本发明是对有存储器的电子器件及用树脂注模成型的存储器组件进行数据处理的一种方法．本方法包括将数据存入存储器和擦除已存入存储器内的数据两道工序，数据擦除工序包括Ｘ射线照射处理和热处理．

等离子体处理装置，它通过将加到置于反应容器内的待处理材料上的处理流体转变成等离子体，来促进处理反应。其中提供了光源，以用诸如紫外线或激光束的射线束照射转变成等离子体的处理流体，以产生光致反应。处理流体由微波能量转变成等离子体，并经射线束...

本发明公开一种摄象管靶，它包括一层在透明基片上形成的Ｎ型导电薄膜、一层与该Ｎ型导电薄膜构成整流接触的Ｐ型光电导薄膜和一个电子束射击层；所述Ｐ型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层，其中第一层中砷的平均浓度低于８...

一种半导体装置，它包括交替堆叠且类型不同的第一和第二半导体元件、每个安插于相邻且组成一对的第一和第二半导体元件之间用于冷却该半导体元件和将这些元件彼此作电气连接的多个冷却构件、用于在一个反并联连接件中将至少一只第一半导体元件和至少一只第...

一种高临界温度氧化物超导体，包括具有类钙钛矿晶体结构的Ｋ－［２］ＮｉＦ－［４］晶体结构的氧化物，并由下式表示：（Ｂａ－［Ｘ］Ｓｒ－［ｚ］Ｌａ－［１－ｘ－ｚ］）－［２］Ｃｕ－［１－ｗ］Ａｇ－［ｗ］Ｏ－［４（１－ｙ）］其中０．１＜ｘ＋ｚ＜０...

一个超导器件具有超导体——正常导体——超导体结构。构成超导器件的超导体由包含至少一种选自元素族Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ和Ｒａ的元素；至少一种选自元素族Ｌａ，Ｙ，Ｃｅ，Ｓｃ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｈｏ，Ｙｂ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｌｕ和Ｔｂ，Ｃｕ和...

超导器件包括超导体一正常导体或半导体一超导体结构型，和在两超导体之间夹有一超导弱连接区的结构型。构成超导器件的超导体是由钙钛矿型或Ｋ－［２］ＮＦ－［４］型氧化物组成含有选自元素组Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ和Ｒａ中的至少一种元素；选自元素组Ｌ...

一种具有较高临界温度，含择优取向晶粒或无变晶晶粒的包括ＬｎＲ－［２］Ｃｕ－［３］Ｏｘ相，呈单晶或多晶形式的高温氧化物超导材料，其中Ｌｎ为钇或一种（或多个）稀土金属，Ｒ为至少一个选自钡。钙和锶的元素，Ｘ为６．５到７，通过在有至少一个选自碱...

一种优于常规的熔融方法的氧化物超导体的制备方法。用从Ｌａ－Ｍ－Ｃｕ氧化物系或Ｙ－Ｍ－Ｃｕ氧化物系的多晶中选出的至少一种成分制备原材料，用熔点低于ＣｕＯ的材料作助熔剂溶解上述原材料，由上述饱和助熔剂溶液生长复合氧化物的单晶。用这种方法能得...

计算机所采用的半导体组件，包含有装载半导体器件的绝缘基板、将半导体器件与外部空气隔绝密封的绝缘管帽、向半导体器件供电的电源线、向外部电路传送半导体器件的输出信号的信号线。信号线与绝缘基板垂直布线以防止绝缘基板的介电常数的影响。电源线在绝...

一种基座，包括一个有处连端头的绝缘体基片和一个设置在绝缘体基片上，用以把在基片上安装的电路元件连接到外连端头的布线部分。布线部分含有许多绝缘膜层，一个电极层设置在最高绝缘层上，用于连接电路元件，以及将导体设置在各绝缘层上，为使电极层连到...

一种半导体器件的制造方法，制备一包含多根引线的引线框架，使其内引线部分在芯片的电路形成面上延伸（在内引线部分与电路形成面之间固定有绝缘片），或使内引线部分在芯片主要非电路形成面上延伸，从而延长内引线在芯片之上或其附近的长度来改进树脂封装...

一种半导体器件的制造方法，制备一包含多根引线的引线框架，使其内引线部分在芯片的电路形成面上延伸（在内引线部分与电路形成面之间固定有绝缘片），或使内引线部分在芯片主要非电路形成面上延伸，从而延长内引线在芯片之上或其附近的长度来改进树脂封装...

一种半导体存储器件中有许多按阵列形式排列的存储单元，数据能写入存储单元中，并能顺序地读出。每个存储单元有开关元件，该开关元件的一端与阵列比特线连接，另一端与至少一个铁电电容器连接，其控制端与字线储，当供给一个不足以引起铁电电容器状态变化...

本发明包括：由基板、焊接在基板上的导热电绝缘层和焊接在该层上的若干电子器件组成的电子器件单元；至少一个冷却单元，它在一定压力下与基板保持接触并可拆卸，由冷却块、至少一根散热管和若干散热片组成，散热管内密封有制冷剂，其一端插入冷却块，另一...

本发明的目的在于提供氟酸水溶液或在氟酸＋氟化铵混合水溶液中防止杂质附着的技术。通过向氢氟酸水溶液或氟酸＋氟化铵混合水溶液等的氢氟酸系的腐蚀溶液中添加可以降低杂质和基板ζ电位的物质，特别是以低于临界胶束浓度的浓度添加阴离子表面活性剂，可以...

一种采用对成对ＭＯＳＦＥＴ特性偏差进行补偿的读出放大器的动态ＲＡＭ，位线的寄生电容至少是存储单元的电容的２０倍。每根位线被开关ＭＯＳＦＥＴ分成两部分，需要时可以断开。电路中提供了许多组存储器矩阵，每一组包括一个开关ＭＯＳＦＥＴ，用于互连...

将一个设有按照存入非易失存储元件中的信息，来选择存储器功能的功能选择电路的半导体芯片密封在封装内，而且通过在上述状态或半导体芯片被安装在印刷板的状态下写入非易失存储器元件，最后设置存储器功能。通过根据上述过程来设置半导体存储器类型，从圆...

一种在一个半导体基片上形成的半导体集成电路器件，包括多个动态存储器单元和一个振荡电路，该振荡电路用来对每个所述动态存储器单元进行刷新操作，其中：所述半导体集成电路器件具有一个控制装置，该装置用来在供给所述半导体集成电路的电压发生变化时控...

一种设有升压电路器件的动态随机存取存储器，能响应读指令信号依次读出数据。该升压电路器件具有能用第１电源以第１电压操作并响应控制时钟信号的激励电路，用来以高于第１电压的提升了的第２电压产生第２电源。设有产生单脉冲的单发脉冲发生器，由此产生...