一种制造半导体晶片的方法，包括步骤：在一半导体衬底基片的主表面上形成具有０．３μｍ到３μｍ厚度的外延层。

一种制造半导体集成电路器件的方法，包括步骤：（ａ）用第一杂质掺入半导体衬底；（ｂ）用导电类型与第一杂质的导电类型相反的第二杂质掺入半导体衬底；（ｃ）在掺有第一杂质和第二杂质的所述半导体衬底主平面上方形成外延层；（ｄ）在外延层上方形成封顶...

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，其中两个半导体芯片可背对背地键合，并且支撑引线可连接到某一半导体芯片的正面上。如此构成可使半导体器件变薄。半导体器件的产量可以通过层叠两半导体芯片使一芯片的电极不同于另一芯片的电极而得到改进。

传统的大容量ＤＲＡＭ（动态随机存取存储器）由于存储单元的读信号电压低，其工作可能会不稳定。如果通过给存储单元增加一定的增益来提高信号电压，则存储单元面积将增大。因此，我们希望有一种存储单元工作稳定，面积小，工作性能同ＲＡＭ一样的存储器。...

把第１半导体芯片（２）粘接固定到第２半导体芯片（３）上，使得前者的背面在后者的电路形成面（有源面）上边，而且，把支持引线（６）的内部部分，粘接固定到第２半导体芯片（３）的电路形成面（３Ｘ）上。这种构造可使半导体装置薄型化。

提供一种可以使用层叠型元件作为压电陶瓷振荡元件，并且能够以元件为单位进行不合格元件的更换和对连接不良进行修复的二维阵列探头（元件实装结构），此外，提供一种适于实现这种元件实装结构的压电陶瓷振荡元件（层叠式电子零件）；为此，层叠式电子零件...

半导体装置是由包含在电路形成面（１Ｘ）上具有电极（１Ｃ）的半导体芯片（１），覆盖上述半导体芯片（１）的电路形成面（１Ｘ）的树脂（７），和覆盖与上述半导体芯片（１）的电路形成面（１Ｘ）相对的背面（１Ｙ）的树脂薄膜（２）构成的。通过这样的构...

本发明公开了一种通过在具有高图形密度区和低图形密度区的半导体晶片的主表面上淀积均匀厚度的氮化硅膜来制造半导体集成电路器件的方法。它是这样实现的：用单晶片冷壁热ＣＶＤ反应器在具有高栅极图形密度区和低栅极图形密度区的衬底上淀积氮化硅膜时，设...

本发明的目的是提供一种高性能和高可靠性的半导体器件。用于自对准的氮化硅膜１７，形成此膜以覆盖ＭＩＳＦＥＴ的栅极，以下述方式形成：利用含有单硅烷和氮气的原料气、通过等离子ＣＶＤ、在４００摄氏度或更高的衬底温度下形成。构成钝化膜的氮化硅膜４...

一种制造集成电路的方法，它包含下列步骤：以氮化硅（１４）和侧壁间隔（１６）作为掩模，利用干法腐蚀方法，在衬底（１）的隔离区中制作沟槽（２ａ）；从氮化硅（１４）清除侧壁间隔（１６）；以及借助于对衬底（１）进行热氧化而处理有源区周边的衬底（...

一种电子装置包括：一个在它的一个主表面上有许多电极座的半导体芯片；一块在它的一个主表面上有许多连接部分的接线板；与许多分别布置在半导体芯片的各电极座与连线板的各连接部分之间以提供二者之间电连接的凸起电极，这些凸起电极布置成一个使半导体芯...

一种制造电子器件的方法，所说电子器件包括：第一电子元件，所说第一电子元件是利用夹在布线板的一个主表面的第一区和所说第一电子元件间的粘合树脂，利用热压焊头，通过热压焊，安装在布线板的所说一个主表面上的；及第二电子元件，所说第二电子元件是通...

具有多条Ｉ／Ｏ线的存储器芯、传送电路用模块以及逻辑库并存储在数据库中，用它们进行半导体集成电路装置设计。进而，把具有多条Ｉ／Ｏ线的存储器芯和逻辑电路配置成各Ｉ／Ｏ线为同一方向，在Ｉ／Ｏ线之间配置由多级开关群构成的传送电路。若一级或少数级...

本发明提供了一种半导体集成电路器件的测试设备和制造方法，在晶片级老化测试过程中，通过设置分割的接触器均衡接触到晶片的整个表面、使得可以对各接触器进行维修以及提高接触器的生产率，该方法可以降低制造成本。测试设备中机械加压系统的盒式结构的构...

提供一种借助于打算的高度集成和高速度的实现能够得到高度可靠的半导体器件的制造方法。在诸过程期间，在一个包括一个ＣＭＯＳ静态型电路的希望电路形成在半导体衬底上直到产品装运之后，进行：一种第一操作，把一个预定输入信号供给到电路，并且检索与它...

为了采用Ｓｉ和与起同族的元素Ｇｅ、Ｃ等的组合，提供一种具有低消耗电力下高速的场效应晶体管，利用形变施加层２将形变施加到形成场效应晶体管沟道的沟道形成层１上，使沟道中的载流子迁移率比无形变的沟道形成层材料大。

在同一洁净室内提供有每个遮光图形都由有机膜制成的光掩模制作区和半导体集成电路器件制造区。光掩模的制作和半导体集成电路器件的制造共用制造和检查设备。

提供一种半导体集成电路器件的制造方法，其中包括依据半导体集成电路器件的制造步骤，在曝光处理时，适当采用具有由金属制成的光阻挡图形的光掩模以及具有由抗蚀剂膜制成的光阻挡图形的另一光掩模。根据本发明，可以提高半导体集成电路器件的生产率。

一种多晶硅薄膜晶体管，通过对非晶硅膜多次照射激光，实现由多个晶粒构成，通过抑制邻接晶粒的边界部分中突起的发生，成为至少２个以上的晶粒集合体，在该多晶硅薄膜晶体管的至少一部分中存在（１１１）优先取向的簇结晶；可达到２００ｃｍ＃＋［２］／Ｖ...

该半导体器件组成包括：一个支持半导体芯片（８）的基座（５），一个由树脂密封半导体芯片（８）构成的封装部分（１２），支撑基座（５）的基座悬空引出端（４），多个引线端（２）且具有暴露于封装部分（１２）背部外围处的被连接部分，在基座边的边缘区...