提供一种半导体存储装置，能实现高速工作，或能实现高集成化且高速工作。将晶体管（ＭＴ１、ＭＴ２）配置在连接存储信息的电容器（ＣＡＰ）的扩散层区（ＤＩＦＦ（ＳＮ））的两侧，将各个晶体管（ＭＴ１、ＭＴ２）的另一扩散层区（ＤＩＦＦ）连接在同一条...

本发明提供一种带风扇的散热器，可以防止由于灰尘进入带风扇的散热器的散热片的冷却风进口而产生的孔眼堵塞，可以长期保持作为带风扇的散热器的期待的冷却效果。在带风扇的散热器中具有散热器本体（１０１）、安装在散热器本体（１０１）上的多个散热片（...

抑制半导体器件尺寸的增大和降低噪声。一种半导体器件包含：基片（５），在由印刷电路板制成的基片芯层（７）两侧分别提供有表层（９，１１）；半导体元件（１）装在基片（５）上。半导体元件（１）用连接件（３）与表层之一（９）连接，在另一个表层（１...

本发明的目的是提供一种高性能和高可靠性的半导体器件。用于自对准的氮化硅膜１７，形成此膜以覆盖ＭＩＳＦＥＴ的栅极，以下述方式形成：利用含有单硅烷和氮气的原料气、通过等离子ＣＶＤ、在４００摄氏度或更高的衬底温度下形成。构成钝化膜的氮化硅膜４...

提供在高温环境下也能保持长期信赖度的功率半导体器件。作为连接半导体元件１０１的电极和成为布线基板的陶瓷绝缘基板１０３的导体层１０２ａ的导体条片２０１，采用碳和铝的复合材料或者碳和铜的复合材料，通过这样来减小导体条片２０１的热膨胀系数和陶...

本发明提供了一种半导体器件，包括：具有形成在其主表面上的多个半导体元件和多个外部端子的半导体芯片；形成在半导体芯片主表面上、暴露出所述多个外部端子的弹性层；形成在弹性层上的绝缘带，该绝缘带具有由绝缘带的一边限定的、露出所述多个外部端子的...

通过使ＭＲＡＭ的ＴＭＲ比改善，提供一种高速、高可靠性的ＭＲＡＭ。该方法的特征在于，ＭＲＡＭ的ＴＭＲ元件的铁磁性层变为拉伸应变状态，磁化增大。

本发明公开一种电子电路装置，其具有：安装有电子器件的印刷电路基板、由用以包覆所述电子器件而配置的树脂形成的树脂密封体、具有连接用金属端子且露出到所述树脂密封体之外的凸型连接器、缠绕于所述树脂密封体外周的密封材料。这样，可以实现小型化和低...

本发明的目的在于提供与占空驱动对应的电场发射电子源和其每个元件的尺寸为５０纳米以下的电极器件和电极器件的制造方法。本发明的电极器件和电极器件的制造方法的特征在于：通过在基板上对成为碳纳米管生成的催化剂的玻璃进行成膜，可进行纳米级的金属催...

由于大量流通，并且回收成本庞大，因此在用完即扔的无线ＩＣ芯片中，制造单价的削减作为问题而存在。为了削减制造单价，在为了削减制造单价而单纯地将天线嵌入芯片中的无线ＩＣ芯片中，从利用的应用情况、读取的器械的读取精度来看，扩大以往已知的无线Ｉ...

一种减少生产步骤数目和进行流水线生产的半导体器件制造方法，该方法通过将芯片部件（２２）和半导体切片（２１）装配到经过检查的多单元基片（２７）中包含的布线板（２）上，其中布线板（２），即在当对多单元基片（２７）进行检查时发现有欠缺的单元上...

提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法，通过均匀地形成纳米点，提供高可靠性的纳米点存储器。另外，通过在隧道绝缘膜上采用硅氧化膜替代材料，提供高速、高可靠性的纳米点存储器。其特征在于，在硅或者锗基板，最好是硅或者锗的（１１１）基板上，...

根据本发明的电子装置具备由夹在各自形成的连接部分之间的连接层连接且热膨胀率不同的一对构件，上述连接层是通过使由彼此不同的材料在上述连接部分分别形成的金属层仅在其接触界面的附近熔融的该金属层间的扩散反应形成的。上述金属层的至少一个是通过电...

本发明提供了一种大电流容量的半导体功率组件，其提高了相对于半导体芯片热循环的可靠性，并且通过无Ｐｂ焊锡化以及使结构更简易而使经济生优异。绝缘基板（２）夹着绝缘层（２１），在其一面上形成金属布线图案（２２），在另一面上形成金属导体（２３）...

提供一种降低相对于来自发热元件的热的热阻、冷却能力优异的冷却套。本发明的冷却套将装载在电子仪器中的发热元件（３００）的发热传递到在内部流动的液体致冷剂进行冷却，具有基础部（１１０）和罩部（１２０），该基础部（１１０）具有与发热元件的表面...

本发明提供一种半导体光源器件，它可以有效地冷却由短脉冲驱动的ＬＥＤ元件，而不增加其零件数，且能廉价地制造。本发明的半导体光源器件是在热扩散板（２０１）上具有多个发光二极管芯片（２０２）的光源器件，通过热电冷却元件即帕尔帖元件（２０８）冷...

一种使用能量分辨率高的半导体检测元件而能以短时间高精度地对由试料放出的极微量α射线进行能量分析的α射线测定装置，由含有多个半导体检测元件的α射线检测器、使各自的半导体检测元件的输出信号相加的加法器、对各自的半导体检测元件的输出信号进行逆...

一种导电控制器件，包含具有较高矫顽磁力的第一铁磁性区域、具有较低矫顽磁力的第二铁磁性区域以及置于第一和第二铁磁性区域之间的结区域。该器件还包含栅极，用于向结区域施加电场以控制结区域内的电荷载流子浓度。

一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：绝缘基体；形成在上述基体上的半导体层，包括沟道区、源区和漏区；形成在上述沟道区、源区和漏区上的绝缘膜；和形成在上述绝缘膜上的栅电极，其中，在上述沟道区和上述源区之间、或者在上述沟道区和上述漏区之...

本发明的目的是减小在半导体基板侧面露出ｐｎ结的半导体装置的泄漏电流，提高耐压。本发明的半导体装置，装备具有结晶面是（１１１）面的两个主表面和多个侧面的半导体基板，侧面具有与面方位（１，－２，１）面等价的６面，具有从一方的主表面高杂质浓度...