氧化物超导体单晶的制备方法技术

一种优于常规的熔融方法的氧化物超导体的制备方法。用从Ｌａ－Ｍ－Ｃｕ氧化物系或Ｙ－Ｍ－Ｃｕ氧化物系的多晶中选出的至少一种成分制备原材料，用熔点低于ＣｕＯ的材料作助熔剂溶解上述原材料，由上述饱和助熔剂溶液生长复合氧化物的单晶。用这种方法能得到尺寸合适的基本没有晶格紊乱和内应变的单晶和单晶薄膜。（*该技术在2009年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。具体地说，本专利技术涉及一种氧化物。在“Z.Physik。B-Condended Mattes64，189-193(1986)”中讨论过具有钙钛矿晶体结构或具有与钙钛矿结构类似的K2NiF4晶体结构的氧化物超导材料，所述结构即BaxLa5-xCu5O5(3-y)(其中x＝1或0.75，y＞0)。除上述材料之外，在具有钙钛矿晶体结构的氧化物超导材料中，SrTiO3和BaPb1-xBixO3在“物理周报，VOl.163，NO.2.11，380-390(1967)”和“应用物理，22，205-212(1980)”中分别被讨论过。因此，曾期望除了这些材料之外，还会存在具有上述晶体结构且表现出超导性质的氧化物，这些材料被认为是能够够成超导器件的有用材料。但是，具有钙钛矿晶体结构的氧化物超导材料的临界温度Tc在BaxLa5-x-Cu5O5(3-y)(其中x＝0.75，y＞0)的情况下低达35K，而且当温度超过该温度时，材料不呈现超导性。类似地，在“物理周报，26，408-410(1987)”中也讨论了一种具有高超导临界温度的氧化物超导体，即(Sr，La)2CuO4。另外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备氧化物超导体的方法，其特征在于包括：制备原材料，它由从Ｌａ－Ｍ－Ｃｕ氧化物系或Ｙ－Ｍ－Ｃｕ氧化物系（其中Ｍ是Ｓｒ，Ｂａ或Ｃａ）的多晶中选出的至少一种成分组成，该成分是Ｋ↓［２］ＮｉＦ↓［４］晶体结构或类似于钙钛矿晶体结构的复合氧 化物，在该结构中，铜离子位于氧八面体的中心，该成分还可以是具有类似于所述复合氧化物组成成分的化学计量成分比的混合物；制备助熔剂，它包括熔点低于所述复合氧化物的Ｃｕｏ；将所述原材料溶解上述助熔剂中，同时保持溶解温度低于所述复合氧化物的 熔点，并使复合氧化物溶解在所述助熔剂中；在由所述原材料的溶解制得的饱和助熔剂溶液中生长所述复合氧化物的单晶。

【技术特征摘要】
1.一种制备氧化物超导体的方法，其特征在于包括制备原材料，它由从La-M-Cu氧化物系或Y-M-Cu氧化物系(其中M是Sr，Ba或Ca)的多晶中选出的至少一种成分组成，该成分是K2NiF4晶体结构或类似于钙钛矿晶体结构的复合氧化物，在该结构中，铜离子位于氧八面体的中心，该成分还可以是具有类似于所述复合氧化物组成成分的化学计量成分比的混合物；制备助熔剂，它包括熔点低于所述复合氧化物的CuO；将所述原材料溶解上述助熔剂中，同时保持溶解温度低于所述复合氧化物的熔点，并使复合氧化物溶解在所述助熔剂中；在由所述原材料的溶解制得的饱和助熔剂溶液中生长所述复合氧化物的单晶。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述复合氧化物的晶体是通过逐渐冷却所述饱和助熔剂溶液而在饱和助熔...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川晴弘，川边潮，樽谷良倍，深泽德海，会田敏之，高木一正，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]