一种半导体器件，包括： 一个半导体芯片，具有多个在其主表面上安排的电极； 多个引线，分别与半导体芯片上的多个电极电连接；和 一个树脂密封体，密封半导体芯片和多个引线， 其中多个引线包括第一引线和邻近第一引线的第二...

一种半导体器件，其特征在于包括： 半导体衬底， 具有上述半导体衬底上形成的沟和埋入到上述沟内的埋入绝缘膜的元件隔离区，和与上述元件隔离区相邻接且形成有栅极绝缘膜和栅极绝缘膜上边的栅极电极的有源区域， 上述栅极电极的至少...

一种具有表面的半导体器件，所述半导体器件包括： 半导体区，其中，从靠近半导体区的衬底的一侧层叠有发射极区、基极区和集电极区； 配置在所述表面上的绝缘保护层；和 配置在所述表面上的布线层，绝缘保护层从半导体区的衬底一侧形...

要求作为绝缘层，由低介电常数、低介电损耗正切、且有低吸湿、高耐热性特性的材料构成的半导体元件及封装。把含有带多个苯乙烯基的化合物［化学式１］作为交联成分的树脂用于绝缘材料为特征的半导体元件，式中，Ｒ表示可以有置换基的烃骨架，Ｒ＃＋［１］...

一种半导体器件，包括： 存储器芯片，包括沿对应于地址接线端的第一侧边布置的键合焊盘，以及沿按相对方式面对第一侧边的对应于数据接线端的第二侧边布置的键合焊盘； 封装基片，包括与存储器芯片的第一侧边对应地形成的键合引线，与存储器...

半导体封装件的制造方法，包括以下步骤： （ａ）提供多个半导体芯片和一个布线基板，所述多个半导体芯片的每一个都具有在其主表面上形成的集成电路和键合焊点，所述布线基板具有第一表面、与上述第一表面面对的第二表面和多个导电层，所述布线基板...

将含有作为金属颗粒的Ｃｕ等颗粒和作为焊锡颗粒的Ｓｎ颗粒的焊锡材料压延而形成的箔适用于温度分层焊接中的高温侧的锡焊，用这种锡焊方法获得的半导体器件、电子器件在机械特性等方面具有优良的可靠性。

一种电子装置，具有在内部封入潜热型储热材料的平板状容器、和与该容器热式地连接的半导体元件，并用框体覆盖上述半导体元件与上述容器，其特征在于：在与上述半导体元件连接的容器的面上设置多个朝上述潜热型储热材料方向凹陷的凹部，在该凹部内封入上述...

在半导体集成电路装置的制造工艺中，形成具有相同形态的多个识别元件，与上述多个识别元件的工艺分散性相对应的物理量的相互大小关系被用作这种半导体集成电路的固有的识别信息。

一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包含：　　　　（ａ）沿第１方向延伸的第１布线；　　　　（ｂ）通过连接部分与第１布线相连并沿与第１方向正交的第２方向延伸的第２布线，该第２布线具有从连接部分沿第２方向的相反方向凸出的剩余部分，　　　　...

一种半导体塑封，特别涉及对ＢＧＡ封装的封装结构和方法。一种树脂密封的ＢＧＡ封装，其中支撑架牢固地支撑半导体部件，例如，ＩＣ芯片，电路板或电路膜，用树脂密封，用由上半模和下半模构成的模具，其下半模中有多个凸柱，每个凸柱的位置与每个外引出端...

一种具有高度安装可靠性的混合集成电路器件，它包含是为陶瓷布线基板的模块基板、设置在模块基板主表面上的多个电子元件、设置在模块基板背面上的多个电极端子、以及被固定到模块基板以覆盖模块基板主表面的帽盖。电极端子包括多个沿模块基板边沿对准的电...

本发明涉及ＢＧＡ型半导体器件，由于电源或接地布线短，减少了电感，可能实现高速化和高集成化的半导体器件。总之，本发明涉及ＢＧＡ型半导体器件，把电源或者接地的布线设置在ＢＧＡ基板中央附近，可能使其实现高速化和高集成化。而且，利用该半导体器件...

一种制作在衬底上并由多个用来借助于电荷积累或放电而存储信息的存储器组成的半导体存储器，其中一组二个所述存储器单元垂直排列在所述衬底上，所述多个存储器分别连接于数据线和字线，且当选择多个存储器单元中的至少一个时，地址信号被输入到地址预译码...

本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：（ａ）通过将氧气和氢气引入到湿气合成炉中，利用催化剂由氧气和氢气在第一温度下制备湿气，其中氧气和氢气的成分比用于湿气合成的化学计量成分富含氧；（ｂ）将这样制备的湿气输送到氧化炉...

一种显示装置，包括：　　　　显示板，具有按矩阵方式排列的多个像素，各个像素具有薄膜三极管和像素电极，所述薄膜三极管具有栅极和漏极；　　　　排列在行方向，并与各个行方向像素的所述薄膜三极管的栅极相连接的多个栅极信号线；　　　　排列在列方向...

在形成一种其中在一个多晶硅膜上层叠一个ＷＮ↓［ｘ］膜和一个Ｗ膜的多金属结构的栅电极７Ａ之后，当执行使栅绝缘膜６再生的氧化处理时，在使各栅电极７Ａ的侧壁上的氧化钨２７还原的条件下，使晶片１加热和冷却。结果，使晶片１的表面上淀积的氧化钨２７...

一种无Ｐｂ焊料连接结构和半导体装置，该无Ｐｂ焊料连接结构具有足够高的连接强度，获得即使在随时间的推移的情况下仍保持稳定的界面，保持足够的浸润性和对纤维状结晶的抵抗性。特别是，无Ｐｂ焊料的特征在于：作为代表性的无Ｐｂ焊料的Ｓｎ－Ａｇ－Ｂｉ...

一种半导体器件，具有ｎ沟道型场效应晶体管和ｐ沟道型场效应晶体管，其中该两个晶体管都具有优异的漏电流特性。具有ｎ沟道型场效应晶体管（１０）和ｐ沟道型场效应晶体管（３０）的半导体器件包括用作涂敷ｎ沟道型场效应晶体管（１０）的栅电极（１５）的...

一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：（ａ）利用催化剂在第一温度下用氧气和氢气制备湿气；（ｂ）将所述如此制备的湿气转移至批量处理垂直氧化炉的晶片热处理室中，在所述室内的多个晶片周围形成湿氧化气氛，同时保持所述湿气为气态；并且（...