本发明提供一种半导体集成电路器件，其包括：半导体芯片，具有多个表面电极；多个引线，位于该半导体芯片周围，该多个引线的每一个引线具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，以及在多个引线的每一个引线的第一表面上选择性地形成的镀层，该镀层提供用...

本发明提供一种半导体集成电路器件，其包括：管芯衬垫；半导体芯片，安装在管芯衬垫上方；多个内引线部分，布置在管芯衬垫周围；多个外引线部分，分别与多个内引线部分连续地形成；多个焊丝，将半导体芯片与多个内引线部分电连接；第一金属层，形成在内引...

本发明提供一种半导体集成电路器件，其包括：焊丝，电连接到半导体芯片的表面电极；多个内引线，位于半导体芯片周围；钯层，形成在多个内引线的每一个内引线的焊丝键合部分上方；粘合部分，通过焊丝与内引线的连接而形成；以及树脂，用于模塑半导体芯片、...

本发明提供用于制造具有任意的非球面、表面光滑的微透镜即具有透镜直径小于等于１ｍｍ、厚度大于等于０．５ｍｍ尺寸的非球面透镜的模具的制造方法，在单晶硅衬底上形成两层掩模层，使用第一掩模层进行各向异性腐蚀以及各向同性腐蚀，形成了直径比所希望的...

一种单电子晶体管（１）具有形成在５ｎｍ厚的Ｇａ↓［０．９８］Ｍｎ↓［０．０２］Ａｓ层（４）中的伸长导电沟道（２）和侧栅极（３）。该单电子晶体管（１）可在第一模式下作为晶体管工作，及在第二模式下，作为非易失性存储器工作。

提出了如下的半导体器件，具有：具备多个电极的半导体芯片，通过键合线与所述半导体芯片的多个电极电连接的多个引线，和安装所述半导体芯片的树脂，其特征在于，所述多个引线由刚性彼此不同的两种以上的引线构成。

一种半导体集成电路装置，具备：硅基板、在该硅基板表面形成的元件区域、在该元件区域和上述硅基板之间形成的第一绝缘膜、包围上述元件区域并且到达上述第一绝缘膜的沟槽、在该沟槽的侧壁形成的第二绝缘膜、埋入上述沟槽的多晶硅、和在埋入该沟槽中的多晶...

本发明提供一种具有使沟道传导的载流子的移动度比以前的有机ＴＦＴ大的值的ＴＦＴ制造方法。场效应晶体管的制造方法的特征是，在衬底上设置形成图形的栅电极，在上述衬底上和上述栅电极上设置栅绝缘膜，在上述栅绝缘膜上分开设置源电极和漏电极，在上述源...

采用在被汽车搭载的电力变换器上，并列配置使冷却水流动的水路，在所述水路上分别设置开口，在使功率模块的散热片从开口突出的同时，还用功率模块的底座板堵塞开口的结构。另外，还采用使铜以外的金属混入功率模块的底座板，从而增加所述底座板的硬度，抑...

一种磁性存储装置包括磁隧道结（ＭＴＪ）（３７），通过隔离晶体管（８１）将比特线（３１）连接至感应线（４９）。ＭＴＪ（３７）包括具有难磁化轴的铁磁层。辅助电流线（３３）位于比特线（３１）之上并与比特线（３１）隔离。ＭＴＪ（３７）可在第一相...

在由涂布制作廉价有机晶体管时，存在廉价的电极材料与半导体的接触电阻大而接触电阻小的电极材料则昂贵的问题。为了解决该问题，本发明提供材料费和制造成本低廉且与半导体的接触电阻小的高性能有机晶体管及其制造方法。制作电极本体由廉价的第一金属构成...

在模块温度为１７５℃～２５０℃的高温的情况下，存在陶瓷配线衬底和设备的接合部或设备上部电极和电连接导体的接合部的温度循环或功率循环可靠性降低的问题。此外在压紧冷却构造体进行安装的构造中，如果为确保冷却性能而提高按压力，则存在设备因应力而...

本发明提供一种半导体器件，在利用自旋注入磁化反转的存储器 中，实现高速动作时的低电流重写动作，抑制每个存储器单元的离差， 并抑制读出干扰。在进行重写前，提供弱脉冲，使自旋状态不稳定， 降低重写电流。利用重写电流在脉冲宽度中非线性地增大的...

本发明提供一种半导体器件，在使用了自旋注入磁化反转技术的ＭＲＡＭ中，用小型的存储单元实现充分的改写动作，并且抑制读出干扰的同时使读出电流变大。在隧道磁阻元件的自由层位于位线侧的情况下使用ＰＭＯＳ晶体管，在隧道磁阻元件的固定层位于位线侧的...

为了扩大电子标签芯片的通信距离，需要降低电子标签芯片的耗电。在ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　　ｏｎ　　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ：硅绝缘体）上形成电容和二极管，除去ＳＯＩ的硅衬底。可降低电子标签芯片的电容和二极管与接地端的寄生电容，从而可降低电子标签...

具有层叠结构的半导体器件，能够实现外形尺寸和厚度的减小。还能够实现高性能和高可靠性。本发明的半导体器件使用一种封装基片，其上形成有键合引线、以及与键合引线连接的地址接线端和数据接线端，该键合引线分别对应于用于地址和数据的键合焊盘而形成，...

由于使用印刷法产生位置偏移，所以无法形成介于绝缘膜使下部电极和上部电极良好对位的电极衬底。如果使用光掩模进行对位，则大幅度提高成本。在本发明中，由于自匹配地进行下部电极和上部电极的对位，所以，即使使用印刷法也不发生位置偏移。因此，能使用...

一种磁阻装置（１）包括由硅形成的细长沟道。包含硅化钛的导体（６）是沿着沟道与沟道相连接，并且引线（８↓［１］、８↓［２］、８↓［３］、８↓［４］、８↓［５］、８↓［６］）在相反的边相连接并沿着隔离开。

本发明的目的在于提供接合层的剪切强度、放热性优异，可片材成型的接合材料。本发明涉及使用了各向异性微粒的接合材料，其特征在于，含有表面被有机物或氧化物被覆的长径比大于２且长轴为１００μｍ以下的金属纤维和表面被有机物或氧化物被覆的长径比为１...

提供一种半导体集成电路器件的制作方法和用这种方法制作的半导体集成电路器件，半导体集成电路器件的制作方法包括：在半导体衬底上的第一层互连线上制作层间绝缘膜，在膜中制作互连线沟槽和开接触孔；在沟槽和开孔内制作阻挡膜，使得在接触孔的整个底部，...