钟渊化学工业株式会社专利技术

钟渊化学工业株式会社共有314项专利

  • 本发明涉及新的丙三醇衍生物及其制造方法以及三唑衍生物的制造方法。根据本发明,可提供作为医药品的合成中间体的新的且有用的光学活性的2-芳基丙三醇衍生物。以及可制造作为抗真菌剂的有用的(R)-2-(2,4-二氟苯基)-3-(1H-1,2,4...
  • 本发明涉及利用防氧化效果高的溶剂生产还原型辅酶Q10的方法,更具体地,本发明涉及方便有效地生产还原型辅酶Q10的方法,所述辅酶质量优异,可用在食品、功能性营养食品、特定保健食品、营养添加剂、滋补剂、饮料、饲料、动物药、化妆品、药品、治疗...
  • 制备卤化—3—卤代—2—羟丙基三甲基铵,或者特别是其(S)构型化合物的方法,该方法包括卤化—2,3—二羟丙基三甲基铵与卤化剂反应,或由(R)—3—卤代—1,2—丙二醇与三甲胺制得的卤化(S)—2,3—二羟丙基三甲基铵与卤化剂反应。按照本...
  • 本发明提供一种制备接枝共聚物胶乳的方法,其中包括,从接枝聚合前的橡胶胶乳中除去未反应单体时,添加电解质,抑制胶乳的起泡,在短时间内除去未反应的单体。这种制备方法不会降低生产率。
  • 制备具有通式(Ⅱ)的4-乙酰氧基-3-羟Z基氮杂环丁-2-酮衍生物的方法,式中R-[1]是羟基的保护基,该方法包括将具有通式(I)的β-内酰胺化合物在碱存在下,有机溶剂中和乙酐反应,然后除去N的保护基.式中R-[1]同上,R-[2],R...
  • 本发明的主题是关于通式(I)的β-内酰胺化合物,式中R+[1]是羟基基团的保护基,R+[2]、R+[3]和R+[4]选自C+[1]到C+[4]的低级烷基、苯基基团和芳烷基基团;以及制备该化合物的方法,该方法包括使通式(Ⅲ)的烯醇甲硅烷基...
  • 一种至少由烯属不饱和单体在下述条件下聚合制得的聚合物.即在分子中至少含有一个活性硅氧烷基的有机聚合物以及在分子中至少含有两个独立的烯属不饱和官能基的化合物存在下,使用含有活性硅氧烷基的自由基聚合引发剂和/或含有活性硅氧烷基的链转移剂,经...
  • 结晶方法,其实施过程是将良溶剂溶液中的N-(1(S)-乙氧基羰基-3-苯基丙基)-L-丙氨酸N-羧酸酐加入脂族烃溶剂、同时抑制油状物的生成和所述N-羧酸酐的结垢。另一种结晶方法,其实施过程是在良溶剂溶液中的N-(1(S)-乙氧基羰基-3...
  • 本发明提供一种含有反应性硅基的异亚丁基嵌段共聚物及其制备方法。所述含有反应性硅基的异亚丁基嵌段共聚物包含来自(a)包含异丁烯基作为主要单体的单体组分的聚合物嵌段和来自(b)不含异丁烯基作为主要单体的单体组分的聚合物嵌段,所述共聚物包含通...
  • 本发明提供一种制备光学活性的通式(Ⅳ)高苯丙氨酸衍生物的费用节省并且有效的方法,其中间体和它的制备方法。本发明涉及一种制备通式(Ⅳ)的高苯丙氨酸衍生物的方法,该方法包括将通式(Ⅱ)的β-苯甲酰基丙烯酸衍生物与通式(Ⅲ)的1-芳基乙胺衍生...
  • 一种以特定的酸二酐和特定二胺构成的聚酰亚胺以及环氧树脂构成的树脂组合物。该树脂组合物可在较低温下进行粘接,其耐热性、粘接性、焊锡耐热性优良,并且,PCT处理后剥离强度保持率高。采用由该树脂组合物构成的聚酰亚胺树脂片或带金属箔的聚酰亚胺树...
  • 利用干式镀法在高分子薄膜的一个面上形成金属层A。使用该层压体,利用半导体添加法形成电路时,可得到电路配线形状、电路间绝缘性和与基板接合性优良的高密度印刷配线板。通过在层压体的高分子薄膜的另一个面上形成粘接层,得到层间粘接薄膜,将该层间粘...
  • 本发明提供对温度变化不产生卷曲、扭转、翘曲等,具有优良的滑动弯曲性的软性印刷电路板。在100~200℃范围的平均线膨胀系数为1.0~2.5×10↑[-5]cm/℃,并且,刚度系数为0.4~1.2g/cm的聚酰亚胺膜,可以作为用于软性印刷...
  • 本发明的热固性树脂组合物,含有(A)聚酰亚胺树脂,和作为热固性成分的(B)多官能性氰酸酯类以及(C)环氧树脂类中的至少1种;作为上述(A)聚酰亚胺树脂,采用具有醚键的酸二酐和二胺类反应得到的可溶性聚酰亚胺。另外,作为(B)多官能性氰酸酯...
  • 利用干式镀法在高分子薄膜的一个面上形成金属层A。使用该层压体,利用半导体添加法形成电路时,可得到电路配线形状、电路间绝缘性和与基板接合性优良的高密度印刷配线板。通过在层压体的高分子薄膜的另一个面上形成粘接层,得到层间粘接薄膜,将该层间粘...
  • 一种耐电晕特性优异的薄膜,其特征在于:在基体薄膜的至少一个表面上层叠导热系数为2W/m·K以上的无机化合物或无机物。
  • 一种耐热薄膜光电转换器及其设备.这种转换器包括半导体、电极和扩散阻挡层的耐热薄膜光电转换器,该扩散阻挡层设置在半导体和至少一个电极之间,这种转换器可以避免由于金属扩散或由于自电极进入半导体的金属化合物而引起的质量下降.
  • 一个含有P—层,n—层和扩散阻挡层的耐热多结半导体器件,其扩散阻挡层提供在P—层和n—层之间.该半导体器件能够减少由于P—层和n—层中的掺杂剂原子分别扩散到其它原中所引起的品质下降.
  • 由非单晶物质构成的电绝缘薄层,用等离子CVD(化学汽相淀积)法或溅射法淀积在基片上,含碳量按原子算不低于10%.电绝缘层比较薄而且有优越的耐热性和高的介质击穿电压.
  • 一种具有多结的非晶形或微晶形半导体的光电器件,其中包括高浓度杂质的一或多层被插入在p型导电层和n型电导电层之间.被插入的层形成一隧道结以提高光电转换率.