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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
宽面808nm分立模式半导体激光器结构的制备方法技术
本发明提供一种宽面808nm分立模式半导体激光器的制备方法,包括如下步骤:步骤1:取一镓砷衬底;步骤2:在镓砷衬底上依次制备N型铝镓砷下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一P型上限制层、刻蚀截至层、第二P型上限制层和P型帽层;步骤...
980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法技术
本发明提供一种980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法,包括如下步骤:步骤1:取一镓砷衬底;步骤2:在镓砷衬底上依次制备N型铝镓砷下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一P型上限制层、刻蚀截至层、第二P型上限制层和P型帽层;步骤...
高反射率高带宽的亚波长光栅反射镜的制作方法技术
本发明提供一种高反射率高带宽的亚波长光栅反射镜的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在该衬底上依次生长材料层、介质层和金属层,在介质层和金属层界面处能够激发表面等离子体模式;步骤3:采用感应耦合等离子体刻蚀的方法或者剥离技...
用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法技术
一种用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次生长下限制层、有源区和上限制层,形成横向波导结构;步骤3:采用感应耦合等离子体刻蚀的方法对上限制层进行刻蚀,在上限制层上形成周期...
砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管制造技术
本发明涉及六种采用量子点材料为有源区的砷化镓基短波长超辐射发光二极管。这六种砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管包括砷化镓铝铟/砷化镓铝(InAlGaAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铝铟/砷化镓铝(InAlAs/AlGa...
LED光源水下短距离数据通信的方法及系统技术方案
本发明公开了一种LED光源水下短距离数据通信的方法及系统。该方法包括:发送端对待发送的数据信号进行编码,利用编码后的信号调制LED光源发送LED光信号,LED光信号中包含待发送的数据信息;接收端对所接收的LED光信号进行光电转换、解调后...
LED光源水下语音通信系统与潜水头盔技术方案
本发明公开了一种LED光源水下语音通信的系统与潜水头盔。本发明采用LED光源的LED光信号作为潜水员在水下进行语音通信的载体,相比于目前主流的采用声学技术的水下语音通信技术,这种采用光学技术的水下语音通信方式具有带宽高、传输延时小、传输...
半导体激光二极管发光单元及器件制造技术
本发明公开了一种半导体激光二极管发光单元及器件。该发光单元输出激光的功率大于0.2W,其结构自下往上包括:第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层和第二限制层,其中:第一限制层和第二限制层,用于形成PN结进行载流子输入;第一波导层和...
光生微波信号源及方法技术
本发明公开了一种光生微波信号源及方法。本发明通过采用同一激光器所产生两种模式的激光作为光源,该两种模式的激光在频域上相邻,同为纵模,具有相关性,其在进行差频操作时,相位噪声小,波长匹配度较好,从而满足了进行差频操作对光源相干性的要求,提...
一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法技术
本发明公开了一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法,该方法通过在非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池之间n/p界面处插入p型非晶硅复合层实现,是在顶电池的n层为非晶硅、底电池p层为纳米硅的叠层电池的在n/p界面处插入p型非晶硅...
“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法技术
一种“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法,包括如下步骤:步骤1:选择一衬底;步骤2:对该衬底进行脱氧除气处理并观察表面再构;步骤3:在该衬底上依次生长缓冲层、10个周期的“W”结构二类量子阱有源区和GaSb盖层。
高速超低功耗16QAM发射装置制造方法及图纸
一种高速超低功耗16QAM发射装置,包括:一锁相环频率综合器,其输出端与除四分频器的输入端连接;一除四分频器,其输入端与锁相环频率综合器的输出端连接;一四选一相位选通器,其输入端与除四分频器的输出端连接;一四选一相位选通器,其输入端与除...
超低功耗OOK接收装置制造方法及图纸
一种超低功耗OOK接收装置,包括:一射频滤波器,其输入端连接一天线;一电流复用正交下混频器,其输入端与射频滤波器的输出端连接;一全差分环形振荡器,其输出端与电流复用正交下混频器的输入端连接;一镜像抑制宽带中频放大器,其输入端与电流复用正...
分析调控纳米三明治结构谐振波长的等效电路方法技术
一种分析调控纳米三明治结构谐振波长的等效电路方法,包括如下步骤:步骤1:将纳米三明治结构视为等效LC电路,以LC电路谐振比拟纳米三明治结构内磁性等离子体模式谐振;步骤2:求解LC电路谐振的阻抗方程,该阻抗方程为:其中:ω是谐振电路角频率...
一种低功耗可编程增益放大器装置制造方法及图纸
一种低功耗可编程增益放大器,包括:一第一加减器和一第二加减器,该第一加减器和第二加减器用于对输入信号和反馈信号做加减运算,加减之后可以消除直流分量,消除直流失调电压;一可变增益放大器的两输入端分别与第一加减器和第二加减器的输出端连接;一...
具有复位功能的静态随机存储单元制造技术
一种具有复位功能的静态随机存储单元,其包括:一第一反相器,其包括第一驱动NMOS晶体管及第一负载PMOS晶体管;一第二反相器,其包括第二驱动NMOS晶体管及第二负载PMOS晶体管;该第一反相器的输出端与该第二反相器的输入端相连,该第二反...
光缆连接保护装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种光缆连接保护装置,该光缆连接保护装置包括:保护套管(10),用于保护光缆连接部位;以及对称安装在所述保护套管(10)两端部的第一酒杯环(20)和第二酒杯环(30),用于连接保护套管和被连接的光缆。利用本实用新型,由于...
紫外激光干涉条纹的辅助检测装置及方法制造方法及图纸
本发明公开了一种紫外激光干涉条纹的辅助检测装置及方法。该辅助检测装置在紫外激光全息光刻系统中增加了一套可见性的激光光路,在确定可见激光波长和紫外激光波长的关系后,通过观察可见激光的干涉条纹来对紫外激光干涉条纹周期进行检测,从而简化了在紫...
分式线性神经网络模型制造技术
本发明涉及人工智能技术领域,提出分式线性神经网络模型,该模型包括m层神经元,输入层有1(x)个神经元,第i层有i(x)个神经元,输出层有m(x)个神经元;各层次的神经元之间形成前向全互连连接,各层次内的神经元之间没有连接,将第k层第i神...
时变容错域的感知联想记忆模型制造技术
本发明一种时变容错域的感知联想记忆模型,其特征在于,包括:5层神经元;第一层取输入元n个,记为A↓[1],A↓[2],Λ,A↓[n];第一隐含层有p-1个神经元组,且每组有2n个神经元,神经元顺序记为A(i),i=1,…,2n(p-1)...
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