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株式会社日立制作所专利技术
株式会社日立制作所共有12616项专利
复合材料及其应用制造技术
本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率,高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料,所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95%或者更...
介电元件的制造方法技术
本发明的目的在于通过采用包含绝缘粒子的铁电层,提供具有高Pr和低Ec并且耐电压性能优良的薄膜化的铁电元件。包含绝缘粒子的铁电层可以有效抑制沿晶界产生的漏泄电流,并由此表面出具有高Pr、低Ec及优良的耐电压。铁电元件的结构为铁电层以薄膜的...
半导体装置的制造方法和半导体装置制造方法及图纸
在衬底上形成衬垫氧化膜和防氧化膜,除去部分防氧化膜和衬垫氧化膜露出衬底,后退衬垫氧化膜,刻蚀衬底露出面,形成规定深度沟槽,后退衬垫氧化膜,氧化沟槽部分,向其内部埋入埋入绝缘膜,除去防氧化膜上的埋入绝缘膜和防氧化膜,除去衬垫氧化膜,在氧化...
半导体集成电路装置制造方法及图纸
实现微细化、提高动作速度并降低绝缘膜缺陷密度的集成电路装置具有:衬底中的阱101;阱中的源极/漏极扩散层;在衬底上通过绝缘膜形成的浮置栅极;和浮置栅极之间存在着绝缘膜而形成的控制栅极;连接上述控制栅极的字线;和上述半导体衬底、浮置栅极、...
半导体器件的制造方法技术
一种网格焊球阵列型半导体封装件,用粘接材料将半导体芯片安装在柔性膜衬底的表面上,在上述衬底的背面将多个突块电极排列成矩阵,并用树脂密封半导体芯片。具体地说,制作一个绝缘层来覆盖制作在衬底表面上的导电体层图形,并用粘接材料将半导体芯片安装...
半导体器件的制造方法技术
一种网格焊球阵列型半导体封装件,用粘接材料将半导体芯片安装在柔性膜衬底的表面上,在上述衬底的背面将多个突块电极排列成矩阵,并用树脂密封半导体芯片。具体地说,制作一个绝缘层来覆盖制作在衬底表面上的导电体层图形,并用粘接材料将半导体芯片安装...
半导体集成电路制造技术
为了提供在保持其高质量的同时,能够满足快速工作和低功耗特性的半导体IC装置,例如微处理器等,本发明的半导体IC装置构成为包括:具有形成于半导体衬底上的各晶体管的主电路(LOG),用于控制将加于衬底上的电压的衬底偏置控制电路(VBC),所...
热管型冷却装置及其制造方法制造方法及图纸
一能有效地将冷却板按其所接收的热量冷却的热管型冷却装置,包括冷却板(3),其一面为热接收面而另一面为热辐射面,以及埋于冷却板(3)中的热管(10)。热辐射面具有多个热辐射叶片片。
半导体器件和存储器模块制造技术
借助于将其背表面彼此层叠,二个各接受2位单元存储器存取的存储器芯片被装配成叠层结构,以便进行4位单元存储器存取。存储器模块被构造成其中二个各接受2位单元存储器存取的存储器芯片借助于将其背表面彼此层叠而被装配成叠层结构以便进行4位单位存储...
碳化硅半导体开关器件制造技术
本半导体开关器件包括具有第一导电类型的六角形对称碳化硅单晶和具有与第一导电类型相反的第二导电类型并位于碳化硅单晶内的半导体区域。在第一导电类型的碳化硅单晶和第二导电类型的半导体区域之间形成pn结。pn结果面包括从碳化硅单晶表面开始沿着深...
半导体器件及其生产工艺制造技术
具有抗回流特性的半导体器件包含:安置在芯片1的主表面1a上,且其中制作暴露电极焊点1b的窗口3c的多孔弹性体3;配备有从主表面1a延伸到外面的引线4c,其一端电连接到电极焊点1b,而另一端电连接到凸块电极2,且其中制作暴露电极焊点1b的...
半导体器件的制造方法和封装装置制造方法及图纸
封装装置,其上固定多个要在检测装置上检测的半导体器件,检测装置包括要与每个半导体器件的电极电连接的探针,封装装置包括多个孔,用于在其中分别可拆卸地容纳半导体器件,而半导体器件之间的相互位置关系和封装装置与每个半导体器件之间的相互位置关系...
铁电电容器与半导体器件制造技术
这里揭示了由上电极、铁电薄膜和下电极构成的铁电电容器和具有铁电电容器的电子器件,特征在于所述铁电薄膜为钙钛矿型的含Pb氧化物,而上电极和下电极含有Pt和Pb的金属间化合物。本发明是为解决下述问题而设计的。在常规非易失性铁电存储器中,在P...
制造半导体器件的方法技术
用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。
半导体器件制造技术
片尺寸半导体封装,包括外围设有多个连接端的芯片;设于芯片主表面上使连接端暴露的弹性体;弹性体上的绝缘带,在连接端处有开口;绝缘带上表面上的多根引线,其一端与连接端连接,另一端设置于弹性体上;引线另一端上的多个突点电极;及密封半导体芯片的...
半导体封装及其倒装芯片接合法制造技术
半导体芯片和有机基板在湿气含量减少的气氛中通过已进行清洁处理的金突点接合在一起。根据本发明,使用直径不大于300μm、高度不小于50μm和高度/直径比不低于1/5的金突点以足够高的强度将半导体芯片和有机基板接合在一起,由此减少了应变。
功率半导体器件制造技术
在具有第一端101(源端)和第二端102(漏端)的半导体器件中,半导体芯片的衬底主面在(110)面上,n型区2和p型区4在垂直于(110)面的{111}面,长条形的n型区2和长条形的p型区4相邻交替排列,形成电压保持区,所说的第二端10...
半导体集成电路器件及其制造方法技术
本发明提供一种能有效地防止由于施加到半导体集成电路器件的卡路里增加产生的线断开的措施。构成半导体集成电路器件以使含有Pd层的金属层提供在具有导电性的连接部件连接的部分中,熔点高于Sn-Pb共晶焊料熔点并含有无Pb作为主要组成金属的合金层...
半导体器件制造技术
提供了一种半导体器件,包括其中央带有多个电极的半导体芯片、粘接到除多个电极中至少某些电极之外的半导体芯片的由弹性体树脂组成的弹性体树脂部位、一个表面上包括狭带布线图形的狭带树脂层、用于将印刷布线图形粘结到狭带布线图形的多个焊料块、用于将...
扁平型半导体装置、其制造方法及使用该装置的变换器制造方法及图纸
在由绝缘性的外筒对在两面上露出的一对共用主电极板之间进行绝缘封装的扁平型封装体中装入了在第一主面上有第一主电极、在第二主面上有第二主电极的至少一个以上的半导体元件的半导体装置中,用树脂部件构成该绝缘性的外筒的至少一部分,或者利用电气绝缘...
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