本发明提供一种生产性好、高精度形成半导体集成电路器件的微细图形的方法。选择使用生产率高的光刻和使用原版的生产率比较高，图形分辨率也高的电子束蚀刻，使其对各品种、每个层一面满足必要的要求精度、要求图形分辨率一面获得最大限度生产率。并且使用...

本发明提供了一种多晶硅膜的制造方法，包括步骤：通过光照设置在衬底上的硅膜形成多晶硅膜，和选择衬底样品，所述衬底样品具有５００ｎｍ或更大的面内平均粒径。根据本发明，能够稳定制造高性能的多晶硅ＴＦＴ液晶显示器。

一种磁阻元件，它具有铁磁层／非磁性中间层／铁磁层的多层组成，所述多层组成由所述非磁性中间层隔开且有至少两个铁磁层，而且所述磁阻元件包含可以使多层组成在限定在各铁磁层之间的相对磁化角随外加磁场变化时能感应出磁阻的部件，以及至少一对探测所说...

一种至少利用两抛光工具的分步抛光方法，包括把作为工件带有形成于其表面上的图形的衬底推压到每个所述抛光工具的表面上，使它们发生相对运动，其特征在于，首先使用的抛光工具即第一抛光工具的弹性模量小于随后使用的抛光工具即第二抛光工具的弹性模量。...

在形成纵横线状电路图形时，进行相位配置使得邻接开口图形间的相位反转，抽出同相位图形邻接的Ａ型相位冲突，和逆相位图形邻接的Ｂ型相位冲突，生成解决它们的图形，采用在同一衬底上使具有冲突消除用图形的相位掩模和与之互补地形成设计图形的互补相位掩...

本发明提供一种图像显示设备，其对于运动图像具有特别令人满意的显示质量，并且充分抑制像素中的显示质量的不规则性。该图像显示设备包括：发光驱动装置，其根据输入到像素的模拟显示信号驱动发光装置；以及发光控制开关，用于控制在每个像素中的发光驱动...

本发明涉及液晶显示装置领域，更具体地公开了一种液晶显示装置，其中，在第一基板上具有：形成栅极线、漏极线、开关元件、像素电极的电极形成层；以及在上述电极形成层和上述第一基板之间形成的基准电极层，在上述基准电极层和上述电极形成层之间有绝缘层...

为了在ＬＳＩ制造中实现高选择比和高精度的刻蚀，在对半导体衬底上的薄膜进行干法刻蚀时，借助于使等离子体中激发到亚稳态的惰性气体与碳氟气体相互作用并选择性地获得所需的分解物的方法，精确地控制了反应气体分解物的组分。

提供一种半导体集成电路器件的制作方法和用这种方法制作的半导体集成电路器件，半导体集成电路器件的制作方法包括：在半导体衬底上的第一层互连线上制作层间绝缘膜，在膜中制作互连线沟槽和开接触孔；在沟槽和开孔内制作阻挡膜，使得在接触孔的整个底部，...

本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，包括在一超纯水制备系统中排列里面具有一ＵＦ模块的ＵＦ装置，它通过在它的内部排列许多由聚砜膜或聚酰亚胺膜组成的毛细空心纤维膜，通过热焊接使这多个空心纤维膜在它们的末端粘合起来，并通过这一热焊接，...

制造半导体器件的方法具有包含铜的埋线结构，其中，通过形成布线覆盖的绝缘膜１５ｂ，第二膜埋线Ｌ２的导电阻挡膜１７ａ被保护着，以免被氧化，绝缘膜１５ｂ有一层ＳｉＯＮ膜，采用一种例如三甲基氧硅烷气和氮的氧化气的气体混合物，通过等离子体ＣＶＤ方...

在隔着液晶相对配置的各基片中一方基片的液晶一侧表面上，具有并列设置的多条栅极信号线和与这些各栅极信号线交叉并列设置的多条的漏极信号线，用这些各信号线包围的区域作为象素区域，在这些象素区域上形成由来自栅极信号线的扫描信号动作的薄膜晶体管、...

提供了一种半导体器件，包括：制作在半导体衬底上并具有布线沟槽的第一层间绝缘膜；布线部分，它具有制作在所述布线沟槽侧壁和底部表面上的第一阻挡金属层、制作在所述第一阻挡金属层上用以掩埋所述布线沟槽的第一导体层、以及制作在所述第一导体层表面上...

本发明提供一种方法，能在具有由高介电常数绝缘膜制成的栅极绝缘膜的多种类型的ＭＩＳ晶体管的半导体集成电路器件中，在相同的衬底上形成具有高速性能的电路和高可靠性的电路。方法除去了逻辑区和Ｉ／Ｏ区中ＭＩＳ晶体管扩散区上的高介电常数绝缘膜，在扩...

本发明提供一种适合于高介质膜形成栅绝缘膜的两种类型的栅极工艺。高介质膜，例如，相对介电常数大于氮化硅膜的氧化钛膜（内部电路的栅绝缘膜）淀积在衬底上，氮化硅膜设置在氧化钛膜上。氮化硅膜起氧化防止膜的作用，当在下一步骤中进行热氧化衬底的表面...

在同一衬底上形成具有相互不同厚度栅绝缘膜的ＭＩＳＦＥＴＳ的过程中，在半导体衬底和栅绝缘层之间界面上有害的自然氧化膜的形成被抑制。组成内部电路的ＭＩＳＦＥＴ（Ｑｎ＃－［１］和ＱＰ＃－［１］）的栅绝缘层包含一氮氧化硅膜。组成Ｉ／Ｏ电路的ＭＩ...

半导体器件，包含： 半导体衬底；以及 形成在所述半导体衬底上的晶体管， 其中构成所述晶体管外部电极端的控制电极端和传送输出信号的第一电极端置于所述半导体衬底的主表面上， 其中给出一个或多个控制电极端，并且多个第一...

一种半导体器件，具有： 半导体衬底， 在上述半导体衬底上边具有半导体绝缘层的场区和与上述场区相邻的多个有源区， 在第１有源区内具备构成为根据输入信号输出输出信号的电路的第１场效应晶体管和第２场效应晶体管， 具备：...

一种向在基板上边形成的布线上边镀金属膜的半导体器件的制造方法，其特征在于：采用与吸盘相向地配置上述基板，向上述基板与上述吸盘之间供给镀液，同时使上述基板对上述吸盘进行滑动的办法，在至少在上述基板上边形成的布线上边的一部分上，形成上述金属...

本发明涉及一种光掩模，该光掩模可防止用投影曝光装置进行掩模图形复制时因所用掩模的析像不良所引起的成品率的降低，或防止产生不需要的投影像，且该光掩模在由半透明膜和相移器构成的半透明区域中设有由透明区域构成的主图形，通过各个区域的光的相位差...