本发明的目的是提供在有机ＴＦＴ中，对电子注入效率和空穴注入效率得以改善的电极和有机半导体组合分别进行判别的方法，实现ｎ型沟道ＦＥＴ和ｐ型沟道ＦＥＴ两种ＦＥＴ，进而提供互补型ＴＦＴ（ＣＴＦＴ）晶体管。为此，推导出通常从电极和有机半导体构成...

一种具有高度安装可靠性的混合集成电路器件，它包含是为陶瓷布线基板的模块基板、设置在模块基板主表面上的多个电子元件、设置在模块基板背面上的多个电极端子、以及被固定到模块基板以覆盖模块基板主表面的帽盖。电极端子包括多个沿模块基板边沿对准的电...

本发明是一种压印方法，其特征在于，包括：在调整所述压模和所述被转印体的相对位置时，至少检测２点以上所述被转印体的端部位置，根据检测的端部位置计算任意点的步骤；根据所述压模的端部或形成在压模上的对准标记检测压模的位置的步骤；根据所述任意点...

本发明提供一种抑制界面反应、具有２００℃或２００℃以上的耐热性的半导体装置，作为该装置中的２００℃耐热性的连接方法，是通过组合室温到２００℃范围内含有Ｃｕ６Ｓｎ５相的Ｓｎ类钎料与Ｎｉ类镀敷来实现的。

本发明提供能够抑制作用于插在半导体元件和两电极端子之间的接合构件的最大温度和温度变化幅度，提高相对于温度变化的热疲劳寿命的半导体装置。本发明的半导体装置构成为，在半导体芯片和引线电极体之间设置接合构件，将半导体芯片与引线电极体接合，在半...

本发明提供一种形成多个具有栅极绝缘膜的晶体管的半导体装置，充分抑制通过栅极绝缘膜流过的泄漏电流。该半导体装置，其特征在于：形成具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管，上述栅极绝缘膜以...

一种功率半导体器件，当在第一端和第二端之间加电压时，通过形成延伸穿过一部分半导体芯片的空间电荷区，在所说的第一端和第二端之间阻止电流流动：半导体芯片的衬底主面位于（１１０）面上，一对相对的侧边缘位于垂直于（１１０）面的｛１１１｝面上；形...

一种半导体器件，其特征在于具有：半导体衬底；含形成在所述衬底中的沟槽和埋入在沟槽内的绝缘膜的元件隔离区；形成在所述衬底中的有源区，该有源区包括其上形成有栅绝缘膜的阱区，该栅绝缘膜上形成有栅电极，阱区包括与栅电极相对应地设置的源和漏扩散区...

本发明提供一种电子装置，在其焊料连接部，通过组合在从室温至２００℃下含有Ｃｕ６Ｓｎ５相的Ｓｎ系焊料与Ｎｉ系层，能够抑制界面反应，得到电及机械上的可靠性。

提供一种低成本地降低在使有机半导体进行ｐ型动作时产生的电极与有机半导体的接触电阻的方法，和低成本地使原本易于作为ｐ型动作的有机半导体进行ｎ型动作的方法。而且，提供能使用这些方法低成本地制造的ｐ型沟道ＦＥＴ、ｎ型沟道ＦＥＴ、以及互补型ＭＯ...

本发明提供一种具有多个存储单元的半导体集成电路器件，每个所述存储单元具有包括一对驱动ＭＩＳＦＥＴ和一对负载ＭＩＳＦＥＴ的一对反相器和一对传输ＭＩＳＦＥＴ，所述一对驱动ＭＩＳＦＥＴ的栅极和漏极分别彼此交叉连接，所述半导体集成电路器件包括：...

本发明提供一种液晶显示装置，其中，实现改善发光效率的发光二极管元件，以及使用它的照明装置。照明装置采用如下结构：在安装多个发光二极管元件而构成的照明装置中，上述发光二极管元件具有：衬底、具有在上述衬底上进行结晶生长的发光层和包层的发光区...

本发明提供一种接合材料及其的制造方法以及半导体装置，在Ａｌ系合金层（１０２）的最表面设置了Ｚｎ系合金层（１０１）。该接合材料的上述Ａｌ系合金层（１０２）的Ａｌ含有率为９９～１００ｗｔ．％或上述Ｚｎ系合金层１０１的Ｚｎ含有率为９０～１００...

提供一种半导体器件，可防止元件整体的机械强度下降，减少沿布线传播的信号的延迟。构成各布线层（１００）的第一绝缘层和第三绝缘层包含碳化氮化硅膜、碳化硅和／或氧化硅，下层布线层的第二绝缘层包含氧化硅，上层布线层的第二绝缘层包含添加氟的氧化硅...

本发明提供一种图像显示装置，包括由多个像素构成的显示部和进行显示部的控制的外围集成电路，在对冲击和弯曲的耐久性高的支承基板上设置显示装置，由有机半导体薄膜晶体管构成像素电路，由低温多晶硅薄膜晶体管构成外围集成电路，除去制造该外围集成电路...

提供一种薄膜晶体管以及使用该薄膜晶体管的有机ＥＬ显示装置。在薄膜晶体管中使用了含有Ｓｉ、Ｇｅ的半导体层（４），该半导体层（４）的Ｇｅ浓度在绝缘基板（１）侧高，半导体层（４）的结晶取向在离绝缘基板（１）侧２０ｎｍ的区域为随机取向，而在半导...

一种半导体器件，其特征在于，包括具有双重栅极和ＳＯＩ层完全耗尽的ＳＯＩ结构的ＭＯＳ晶体管，所述双重栅极包括第１栅极和作为存在于埋入氧化膜之下的阱层的第２栅极，以不同的电压振幅驱动该第１栅极和该第２栅极。

在一侧的散热板侧实施逆变电路的上下臂串联电路中的大部分形成作业，来实现生产性及可信赖性的提高。一种内置有逆变电路的上下臂的串联电路的双面冷却的半导体模块（５００），具有带片的第一及第二散热板（５２２、５６２），在与上述第一及第二散热板相...

本发明提供一种电路装置，其能降低现有的转换电路中的噪声，并且降低电路的导通损耗。本发明的代表性的实施方式是，一种电路装置至少具有一个以上的开关元件和与其并联连接的续流二极管，续流二极管是以具有比硅大的带隙的半导体材料为母材的肖特基势垒二...

一种半导体装置，具有连接设在半导体元件上的小于等于５０微米间距的微细间距电极、和设在搭载所述半导体元件的基板上的焊盘或布线的连接结构，该半导体装置的特征在于，　　　　所述连接结构具有如下的结构：一方与所述微细间距电极连接，另一方经由纵弹...