半导体集成电路器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种能有效地防止由于施加到半导体集成电路器件的卡路里增加产生的线断开的措施。构成半导体集成电路器件以使含有Ｐｄ层的金属层提供在具有导电性的连接部件连接的部分中，熔点高于Ｓｎ－Ｐｂ共晶焊料熔点并含有无Ｐｂ作为主要组成金属的合金层提供在树脂模塑部分之外。此外，具有导电性的连接部分接合的部分中厚度等于或大于１０μｍ的金属层提供在连接部件中。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路器件，特别涉及能有效地防止焊丝断裂的技术。在装配半导体集成电路的常规工艺中，进行了以下步骤。即，在Ag点电镀步骤中，对模具模塑的冲压或腐蚀的引线框架(下文称做内引线)的引线的前端部(包括通过Au线引焊丝键合芯片和引线框架得到的部分)施加Ag点电镀。接下来，在装配封装的步骤中，进行管芯粘结、焊丝键合以及要模塑封装的装配。在此后的外部电镀步骤中(包括浸渍步骤)，为了安装到印刷电路板或电路板上，按照外部电镀，Sn-Pb系列焊料层预先接合到包括没有被模具模塑的引线(下文称做外引线)和衬底之间的接触部分上。完成以上提到的Ag点电镀步骤和外部电镀步骤之后，进行加工产品的步骤。然而，在需要考虑环境问题的近些年中，特别是，针对Pb的日本待审专利公开No.5-270860(USP No.5,633,090)等中指出的，即使在如半导体集成电路器件等的一般电子部件和安装板中，也需要将Pb减少到满足环境问题的水平。通常，为了减少Pb，采用不含Pb作为主要金属的其它焊料(合金)，即无Pb替代焊料(由无Pb金属组成的焊料)代替外部电镀中使用的Sn-Pb焊料的措施。无Pb替代焊料要求具有类似本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路器件，包括：具有导电性的连接部件；在与所述连接部件连接的部分处提供有包括钯层的金属层的被连接部件；模塑所述要连接部分的树脂；以及电连接到所述被连接部件的部件，其在所述树脂外的部分提供有合金层，该合金层的熔点 高于以Ｐｂ作为主要组成金属的焊料的熔点且其主要组成金属中不含Ｐｂ。

【技术特征摘要】
JP 2000-2-18 046724/20001．一种半导体集成电路器件，包括具有导电性的连接部件；在与所述连接部件连接的部分处提供有包括钯层的金属层的被连接部件；模塑所述要连接部分的树脂；以及电连接到所述被连接部件的部件，其在所述树脂外的部分提供有合金层，该合金层的熔点高于以Pb作为主要组成金属的焊料的熔点且其主要组成金属中不含Pb。2．一种半导体集成电路器件，包括具有导电性的连接部件；在与所述连接部件连接的部分处提供有包括钯层的金属层的被连接部件，其在树脂模塑部分外的部分提供有合金层，该合金层的熔点高于以Pb作为主要组成金属的焊料的熔点且其主要组成金属中不含Pb；以及模塑所述被连接部分的树脂。3．一种半导体集成电路器件，包括具有导电性的连接部件；在与所述连接部件连接的部分处提供有包括钯层的金属层的被连接部件，其在树脂模塑部分外的部分提供有熔点高于Sn-Pb共晶焊料的熔点且主要组成金属中不含Pb和Pd的金属层；以及模塑所述被连接部分的树脂。4．一种半导体集成电路器件，包括具有导电性的连接部件；在与所述连接部件连接的部分处提供有包括钯层的金属层的被连接部件，其在树脂模塑部分外的部分提供有熔点高于Sn-Pb共晶焊料的熔点且主要组成金属中不含Pd的无Pb金属层；以及模塑所述被连接部分的树脂。5．一种半导体集成电路器件，包括半导体芯片；连接到所述半导体芯片并具有导电性的连接部件；在与所述连接部件连接的部分处提供有包括钯层的金属层的被连接部件，其在其他部分中提供有熔点高于Sn-Pb共晶焊料的熔点且主要组成金属中不含Pd的无Pb金属层；以及模塑连接到所述连接部分的部分所述半导体芯片、所述连接部件和连接到所述连接部件的部分所述被连接部分的树脂。6．一种半导体集成电路器件，包括半导体芯片；键合到所述半导体芯片的焊丝；在与所述焊丝键合的内引线的一部分上镀敷有包括钯层的金属层的引线，其在外引线被安装部分上镀敷有熔点高于Sn-Pb共晶焊料的熔点且主要组成金属中不含Pd的无Pb替代焊料；模塑键合到所述焊丝的所述半导体芯片的键合部分、所述焊丝和所述引线的包括键合到所述焊丝的部分的内引线的树脂。7．一种半导体集成电路器件，包括半导体芯片；焊丝；模塑所述半导体芯片和所述焊丝的树脂；以及在所述树脂模塑部分的前端提供有包括钯层的金属层的引焊丝，其在所述树脂模塑部分外的部分中提供有熔点高于Sn-Pb共晶焊料的熔点且主要组成金属中不含Pd的无Pb金属层。8．一种半导体集成电路器件，包括半导体芯片；引线，其中内引线的前端镀钯，外引线镀无Pb焊料；键合所述半导体芯片和所述引线的内引线的焊丝；模塑所述半导体芯片、所述引线的内引线部分以及所述焊丝的树脂，其中所述无Pb替代焊料的熔点高于Sn-Pb共晶焊料的熔点，并且所述无Pb替代焊料不是仅由Pd组成。9．一种安装衬底，包括半导体集成电路器件，所述半导体集成电路器件配备有具有导电性的连接部件；在与所述连接部件连接的部分处提供有包括钯层的金属层的被连接部件，其在树脂模塑部分外提供有主要组成金属中不含Pb的合金；以及模塑所述要连接部分的树脂；以及印刷电路板；其中通过熔点高于以Pb作为主要组成金属的焊料熔点的焊料将所述半导体集成电路器件连接到所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫木美典，铃木博通，金田刚，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]