半导体器件及其制造方法技术

一种具有多结的非晶形或微晶形半导体的光电器件，其中包括高浓度杂质的一或多层被插入在ｐ型导电层和ｎ型电导电层之间．被插入的层形成一隧道结以提高光电转换率．（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种实质上由非晶形和／或微晶形材料组成的半导体器件，其特征在于，它的多结结层包括一或多层掺以ｎ型掺杂剂的ｎ型层，一或多层掺以ｐ型掺杂剂的ｐ型层，以及至少一层包括一个高浓度的杂质并被插入所说ｐ型和所说ｎ型层间的薄层，从而促进载流子的复合。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山岸英雄，山口美则，浅冈圭三，宏江昭彦，近藤正隆，津下和永，太和田善久，
申请(专利权)人：钟渊化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]