一种具有天线和与该天线连接的ＲＦＩＤ芯片的ＲＦＩＤ标签，其中，所述天线是用含有银鳞片等导电性填充剂的导电性膏在基体材料上形成的，在本发明中，在使由所述导电性膏形成的所述天线的图形硬化后，使所述ＲＦＩＤ芯片的凸块电极与该天线接触并加热，通...

实现一种成本不上升，可以降低对隔膜上的电阻体的应力传递，并抑制灵敏度、响应性等特性变化的气体流量计测装置。在隔膜（１０）的周围的基板上形成有固定电阻（３、４）和测温电阻体（５）。这些电阻体通过端子（１２～２４）连接于外部。在隔膜（１０）...

一种减少生产步骤数目和进行流水线生产的半导体器件制造方法，该方法通过将芯片部件（２２）和半导体切片（２１）装配到经过检查的多单元基片（２７）中包含的布线板（２）上，其中布线板（２），即在当对多单元基片（２７）进行检查时发现有欠缺的单元上...

本发明提供高速且耗电极少的不挥发性存储器。在不挥发性存储器上，配备了高输出的隧道磁阻效应元件，应用通过自旋转移力矩的写入方式。隧道磁阻效应元件（１）具有层叠了含有Ｃｏ、Ｆｅ和Ｂ的体心立方结构的强磁性膜（３０４）、在（１００）取向的岩盐结...

一种半导体装置及使用该半导体装置的电力变换装置，该半导体装置具有：第１半导体元件群，其在第１电位与第３电位之间至少电连接有一个第１功率半导体元件；第２半导体元件群，其在第２电位与第３电位之间至少电连接有一个第２功率半导体元件；和第３半导...

本申请涉及液晶显示装置及其制造方法。本发明为具有反向交错的沟道蚀刻型薄膜晶体管的液晶显示装置的制造方法提供一种新颖光刻工艺，它使用具有至少两个厚度互不相同的区域的光致抗蚀剂图形，本发明减少了液晶显示装置的整个制造过程所需的光刻工艺数量，...

本发明的目的在于提供一种防止自锁性能优良的横向绝缘栅双极型晶体管。本发明的横向绝缘栅双极型晶体管与半导体基片相互绝缘隔离地横跨相互邻接的多个单晶硅区域形成，形成于上述多个单晶硅区域的各主表面上的条纹状的集电极夹住与该集电极相对配置的条纹...

在形成一种其中在一个多晶硅膜上层叠一个ＷＮ↓［ｘ］膜和一个Ｗ膜的多金属结构的栅电极７Ａ之后，当执行使栅绝缘膜６再生的氧化处理时，在使各栅电极７Ａ的侧壁上的氧化钨２７还原的条件下，使晶片１加热和冷却。结果，使晶片１的表面上淀积的氧化钨２７...

本发明提供一种形成元件的基片的弯曲量较小，且具有可靠性较高的介质隔离结构的半导体器件。本发明的半导体器件，具有形成于硅绝缘体（ＳＯＩ－Ｓｉｌｉｃｏｎ　　ｏｎ　　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基片的主表面上的一个以上的闭合回路图形的沟道，多晶硅膜被...

本发明提供一种通过有效地冷却放射线检测器并提高放射线检测器的防湿及防尘效果，从而能提高时间分辨率及能量分辨率，能提高诊断精度的核医学诊断装置。该核医学诊断装置在收放部件（５）内设置有借助于绝热部件（７）容纳放射线检测器（２１）的第一区域...

本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，到半导体衬底上的晶体管结构的制造为止是相同的工艺，在布线加工中分成多个种类来制造多种产品，其特征在于，包括下列步骤：为了对上述多种产品形成公共结构的图形，使用将金属膜作为曝光不透明膜的第一光掩...

如果随着微细化，要求半导体电路图案尺寸的精度接近于抗蚀剂分子尺寸，则抗蚀剂图案的线边缘粗糙度增大。本发明提供能够抑制由所述情况导致的设备性能劣化或对系统性能造成的不良影响的技术。本发明使用一种图案形成用基材，其特征在于，所述图案形成用基...

本发明涉及一种研磨方法，包括使用研磨液对金属膜进行化学机械研磨的工序，所述研磨液含有不足１％重量的研磨磨粒，具有在所述金属膜的腐蚀区域的ｐＨ和氧化还原电位，所述研磨液含有表面活性剂，其特征在于，所述表面活性剂被机械地从金属膜表面除去，金...

本发明提供一种价格低廉且散热性良好的半导体装置或电子控制装置。具有：在第一主面配置有电子电路的基板（１）；半导体元件（６），其设置在基板（１）的第一主面，并通过连线压焊（２）与电子电路之间电连接；金属芯层（１ａ），其设置在基板（１）的内...

提供一种使用了在大于等于２８０℃的耐热性、小于等于４００℃时的接合性、焊锡的供给性、润湿性、高温保持可靠性以及温度循环可靠性方面优良的高温无铅焊锡材料的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置由以Ｓｎ、Ｓｂ、Ａｇ和Ｃｕ为主要构成元素、具有...

提供可靠性高，能够以低噪声进行高速动作的半导体装置。在同一个面内形成电源布线１００３ａ、接地布线１００３ｂ和电信号布线１００３ｃ，与信号布线至少一部分的两侧相邻地形成电源布线或者接地布线。

提供可靠性高，能够以低噪声进行高速动作的半导体装置。在同一个面内形成电源布线１００３ａ、接地布线１００３ｂ和电信号布线１００３ｃ，与信号布线至少一部分的两侧相邻地形成电源布线或者接地布线。

提供可靠性高，能够以低噪声进行高速动作的半导体装置。在同一个面内形成电源布线１００３ａ、接地布线１００３ｂ和电信号布线１００３ｃ，与信号布线至少一部分的两侧相邻地形成电源布线或者接地布线。

提供可靠性高，能够以低噪声进行高速动作的半导体装置。在同一个面内形成电源布线１００３ａ、接地布线１００３ｂ和电信号布线１００３ｃ，与信号布线至少一部分的两侧相邻地形成电源布线或者接地布线。

在使用纳米压印技术的图形形成中，不能避免模具与转印图形的基板的接触。在接触、推压的工序中，随着树脂膜不稳定地变形，产生位置偏移。另外，在接触、推压工序中，当不能确保与被转印基板间的平行度的场合，在转印后的树脂产生厚度不均，结果产生图形腐...