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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法技术
一种硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器,包括:一硅衬底;一氧化硅层,该氧化硅层制作在硅衬底上;一工形台面结构,该工形台面结构制作在氧化硅层上,该工形台面结构的两端为P型电极和N型电极,该P型电极和N型电极之间连接有硅纳米线光栅共振腔结构;...
复合结构光子晶体制造技术
本发明公开了一种复合结构光子晶体。该复合结构光子晶体包括:叠层设置的三层二维光子晶体板;其中:中间层的二维光子晶体板水平设置,用于实现在X-Y平面上对光波的调控;上层和下层的二维光子晶体板竖直设置,分别位于所述中间层的二维光子晶体板的上...
利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法技术
一种利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法,该方法包括以下步骤:步骤1:选用一衬底,并在MOCVD设备的低温生长区中对衬底进行锌化处理;步骤2:用载气将含锌源的金属有机化合物和笑气分别通入MOCVD设备的低温生长区中,在低温生长区对衬底进...
单边带调制的光生微波载波信号产生装置制造方法及图纸
本发明公开了一种单边带调制的光生微波载波信号产生装置,包括:第一分布反馈式单模激光器,用于产生光载波;铌酸锂外调制器,用于对第一分布反馈式单模激光器输入的光载波进行外调制;本振电信号源,用于作为铌酸锂外调制器的驱动信号源;掺饵光纤放大器...
氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法技术
一种氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一氮化镓LED外延片,该外延片由衬底,N型氮化镓,多量子阱,铝镓氮EBL和P型氮化镓组成;步骤2:将该氮化镓LED外延片隔离成多个重复单元,每个单元就是一个独立的LED...
氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法技术
一种氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法,包括:步骤1:选择一外延结构,该外延结构包括衬底和氮化镓LED外延层;步骤2:在外延层上沉积SiO2层;步骤3:运用光刻技术,通过匀胶,前烘,曝光,坚膜,在SiO2层上形成光刻胶图形,该...
应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED制造技术
一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,包括:一p型金属电极,该p型金属电极包括一金属支撑衬底,以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜;一空穴注入层,该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上;一电子阻挡层,该电子阻挡层制...
在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法技术
一种在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法,包括如下步骤:步骤1:选择一衬底;步骤2:在衬底上依次生长一缓冲层、一下波导层、一双量子阱结构、一上波导层和一盖层,完成在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的制作。其是通过在较...
在衬底上生长异变缓冲层的方法技术
一种在衬底上生长异变缓冲层的方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上生长缓冲层;步骤3:在缓冲层上生长异变缓冲层;步骤4:在异变缓冲层生长外延层,形成基片;步骤5:对基片进行降温处理,完成在衬底上生长异变缓冲层的制备。
在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法技术
一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法,包含以下步骤:步骤1:取一衬底放入MOCVD设备中;步骤2:在MOCVD设备中利用载气通入锌源,在衬底上生长一层锌隔离层;步骤3:在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源,使得在锌...
调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法技术
一种调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法,其包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次制作一氮化镓成核层和一氮化镓缓冲层;步骤3:在氮化镓缓冲层上制作一n型氮化镓接触层,以硅烷作为n型掺杂剂;步骤4:在n型接触层上未刻蚀的上...
提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管制造技术
一种提高电子注入效率的氮化镓系发光二极管,其包括:一衬底;一氮化镓成核层制作在衬底上;一缓冲层制作在氮化镓成核层上;一n型接触层制作在缓冲层上,在该n型接触层的上面的一侧形成一台面;一下多周期n型电子耦合层制作在n型接触层上台面另一侧的...
单振荡加三级放大的全固态激光器制造技术
本实用新型公开了一种单振荡加三级放大的全固态激光器,包括反射镜、输出耦合镜以及四个相同规格的激光模块,其中反射镜与输出耦合镜构成激光振荡腔,反射镜位于该激光振荡腔的左端,输出耦合镜位于该激光振荡腔的右端;一个激光模块位于该激光振荡腔内作...
共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法技术
一种共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1:取一硅片;步骤2:在硅片中注入Al;步骤3:将过渡性金属元素注入到含Al的硅片中;步骤4:将含有Al和过渡性金属元素的硅片进行退火处理,完成共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备。
采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法技术
本发明公开了一种采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法,包括:在c-面蓝宝石衬底上生长一层氧化锌膜;对生长有氧化锌膜的蓝宝石衬底进行降温;去掉蓝宝石衬底上生长的氧化锌膜;以及在c-面蓝宝石衬底上进行第二次生长一层氧化锌膜;其...
高功率低噪声单频光纤激光器制造技术
一种高功率低噪声单频光纤激光器,包括:一半导体激光器;一有源相移光栅,该有源相移光栅的一端与半导体激光器的输出端连接;一具有波长选择性的光隔离器,该具有波长选择性的光隔离器的输入端与有源相移光栅的另一端连接;一有源光纤,该有源光纤的一端...
单纤多波长光纤激光器制造技术
一种单纤多波长光纤激光器,包括:一半导体激光器;多个有源相移光纤光栅,该多个有源相移光纤光栅相互串接,该串接的多个有源相移光纤光栅的一端与半导体激光器的输出端连接;一具有波长选择性的光隔离器,该具有波长选择性的光隔离器的输入端与相互串接...
基于全半导体激光器的激光投影显示系统技术方案
本发明公开了一种基于全半导体激光器的激光投影显示系统,包括激光光源模块、光路模块、电路模块和光传感器模块,其中,激光光源模块,用于向投影显示系统提供所需要的红、蓝、绿三种激光;光路模块,用于对激光光源模块提供的光进行匀光和成像处理,将光...
双新月对结构的化学传感系统技术方案
本发明公开了一种基于表面等离子共振的双新月对结构的化学传感系统。该化学传感系统包括:相邻的第一新月形纳米柱和第二新月形纳米柱;第一新月形纳米柱包含用于容纳探测介质的第一空腔,第二新月形纳米柱包含用于提供扫描探针的探测位置的第二空腔,第一...
多孔阳极氧化铝生物芯片的制作方法技术
一种多孔阳极氧化铝生物芯片的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底,清洗,去除有机和无机杂质;步骤2:前烘,对衬底进行真空干燥;步骤3:在经过真空干燥的衬底表面蒸镀铝膜;步骤4:将表面镀有铝膜的衬底放入电解液中,进行第一次阳极氧化;步...
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