超导器件制造技术

超导器件包括超导体一正常导体或半导体一超导体结构型，和在两超导体之间夹有一超导弱连接区的结构型。构成超导器件的超导体是由钙钛矿型或Ｋ－［２］ＮＦ－［４］型氧化物组成含有选自元素组Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ和Ｒａ中的至少一种元素；选自元素组Ｌａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｙｂ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｌｕ、和Ｔｂ中的至少一种元素；Ｃｕ；和Ｏ。超导体晶体的Ｇ一轴方向基本与流经该超导体的电流方向垂直。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
超导器件包括：半导体主体或正常导体主体；并且至少两个超导体直接生成在所述半导体或正常导体主体上，它们彼此分隔以便通过所述具有钙钛矿型或钾二镍氟四（Ｋ↓〔２〕ＮＦ↓〔４〕）型结构的半导体或正常导体和超导体构成超导弱连接。其中含有至少一 种是从元素族，钡（Ｂａ）锶（Ｓｒ），钙（Ｃａ），镁（Ｍｇ）和镭（Ｒａ）中选出的元素；至少一种是以元素族镧（Ｌａ），钇（Ｙ），铈（Ｃｅ），钪（Ｓｅ），钐（Ｓｍ），（Ｅｕ），铒（Ｅｒ），钆（Ｔｂ），钬（Ｈｏ），镱（Ｙｂ），钕（Ｎｄ），镨（Ｐｒ），镥（Ｌａ）和（Ｔｂ）中选出的元素；铜（Ｃａ）；和氧（Ｏ）；所述超导体的Ｃ－轴方向基本垂直于流径所述超导体电流的方向。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：西野寿一，川边潮，樽谷良信，小南信也，会田敏之，深泽德海，波田野睦子，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]