一种基于标准CMOS工艺的彩色图像传感器，包括：一彩色像素单元阵列；一噪声去除模块的模拟输入端与该彩色像素单元阵列的输出端连接；一缓存器的输入端与噪声去除模块的输出端连接，用于噪声去除模块的输出信号缓存及并串转换；一数字控制器和一数字处...

本发明提供一种基于多比特串行转换的逐次逼近模数转换器，包括：一个逻辑控制处理器；多组串接的DAC阵列及比较器组成采样判决电路，该每一组比较器的输出端与逻辑控制处理器的输入端连接；其中所述的多组中的DAC阵列的输入端互连，该逻辑控制处理器...

本发明公开了一种基于平均灰度的距离选通图像有效信息区的提取方法，包括：利用先验知识计算初始阈值，利用该初始阈值对原始图像进行有效信息区的提取，根据取得的信息区边缘部分计算出此边缘部分的平均灰度值；根据初始阈值的分割结果，取得图像背景的最...

一种采用T型电容网络反馈结构的CMOS生理信号放大器，包括了反相输入耦合电容和正相输入耦合电容、反馈网络、运算放大器、平衡网络以及输出电容CL，其中：所述运算放大器的反相输入端连接反相输入耦合电容，该放大器的正相输入端连接正相输入耦合电...

本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构，该结构包括一个二维准周期光子晶体结构，该二维准周期光子晶体结构采用在垂直腔面发射激光器顶部半导体材料上刻蚀的圆形孔或椭圆形孔，且孔内填充低折射率材...

本发明公开了一种基于光离散傅里叶变换的四路并行数字调制和正交复用的波导芯片结构，包括Y型波导级联结构、四个双驱动马赫曾德调制器阵列和四个全光离散傅里叶变换(ODFT)波导单元，在较低的电调制速率下，实现了更高速率的信息传输，降低了对电子...

一种染料敏化太阳能电池复合电极及其制备方法，包括以下几个步骤：取普通玻璃的衬底；在衬底上制备掺F的SnO2透明导电膜，得到FTO玻璃衬底；在掺F的SnO2透明导电膜上制备TiO2纳米线阵列，TiO2纳米线阵列的优点在于能提供直接电子通路...

本发明公开了一种磁控式全固态激光器输出功率稳定装置，其特征在于，该装置包括磁控式镜片平移装置、全反射镜、全固态激光器的激光头、全固态激光器的输出镜、45°激光部分反射镜、光电探测器和控制器，磁控式镜片平移装置带动激光器的全反射镜前后移动...

本发明公开了一种基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，包括：一下电极(10)；一光吸收材料层(20)，该光吸收材料层(20)制作在下电极(10)上；通过刻蚀技术，在光吸收材料层(20)上制作微米尺寸不同周期和深度的一维条型结构或二维柱形结构...

本发明公开了一种水听器高静水压声压灵敏度测试装置，包括：激振器，用于产生振动信号；液柱缸，作为测试的容器；安装于液柱缸底部的薄板，用于将振动信号转换为液体中的声压信号；安装于液柱缸顶部的密封盖，用于与液柱缸以及薄板形成密闭容器；安装于液...

本发明公开了一种脉宽可调节的固体激光器，该固体激光器包括依次按顺序共光轴地设置在一条直线上的泵浦源(1)、光束耦合系统(2)、激光晶体(3)、调Q晶体(4)和输出腔片(5)；其中，激光晶体(3)、调Q晶体(4)和输出腔片(5)构成谐振腔...

本发明一种降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构，包括：一衬底；一N型限制层，该N型限制层制作在衬底上；一N型波导层，该N型波导层制作在N型限制层上；一量子阱层，该量子阱层制作在N型波导层上；一P型波导层，该P型波导层制作在量子阱层上...

一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，包括：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，形成GaN外延片；将GaN外延片放入蒸发台...

本发明提供一种紫外LED的制作方法，包括下述步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次生长成核层和n型层；步骤3：在n型层上生长多量子阱层；步骤4：在多量子阱层上生长电子阻挡层和p型层，完成结构的生长。本发明可以解决白光固态照明中用紫...

本发明公开了一种基于光子晶体表面态的二维光子晶体T型波导，包括一个四方晶格光子晶体W1波导，在该光子晶体W1波导的出口端两侧的光子晶体表面具有一排缺陷层四方晶格光子晶体介质柱，并在光子晶体W1波导出口端外侧具有若干排起反射作用的四方晶格...

本发明公开了一种基于光子晶体表面态的二维光子晶体分束器，包括一个四方晶格光子晶体W1波导，在光子晶体W1波导的出口端两侧的光子晶体表面各含有一行半径不同的缺陷层四方晶格光子晶体介质柱，并在光子晶体W1波导出口端附近有一缺陷腔；在该缺陷腔...

本发明涉及晶体材料后处理技术领域，公开了一种铁电晶体材料的极化方法，包括两步或多步，用于制备出小周期的周期性和准周期性反转铁电晶体；其中，第一步是将高脉冲电压施加到该铁电晶体材料上，实现大周期铁电晶体极化，第二步是在第一步的基础上再极化...

本发明公开了一种宽带频率可调谐的光电振荡器。本发明利用一个光调制器、一个高精细度法布里帕罗标准具和两个光纤耦合器共同构成了光子微波滤波器，并将其应用到光电振荡器之中。通过对激光光源波长的调谐，可以对光子微波滤波器滤波峰进行调谐，同时配合...

本发明公开了一种石墨烯片插层化合物的制备方法及原位显微拉曼表征系统，制备方法包括将石墨烯片和三氯化铁分别放置于相互连接相通的玻璃管和比色皿，用分子泵将玻璃管和比色皿抽成真空后用酒精灯密封住，加热到340摄氏度并保持6至24小时，降温到常...

一种制备InMnP:Zn稀磁半导体的方法，采用真空镀膜后热扩散工艺，具体包括以下步骤：步骤1：将一衬底在煮沸的浓盐酸中进行化学腐蚀清洗，然后用去离子水反复冲洗5遍；步骤2：将衬底用氮气吹干，然后迅速置于真空镀膜机，并使之处于真空环境；步...