具有续流二极管的电路装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电路装置，其能降低现有的转换电路中的噪声，并且降低电路的导通损耗。本发明专利技术的代表性的实施方式是，一种电路装置至少具有一个以上的开关元件和与其并联连接的续流二极管，续流二极管是以具有比硅大的带隙的半导体材料为母材的肖特基势垒二极管、和硅ＰｉＮ二极管并联连接而构成的，并且这些肖特基势垒二极管和硅ＰｉＮ二极管由不同的芯片构成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及至少具有 一 个开关元件和与其并联连接的续流二极 管的电路装置。本专利技术特别适用于安装整流元件的功率半导体模块。
技术介绍
半导体功率模块作为构成逆换流器(Inverter )的元件被使用于广 泛的领域。特别是，使用Si — IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor: 绝缘栅双极型晶体管)作为开关元件、使用Si-PiN二极管(以下称 为PND)作为续流二极管的功率模块具有高耐压、低损耗的优点，被 使用于铁路、家电等广泛的领域。近年来，节能的重要性不断增强， 对功率模块要求更低的损耗。功率模块的损耗由功率器件的性能决 定，但相对于Si-IGBT的性能逐年提高，Si-PND处于无重大突破 的现状。在现状的二极管中，当IGBT导通时排出蓄积在二极管的载 流子的恢复电流成为问题，除了使开关损耗增大之外还成为产生噪声 的原因。因此，强烈要求恢复电流较少的二极管。但是，Si-PND的 特性已经达到大致由Si的材料物性决定的区域，所以处于难以大幅 度降低恢复电流的状况。目前，作为用于抑制恢复电流的技术，开发 有在PND的阳极侧的表面上设置具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路装置，其特征在于：至少具有一个以上的开关元件和与其并联连接的续流二极管，　上述续流二极管是将以具有比硅大的带隙的半导体材料为母材的肖特基势垒二极管和硅ＰｉＮ二极管并联连接而构成的，并且，上述肖特基势垒二极管和硅ＰｉＮ二极管由不同的芯片构成。

【技术特征摘要】
JP 2007-4-20 2007-1116051.一种电路装置，其特征在于至少具有一个以上的开关元件和与其并联连接的续流二极管，上述续流二极管是将以具有比硅大的带隙的半导体材料为母材的肖特基势垒二极管和硅PiN二极管并联连接而构成的，并且，上述肖特基势垒二极管和硅PiN二极管由不同的芯片构成。2. —种电路装置，其特征在于至少具有 一个以上的开关元件和与其并联连接的续流二极管， 上述续流二极管由PiN 二极管和串联连接的两个以上的肖特基 势垒二极管构成，上述肖特基势垒二极管以具有比硅大的带隙的半导体材料为母材，上述PiN 二极管以带隙比硅大的半导体材料为母材，并且， 上述肖特基势垒二极管和上述PiN 二极管分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水悠佳，石川胜美，长洲正浩，津川大，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]