提供了用于安装半导体芯片的半导体芯片安装区，通过以相同间隔在半导体芯片安装区的整个周边上配置内引线的末端，可使内引线末端更接近于半导体芯片安装区。沿半导体芯片安装区的整个周边配置内引线的末端，使对应于半导体芯片安装区的角部的内引线的末端...

读出放大器电路，用由２个ＣＭＯＳ反相器构成的锁存器电路，与该锁存器并接的ＮＭＯＳ管对和与它们串接的电流源构成读出电路。用上述ＭＯＳ管对放大输入信号对之间的微小电位差，再用锁存器电路的反相器放大该已被放大了的差信号并得到输出信号。由于用两...

提供可实现高可靠性的焊锡凸起形成方法和装置，以及用这种方法和装置制成的电子部件。在焊锡球的整理排列、助熔剂的供给、在基板上搭载焊锡球的各工序中，由于可一边检查焊锡球的有无，确认工作状态，一边进行下一工序，因此可提高可靠性，预先防止出现次品。

本发明涉及ＢＧＡ型半导体器件，由于电源或接地布线短，减少了电感，可能实现高速化和高集成化的半导体器件。总之，本发明涉及ＢＧＡ型半导体器件，把电源或者接地的布线设置在ＢＧＡ基板中央附近，可能使其实现高速化和高集成化。而且，利用该半导体器件...

适于高密度安装的树脂包封半导体封装件和一种封装结构。外引线从矩形封装件的二个长边伸出。与从一个长边伸出的外引线连接的封装件中的内引线，通过引线连接于封装件中芯片的键合压焊区，而与从另一长边伸出的外引线连接的封装件中的内引线，在封装件中处...

一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，还涉及利用其的存储器件。栅极－沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否...

一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，及利用其的数据处理设备。栅极－沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否...

为防止存储单元ＭＩＳＦＥＴ栅极上导电膜图形化时因过刻蚀而引起外围电路栅极氧化膜的削减，在半导体衬底１主面的存储单元上形成闪速存储器的浮置栅极导电层图形５０ａ之后，在半导体衬底１主面的存储单元和外围电路上形成膜厚（ｂ）比导电层图形５０ａ与...

提供微波的同轴通道（８）在形成部分处理室（１）的介质窗（２）上方垂直安置，以及传输微波的传导板（１０）在介质窗（２）上方，同轴通道（８）外部环形面上放置。在以具有临界电子密度ｎ↓［ｃ］产生的等离子体表面之间可以形成微波传输通道，从而使得...

即使在刻蚀刻蚀部分面积大于光刻胶掩模面积样品的情况下，可靠地获得所需刻蚀形状。通过利用提供有机物质电离的加工气体来刻蚀具有面积为３０％或更小的光刻胶掩模１０５图案的样品。

半导体存储装置，具备有：存储器阵列（ＢＡＮＫ１）；连接于读出放大器（１０４）上的第１全程位线（ＲＧＢＬ）；连接到写入放大器（１０２）上的第２全程位线（ＷＧＢＬ）；和使上述多条位线（ＬＢＬ）选择性地连到上述第１全程位线（ＲＧＢＬ）和第２全...

本发明是这样一种发明：具有极性不同的一对电极，在电极间加上直流电压，把样品静电吸附保持于已设于电极上表面上的电介质膜上边的静电吸盘中，在即将停止供给已加到电极上的直流电压之前，使电介质膜的吸附部分中所积蓄的电荷量实质上相同。这样一来，就...

本发明涉及一种接触结构，不仅适合异质结双极型晶体管或异质绝缘栅场效应晶体管，也适用于普通半导体器件。在多晶或非晶未掺杂Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体或其合金的半导体层中形成一个接触通孔，其尺寸允许至少部分露出第一导电层和在第一导电层围的绝缘Ｓｉ合...

在动态ＲＡＭ中，动态存储单元设置于字线和一对位线的一根的交叉处，对应于电源电压的选择电平信号和对应于低于电路地电位的负电位的非选择电平提供给字线。由读出放大器读到成对位线的存储单元信号被放大，所述读出放大器在电路地电位和通过使电源电压降...

一种半导体组件，包括： 电路板（１），包含导体电路，所述导体电路包含连接焊接区； 半导体芯片（２），在其第１面上设有连接端，该半导体芯片安装在所述电路板上；和 外壳（５），覆盖所述电路板； 其中将所述导体电路的连...

为抑制在ＳＯＩ衬底上形成的薄型ＳＯＩ．ＭＯＳＦＥＴ中的漂移衬底，栅（电极）具有一个双层结构并且其上栅极与ＳＯＩ层（衬底）的侧边接触。

半导体器件，至少包括：一个第一柔性卡板和一个第二柔性卡板，两个板以一定间距面对面放置，做在第一卡板和第二卡板之间的集成电路，电容器或线圈，其中该集成电路、该电容器或该线圈的厚度为１１０微米或更小。

半导体器件，包括： 半导体芯片和基片，利用包含大量导电颗粒的有机粘接剂层使半导体芯片与基片面对面，做在该半导体芯片基片一侧的表面上的由导电薄膜构成的压焊块，基片芯片一侧的表面上的基片电极，它位于对应于所述压焊块的位置上，使所述压焊...

在支撑体表面形成绝缘层，在其上安装正方形芯片。在芯片周围配置多个引线，其引线端固定于绝缘层，并键合到芯片主表面的键合压焊区。将支撑体、芯片、焊丝和内引线部分密封。封装体一般形成为矩形，外引线从四边伸出。将对应于从长边伸出的和位于长边端部...

提供一种干清洗方法，它能清除粘附在半导体制造装置内壁的淀积薄膜，亦即清除微尘产生根源。为达到这目的，该干清洗过程包括以下步骤：清除装置内部组件材料的离子溅射物质及其衍生物，清除装置内部组件材料和刻蚀气体的化学混合物，以及刻蚀化学反应物。...