具有镧镓硅氧化物单晶基片的声表面波器件制造技术

一种声表面波器件包括由镧镓硅氧化物单晶制成的压电基片和至少一个叉指式换能器，其中叉指式换能器包括一对相互交错，并和压电基片接触的梳形电极。压电基片具有约为（０°，１３０°到１７０°，２３°到３０°）的欧拉角，由此声表面波器件具有极好的ＴＣＤ和较大的Ｋ↑［２］值。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种声表面波器件，其特征在于包括： 由镧镓硅氧化物单晶制成的压电基片；及 至少一个叉指式换能器，所述叉指式换能器包括一对安排得相互交错，并和所述压电基片接触的梳形电极，其中所述压电基片具有约为（０°，１３０°到１７０°，２３°到３０°）的欧拉角。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：门田道雄，熊取谷诚人，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]