘的阵列的扁平方形ＩＣ芯片，沿芯片四边中每一边接合焊盘的数量由函数２ｉ（２ｉ－１）等量确定，其中“ｉ”是整数，其还具有铝制外连接焊盘；（ｉｉ）接着通过无电镀技术在芯片上形成镍和...