半导体集成电路器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体集成电路器件的制造方法，到半导体衬底上的晶体管结构的制造为止是相同的工艺，在布线加工中分成多个种类来制造多种产品，其特征在于，包括下列步骤：为了对上述多种产品形成公共结构的图形，使用将金属膜作为曝光不透明膜的第一光掩膜，在形成于上述半导体衬底上的第一感光膜上进行曝光的步骤；为了在上述多种产品上形成按每个种类而不同的图形，使用将有机感光树脂膜作为曝光不透明膜的孔或布线图形用的第二光掩膜，在形成在上述半导体衬底上的第二感光膜上进行曝光的步骤。由此，改善了半导体集成电路器件的生产率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更确切地说是涉及能够有效地用于光刻的一种技术，其中，在半导体集成电路器件的制造工艺中，利用光掩模(以下称为掩模)将预定的图形印制到半导体晶片(以下称为晶片)上。
技术介绍
在半导体集成电路器件(LSI，即大规模集成电路)的制造工艺中，光刻技术被用作在晶片上形成精细图形的一种方法。作为光刻技术的所谓光学投影曝光方法已经成为主流，其中利用缩小的投影光学系统将形成在各个掩模上的图形重复地印制到晶片上。在日本专利公开No.2000-91192中，公开了曝光装置的基本构造。在这种投影曝光方法中，晶片上的分辨率R通常被表示为R＝k×λ/NA，其中k表示与抗蚀剂材料和工艺有关的常数，λ表示曝光的波长，而NA表示投影透镜的数值孔径。正如从关系式显见，随着图形变得更为精细，投影曝光技术就必须采用波长更短的光源。目前是利用以汞灯的i射线(λ＝365nm)或KrF准分子激光器(λ＝248nm)作为照明光源的投影曝光装置来制造LSI。为了使图形更加精细，需要波长更短的光源，已经探讨过采用ArF准分子激光器(λ＝193nm)或F2激光器(λ＝157nm)。同时，在用于投影曝光方法的上述掩模本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路器件的制造方法，到半导体衬底上的晶体管结构的制造为止是相同的工艺，在布线加工中分成多个种类来制造多种产品，其特征在于，包括下列步骤：为了对上述多种产品形成公共结构的图形，使用将金属膜作为曝光不透明膜的第一光掩膜，在 形成于上述半导体衬底上的第一感光膜上进行曝光的步骤；为了在上述多种产品上形成按每个种类而不同的图形，使用将有机感光树脂膜作为曝光不透明膜的孔或布线图形用的第二光掩膜，在形成在上述半导体衬底上的第二感光膜上进行曝光的步骤。

【技术特征摘要】
JP 2000-8-15 246466/20001.一种半导体集成电路器件的制造方法，到半导体衬底上的晶体管结构的制造为止是相同的工艺，在布线加工中分成多个种类来制造多种产品，其特征在于，包括下列步骤为了对上述多种产品形成公共结构的图形，使用将金属膜作为曝光不透明膜的第一光掩膜，在形成于上述半导体衬底上的第一感光膜上进行曝光的步骤；为了在上述多种产品上形成按每个种类而不同的图形，使用将有机感光树脂膜作为曝光不透明膜的孔或布线图形用的第二光掩膜，在形成在上述半导体衬底上的第二感光膜上进行曝光的步骤。2.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于上述第一感光膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺泽恒男，田中稔彦，宫崎浩，长谷川升雄，森和孝，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]