表面面积小的存储器单元，分别选择每个存储器单元的局部数据线，连接于全局数据线，以时间复用方式执行读出和写入。存储器单元能够置于字线和数据线的所有交点处。借助于建立完全相同的模拟单元的标准阈值电压，获得了改善的噪声裕度。在写入过程中将写入...

一种半导体存储器，它包含其结构含有上电极、下电极、以及用作夹在其中的电容器绝缘膜的高铁电性氧化物薄膜的集成电容器、用等离子体处理方法制作的覆盖所述电容器结构的保护性绝缘膜、以及用作所述电容器绝缘膜的高介电氧化物薄膜表面上的具有更多氧的层。

本发明提供了一种薄的、不昂贵的、高性能的配备有汇流条引线、功率线和信号线的半导体器件。连接于汇流条引线的功率线的一部分向半导体芯片主表面凹下以形成凹下部分，并用粘合层将凹下部分键合到半导体芯片的主表面。信号线以及汇流条引线与半导体芯片主...

一种光电模块，包括每一个都有光入射面和反射面的多个聚光器，和每一个都与一个聚光器接触的光电检测器，设置模块，使得春分或秋分太阳光不是垂直地而是从右侧、上侧斜着入射光入射面，如接在屋顶等弯曲面的情况下，也可全年高效地捕获光和发电。各聚光器...

将氧化物介质用于电容器的半导体器件的制造方法，抑制电容器下电极界面处的氧化。该氧化物介质电容器由下电极层１１、位于下电极层１１上的氧化物介质层１６、和位于氧化物介质层１６上的上电极层１７构成。下电极层１１包括双层导电氧化物层１２。相邻的...

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤： （ａ）在半导体衬底的电路形成表面上形成氧化防止膜； （ｂ）在所述半导体衬底的电路形成表面的预定位置上形成所需要深度的沟槽； （ｃ）氧化形成在所述半导体衬底中的所述沟槽部分； ...

在具有ＳＧＩ构造的半导体元件中，在假定元件形成区域的宽度（有源区宽度）为Ｄ（微米），ＳＧＩ的沟氧化量为Ｔ（微米）和沟的下端部分的曲率半径为Ｒ时，对Ｄ、Ｔ、Ｒ进行选择使得它们满足Ｄ＜０．４↑［（－１００Ｒ＋７）－１］（－２３０Ｔ＋１４．５...

一种氧化物电介质元件制造方法，该氧化物电介质元件由上部电极、氧化物电介质薄膜、下部电极构成，该制造方法的特征在于：在形成气氛中的氧气浓度大于０．１％、小于５％且形成温度为６５０℃以下的条件下形成上述氧化物电介质薄膜。

将比载带（１）的带基（１ａ）薄的半导体芯片（２）置于在带基（１ａ）上形成的器件孔中，并用密封树脂（３）密封该芯片（２），使得芯片（２）的主表面和背表面都被密封树脂（３）密封，芯片（２）在带基（１ａ）上的位置被调整为与整个ＴＣＰ的应力中和...

轻度氧化工艺技术，在采用多晶硅及金属栅结构和双栅结构的ＣＭＯＳ　　ＬＳＩ中，向半导体晶片Ａｌ的主表面提供含氢气及由氧气和氢气合成的蒸汽的混合气体，在难熔金属膜基本上不被氧化，且包含于构成栅极一部分的ｐ型多晶硅膜中的硼不会通过栅氧化膜扩散...

一种半导体集成电路器件，包括： 电连接在外部端子和地电位之间具有晶闸管结构的保护元件，所说保护元件设置在半导体衬底上，及 用作保护元件的二极管，其电连接在所说外部端子和所说地电位之间，以便在负过压加到所说外部端子上时，所说二...

按照压力接触型半导体器件，内部具有微观孔隙的金属体，设置在半导体元件主电极和所述的主电极板之间，或设置在对应于半导体元件主平面的中间电极和主电极板之间。

根据本发明的半导体器件－其中两个半导体芯片利用两个引线框由一个树脂体所封闭－包括沿着阻挡杆的宽度方向延伸的一个宽的部分，一个阻挡杆的宽度比另一个阻挡杆的宽度窄，且两个引线框在用树脂封闭了它们之后在树脂体之外通过焊接而被接合起来。

当在同一芯片上同时配置具有高耐压的元件和具有低耐压的ＭＯＳ晶体管时，可通过控制低耐压场效应晶体管的阈值电压来防止穿通。在低耐压Ｐ－沟道ＭＯＳ晶体管的源／漏区，在半导体层中，在与源区接触部分的最深点和与漏区接触部分的最深点之间的间距为等于...

在半导体衬底上形成使第一井形成区和第二井形成区露出的光致抗蚀剂图形，它被用作掩模，把杂质掺入半导体衬底，由此形成埋置ｎ井，并进一步被用作掩模，把杂质掺入半导体衬底，由此以自对准方式在埋置ｎ井上形成浅ｐ井。接着，去除光致抗蚀剂图形。此后，...

一种制造树脂密封半导体器件的方法，所说半导体器件中管芯垫具有小于安装于管芯垫主表面上的半导体芯片的面积，半导体芯片和管芯垫密封在模制树脂体中。半导体芯片和管芯垫设置于模具的凹腔中，使管芯垫背面和凹腔的相对内表面间的间距比半导体芯片主表面...

提高包括ＳＲＡＭ的半导体集成电路器件的存储器的工作裕度。为了将构成ＳＲＡＭ的存储单元的驱动ＭＩＳＦＥＴ Ｑｄ、转移ＭＩＳＦＥＴ Ｑｔ和用作负载电阻的ＭＩＳＦＥＴ ＱＬ的Ｖｔｈ有意地相对地设定为高于ＳＲＡＭ外围电路和如微处理器等逻辑...

一种半导体器件包括具有形成于其第一主表面上的多个电极的半导体芯片；于其中密封半导体芯片的树脂封装；电连接半导体芯片电极的多个引线，其形成为在树脂封装内部和外部延伸；在与第一主表面相对的半导体芯片第二主表面的一部分处支撑半导体芯片的支撑引...

半导体集成电路器件制造工艺，包含：用第一导电膜、第一绝缘膜和第二绝缘膜相继涂敷半导体衬底并图形化；制作第三绝缘膜和第四绝缘膜；在第四绝缘膜上制作在第一导电膜图形之间具有第一窗口的掩模，并对第一窗口暴露的第四绝缘膜进行腐蚀形成第二窗口；对...

借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电...