本发明公开了一种基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法，通过选用富锡Sn合金成分Sn＝54％-71％，设计金锡厚度分别小于2.1μm和0.7μm，在一定压强、温度和时间内进行了金锡合金键合，形成了以具有高维氏硬度的AuSn2相(即ε相)为...

本发明公开了一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元，其能够有效提高SRAM单元抗单粒子翻转的能力，明显提高SRAM的翻转阈值。该SRAM单元为十四管存储单元，包括两个存取NMOS管，两个分别由六个MOS管组成的反相器。与组成最基本的六管单...

本发明公开了一种基于距离选通的激光成像同步控制系统，该系统包括计算机软件界面、USB接口、微控制器、FPGA、外围电路、延时精调电路、PCB板和运算放大器，其中，从计算机软件界面发送出来的数据经USB接口传送至微控制器；微控制器将脉冲激...

一种制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法，该方法包括：步骤1：在衬底上，溅射一层缓冲层；步骤2：在缓冲层上溅射一层取向诱导层；步骤3：利用浸涂或者旋涂的方法，在取向诱导层上自组装一层磁性纳米颗粒阵列；步骤4：在磁性纳米颗粒阵列上溅射一...

本发明公开了一种偏振分辨的差分反射谱测量系统，包括：一液氮杜瓦；一手动三维平移台；一消色差透镜；一激震器用于周期性震动透镜；一宽波段四分之一波长波片；一双输出格兰泰勒棱镜；一宽波段线偏振片以及一宽波长二分之一波长波片；一单色仪；一超连续...

本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法，包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片，去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀，得到带窄金属条的InGaAs外延片...

本发明公开了一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法，包括：清洗单面抛光的GaAs外延片，去除表面的有机物；对该GaAs外延片进行光刻腐蚀，得到带窄条的GaAs外延片；在该GaAs外延片上蒸镀金属层；采用剥离方法去胶，得到一定厚度的金...

一种利用拉曼光谱仪定量检测痕量罗丹明6G的方法，包括以下步骤：采用交流电化学沉积法制备多个银纳米线阵列：以硝酸银/硼酸混合水溶液为电解液向AAO模板的孔洞中限域沉积银纳米线，形成银纳米线阵列；制备银纳米颗粒，并分别与不同浓度的罗丹明6G...

一种量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法，包括：在n型InP衬底上外延生长n型InP缓冲层、电吸收调制器下限制层、电吸收调制器多量子阱、电吸收调制器上限制层和本征InP注入缓冲层；生长SiO2保护层；形成放大器区和电吸收调制器区；...

本发明公开了一种基于分数分频频率综合器的多标准I/Q正交载波产生装置，该装置包括三阶差分环路滤波器(10)、预置模块(11)、全差分正交压控振荡器(12)、开关型缓冲器(13)、连续除2分频器模块(14)、多模分频器(15)、鉴频鉴相器...

一种用于太阳电池表面抗反射的蛾眼结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一太阳能电池所用的外延片，对外延片进行清洗；步骤2：在外延片上旋涂光刻胶；步骤3：对光刻胶进行前烘，形成样品；步骤4：采用双光束干涉曝光设备，对样品两次曝光、显影，...

本发明公开了一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法，采用斜三角形吸收区的波导结构结合前后腔面淀积超低反射率的光学增透膜，实现低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备。本发明采用斜三角形吸收区的波导形式，它的三条边与对应腔面之间均保...

一种基于单波导耦合微环谐振腔的光学向量-矩阵乘法器，包括：一衬底；一埋层，该埋层制作在衬底上；一顶层，该顶层制作在埋层上，该顶层的上面刻蚀有梳状结构，该梳状结构包括背部和齿部，该齿部的侧向刻蚀有可调谐微环谐振腔，齿部的每个齿与邻近的多个...

本发明公开了一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法，该存储器利用量子点作为载流子储存单元，一个信息位(bit)的两种状态(“0”和“1”)用量子点(QD)的两种充电状态来表示。量子点位于p-n结耗尽区之内，利用耗尽区实现存储器的两种操...

本发明公开了本发明公开了一种FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器，该激光器具有深刻蚀孔的光子晶体结构，该光子晶体结构具有带边面发射性质，且位于FP脊形条上，FP脊形条宽度较宽，FP腔长度较长，P电极完全位于脊形条上，根据光子晶体的...

一种深紫外激光光致发光光谱仪，包括：一全固态深紫外激光器；一真空样品室与全固态深紫外激光器连接；一真空单色仪与真空样品室连接；一第一真空维持系统与真空样品室连接；一第二真空维持系统与真空单色仪连接；一低温系统和控温装置与真空样品室通过法...

本发明公开了一种具有带通声滤波功能的光纤传声器，包括：筒，作为该光纤传声器的主体；安装于筒内的膜片，用于在两侧存在声压差时发生形变；分别安装在膜片两侧的第一隔板和第二隔板，分别用于过滤不同频段的高频声信号，使膜片两侧存在声压差；安装在筒...

本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化镓成核层；在该氮化镓成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长一氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层；在该氮化铝镓/氮化镓超晶格插入...

本发明公开了一种氮化镓基LED的外延粗化方法的流程图，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化铝镓铟成核层；在该氮化铝镓铟成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓...

本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长一层薄膜层；步骤3：在薄膜层上生长一层纳米薄膜，得到一基片；步骤4：对基片进行退火，退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒，形成源衬底；步骤...