本发明公开了一种频率稳定的光生微波源，包括：第一法布里珀罗多模激光器，用于产生多模激光；第一可调谐光滤波器，用于将第一法布里珀罗多模激光器发出的多模激光中的两个模式滤出来；偏振控制器，用于控制经过第一可调谐光滤波器后的激光的偏振态；3端...

本发明公开了一种在钢轨上布设光纤的装置，该装置包括：主体支架(10)；用于在被测钢轨上行走并安装于主体支架(10)上的走行装置(20)；注胶压紧装置(30)；以及光纤进给装置(40)。本发明提供的这种在钢轨上布设光纤的装置，通过设置注胶...

一种不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵的制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、n型掺杂层、i型有源层和p型掺杂层；在其两侧向下进行刻蚀，刻蚀到达n型掺杂层内；在其表面沉积氮化硅层；去除p型掺杂层表面的部分氮化硅层和n型掺杂层上...

一种利用自组装薄膜作为掩膜刻蚀导电薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：取一蓝宝石衬底，在该蓝宝石衬底上生长氮化物外延层；步骤2：在氮化物外延层上生长导电薄膜；步骤3：在导电薄膜上采用自组装的方法生长一层光子晶体薄膜，形成掩膜；步骤4：进行...

本发明公开了一种基于相位检测的表面等离子体共振传感装置，包括激光光源、光纤、准直器、起偏器、传感部件、分光器、反光镜、光栅光谱仪以及计算机；其中，激光光源发出的水平方向的光经过光纤传输及准直器准直后由起偏器起偏，得到p偏振光；该p偏振光...

一种倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的方向刻蚀出沟槽，刻蚀深度等于二氧化硅层的厚度；步骤3：以硅烷为原料采用VPE法...

一种运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底1上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的方向刻蚀出沟槽；步骤3：采用KOH湿法刻蚀在沟槽的硅衬底上形成V形沟槽；步骤4：分别...

一种纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法，包括以下几个步骤：步骤1：取一导电基片；步骤2：采用丝网印刷技术，在导电基片的表面印刷TiO2浆料；步骤3：加热，使TiO2浆料中的有机溶剂挥发，得到TiO2纳米晶多孔膜，有利于染料...

本发明公开了一种用于在光纤侧面均匀蒸镀增透膜的夹具，该夹具包括上半部分和下半部分，被该夹具夹持的光纤在镀膜过程中采用公转与自转相结合的形式转动，其中该上半部分与镀膜机的旋转部件相连接，由镀膜机的旋转部件带动该上半部分转动，使该上半部分侧...

一种发光二极管封装结构的制作方法，包括以下步骤：在绝缘衬底上利用金属有机物气相外延的方法依次生长n型层、有源层和p型层；光刻在p型层上面的一侧向下到达n型层的表面形成第一台面，在另一侧向下刻蚀到达绝缘衬底的表面，形成第二台面；在第一、二...

本发明公开了一种基于CCD外触发的动目标选通探测成像的消抖方法，应用于动目标选通探测，该方法对CCD采用外触发的控制方式，通过计数器产生选通像增强器控制信号I_trigger、脉冲激光器控制信号L_trigger和CCD控制信号C_tr...

一种具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法，包括：在p型硅基衬底的一面制作二氧化硅掩蔽层；光刻二氧化硅掩蔽层，在二氧化硅掩蔽层的中间形成一环形和圆形n型掺杂窗口；在环形和圆形n型掺杂窗口采用磷离子注入或磷扩散的方法，形成n型...

本实用新型公开了一种可监测裂纹和变形的钢轨，该可监测裂纹和变形的钢轨包括：作为轨道列车行驶的轨道的钢轨(10)；感受钢轨(10)的变形和裂纹情况的至少一根光纤(20)，该光纤(20)安装于钢轨(10)底部；以及监测钢轨(10)的变形和裂...

本发明公开了一种可监测裂纹和变形的钢轨，该可监测裂纹和变形的钢轨包括：钢轨(10)，用于作为轨道列车行驶的轨道；安装于钢轨(10)底部的至少一根光纤(20)，用于感受钢轨(10)的变形和裂纹情况；以及解调设备(30)，用于监测钢轨(10...

一种发光二极管的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上外延N型GaN薄膜；步骤2：在N型GaN薄膜上沉积掩膜；步骤3：通过刻蚀或腐蚀工艺，在掩膜上制备SiO2网格，形成基片；步骤4：对基片进行清洗；步骤5：将清洗后的基片放入MOCVD...

本发明公开了一种改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法，该方法是采用对n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管进行氢等离子体处理的方式，来改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能...

本发明公开了一种基于微环谐振器的二位光学译码器，其基本结构为微环谐振器，采用硅基纳米线波导制作。该光学译码器由两个环形波导和三个弯曲波导构成，它有两个电信号和一个处于工作波长的连续光信号输入，输出是光信号。假定加在微环上的调制电压为高电...

一种利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法，包括如下步骤：步骤1：在待制备T型栅的样品上面淀积介质钝化层；步骤2：在介质钝化层上涂覆抗蚀剂；步骤3：利用光子束超衍射纳米加工技术，在抗蚀剂上曝光，显影，定影，形成栅足图形；步骤4：...

本发明公开了一种高极化度自旋注入与检测结构，包括：一衬底，在该衬底上生长各层外延材料；一缓冲层，该缓冲层用于平滑衬底，使后续的外延结构完整性更好；一重掺杂下电极层，用于做欧姆接触和提供复合发光所需的空穴；一LED结构P区；一多量子阱结构...

一种硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一n+型GaAs单晶片作为衬底；步骤2：在n+型GaAs单晶片上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点...