【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，尤其 涉及晶体管集成电路基板和应用该基板的有源矩阵图像显示装置， 且尤其涉及薄型轻质性、耐沖击性、挠性优异、可降低制造成本的 薄膜晶体管基板、图像显示装置及其制造方法。
技术介绍
作为第一现有技术，有使用了有机半导体的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下称为TFT)和应用了该薄膜晶体管的有源矩阵 型图像显示装置，例如被日本特开2004 - 134694号公报、美国专利 第6905906号公报所公开。在这些公知例中，在TFT的制造中使用 了涂敷印刷技术，能够在具有挠性的塑料基板那样的基板上低温、 低成本地制造TFT。另外，作为第二现有技术，有使用了低温多晶Si-TFT的有源 矩阵型图像显示装置，例如在日本特开昭64 - 2088号公报、日本特 开平11 - 85065号公报、日本特开2000- 243970号公报等中被详细 记载。在这些公知例中，多晶Si-TFT的性能强，因此在图像显示 装置那样的大面积上也能集成高性能晶体管电路，能够利用多晶Si -TFT电路将显示部分和外围集成电路的任意一者内置在同一基板 上。专利文献1:日...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管装置，包括具有多个电路块的矩阵阵列部和配置在上述矩阵阵列部周边的由多个电路块构成的外围集成电路部，其特征在于：上述矩阵阵列部的电路元件使用有机半导体薄膜晶体管元件而构成，上述外围集成电路元件使用硅晶体管元件或多晶硅薄膜 晶体管元件中的至少一者而构成，上述电路元件和上述硅晶体管元件或多晶硅薄膜晶体管元件中的至少一者设置在同一基板上，上述有机半导体薄膜晶体管元件的电极和上述硅晶体管元件或多晶硅薄膜晶体管元件中的至少一者的电极之间通过设于基板上的 布线层连接。
【技术特征摘要】
JP 2006-12-11 2006-3327631.一种薄膜晶体管装置，包括具有多个电路块的矩阵阵列部和配置在上述矩阵阵列部周边的由多个电路块构成的外围集成电路部，其特征在于上述矩阵阵列部的电路元件使用有机半导体薄膜晶体管元件而构成，上述外围集成电路元件使用硅晶体管元件或多晶硅薄膜晶体管元件中的至少一者而构成，上述电路元件和上述硅晶体管元件或多晶硅薄膜晶体管元件中的至少一者设置在同一基板上，上述有机半导体薄膜晶体管元件的电极和上述硅晶体管元件或多晶硅薄膜晶体管元件中的至少一者的电极之间通过设于基板上的布线层连接。2. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管装置，其特征在于 上述矩阵阵列部和上述外围集成电路部之间有台阶，为了减轻横跨该台阶而布线的上述布线层的上述台阶处的影响而设置有用于使 台阶处的高度差緩和的锥形部，并在该锥形部上设有上述布线层的 一部分。3. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管装置，其特征在于 上述硅晶体管是除去了薄膜SOI基板的支承硅基板后的单晶硅薄膜晶体管。4. 一种图像显示装置，包括具有多个像素的显示部和配置在上 述显示部周边的由多个电路块构成的外围集成电路部，其特征在于上述显示部的像素电路元件使用有机半导体薄膜晶体管元件而 构成，上述外围集成电路部使用硅晶体管元件或多晶硅薄膜晶体管元 件中的至少一者而构成，上述电路元件和上述硅晶体管元件或多晶硅薄膜晶体管元件中 的至少一者设置在同一基板上， 上述有机半导体薄膜晶体管元件的电极和上述硅晶体管元件或 多晶硅薄膜晶体管元件中的至少 一 者的电极之间通过设于基板上的 布线层连接。5. 根据权利要求4所述的图像显示装置，其特征在于上述硅晶体管是除去了薄膜SOI基板的支承硅基板后的单晶硅 薄膜晶体管。6. —种薄膜晶体管装置的制造方法， 上...
【专利技术属性】
技术研发人员：芝健夫，安藤正彦，川崎昌宏，藤森正成，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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