增大开口率的ＬＣＤ制造技术

本发明专利技术公开了一种具有增大的开口率的液晶显示器（ＬＣＤ），该液晶显示器包括绝缘衬底、半导体、栅绝缘层、栅极线、层间绝缘层、数据线、漏电极、钝化层和像素电极。半导体形成在绝缘衬底上并且包括源区、漏区和沟道区。栅极线形成在半导体上的栅绝缘层上，并且与沟道区重叠。数据线形成在层间绝缘层上，并且具有电连接到源区的源电极和电连接到漏区的漏电极。钝化层形成在数据线和漏电极上。像素电极形成在钝化层上，并且电连接到漏电极。数据线与漏区重叠。

【技术实现步骤摘要】

概而言之，本专利技术涉及一种显示面板，特别涉及一种具有增大的开口 率(aperture ratios)的液晶显示器(LCD)的显示面板。
技术介绍
LCD构成广泛应用的多种类型的平板显示器(FPDs)中的一种，并且 典型地包括两个显示面板，所述显示面板上分别形成场产生电极(field generating electrode)(例如像素电极和公共电极)，在两个显示面板之间设 置液晶材料层。电压施加到场产生电极以在液晶层中产生电场，该电场确 定其间的液晶层的分子的方向，由此控制通过面板的光的偏振(polarization),以便显示图像。在多种可以见到的LCD之中， 一种有利的类型被称为垂直取向(vertical alignment, VA)模式LCD,因为当没有对电极施加电场时，液晶 分子的纵向轴的取向与上、下显示面板垂直。因为该显示器的对比度(contrast ratio)较大，并且能够使得具有较大基准视角(reference viewing angle)的LCD的制造变得简单，因此近来这种VA模式LCD受到更多的 关注。VA模式的LCD与其它类型的LCD都具有共同的缺点，即，相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器，包括：绝缘衬底；形成在绝缘衬底上的半导体，该半导体包括源区、漏区和沟道区；形成在半导体上的栅绝缘层；形成在栅绝缘层上并且与沟道区重叠的栅极线；形成在栅极线上的层间绝缘层；形成在层间绝缘层上的数据线，该数据线具有电连接到源区的源电极；电连接到漏区的漏电极；形成在数据线和漏电极上的钝化层；和形成在钝化层上并且电连接到漏电极的像素电极，并且其中，所述数据线与所述漏区重叠。

【技术特征摘要】
KR 2006-11-24 10-2006-01168531.一种液晶显示器，包括绝缘衬底；形成在绝缘衬底上的半导体，该半导体包括源区、漏区和沟道区；形成在半导体上的栅绝缘层；形成在栅绝缘层上并且与沟道区重叠的栅极线；形成在栅极线上的层间绝缘层；形成在层间绝缘层上的数据线，该数据线具有电连接到源区的源电极；电连接到漏区的漏电极；形成在数据线和漏电极上的钝化层；和形成在钝化层上并且电连接到漏电极的像素电极，并且其中，所述数据线与所述漏区重叠。2. 如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述源电极与所述源区重叠。3. 如权利要求1所述的液晶显示器，其中， 所述栅极线包括从该栅极线凸出的栅电极，和所述沟道区包括与所述栅极线重叠的第一沟道区和与所述栅电极重叠 的第二沟道区。4. 如权利要求3所述的液晶显示器，其中，所述半导体包括一个或多 个弯曲。5. 如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述半导体包括多晶硅。6. 如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述像素电极包括多个子 电极，每个子电极为具有圆角的四边形形状。7. 如权利要求6所述的液晶显示器，其中 在所述衬底上...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴泰炯，朴俊河，李素贤，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]