一种半导体激光器二极管封装夹具，包括：一插座，为一柱状结构，其侧面相对切出两条V形槽，并在该插座一侧的端面上加工有三个电极插孔；一夹具前座，为金属材质，为板状U形件，在U形件的U形槽内的两侧开有两极台阶，在U形槽的两侧开有用于固定的四个...

本发明公开了一种精确调节拉曼滤光片工作角度的装置，包括：底板(1)；固定于该底板(1)上的悬臂支撑架(2)，在该悬臂支撑架(2)上具有只能沿固定方向移动的受限移动滑块(3)，且该受限移动滑块(3)上具有一个螺孔；位于该受限移动滑块的螺孔...

本发明公开了一种光纤体应变仪，包括：应变筒，用于感受体应变；充满应变筒内的液体，用于传递应变筒感受到的体应变；端盖，用于密封；安装于应变筒底部的弹簧管，用于感受应变筒内压力的变化；安装于应变筒底部的螺栓，用于灌注液体并密封；固定于弹簧管...

本发明公开了一种分量式光纤钻孔应变仪，包括：应变筒，用于感受应变；安装于应变筒一端的端盖，用于密封；不少于一个的安装于应变筒内部的曲型梁，用于将应变筒的形变转变成轴向位移；不少于一个的固定于曲型梁的中部和端盖之间的测量光栅，用于测量应变...

本发明公开了一种提高光刻胶曝光精度的方法，该光刻胶对紫外光具有高透射性，该方法是通过对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射或对透过光刻胶的紫外光进行全吸收实现的。本发明通过对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射或全吸收，减小了透射紫外光的影响，大幅...

本发明公开了一种推挽式光纤检波器，包括：底座，用于安装传感臂；以中心对称方式安装在底座上的两个传感臂，用于感受振动信号；以及光纤耦合器，其同一侧的两端分别连接在两个传感臂上的传感光纤的一端，用于使两个传感臂的传感光纤中的光发生干涉。利用...

一种Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将CuSO4和FeSO4分别按比例混合后，再与过量的NaOH充分混合，形成混合物；步骤2：将混合物在玛瑙研钵中进行研磨，使混合物充分接触并发生化学反应，不断研磨直至反...

一种Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将Ca(C2H3O2)2·4H2O和Co(C2H3O2)2·4H2O按比例充分混合并溶解于去离子水中，形成混合液；步骤2：将NaOH溶液缓慢滴入该混合液中，与混合液发生反...

一种用于高功率光纤激光器的双包层光纤光栅的制作装置，包括：一基座，该基座为中空状，其中空状壁面的中间有一注液孔；一前端盖及一后端盖，分别盖合于基座的两端，形成一封闭空间，该前、后端盖的圆心处分别开有一圆孔；折射率匹配液，该折射率匹配液位...

本发明公开了一种电动改变滤光片工作波长的装置，包括：一底板，一固定基座被固定在底板上中间上端，一蜗杆的一端安装在固定基座上，一步进电机安装在底板中间的下端并与蜗杆的另一端连接，两固定轴对称地固定在蜗杆的两侧，两涡轮分别滑配地固定在两固定...

本实用新型公开了一种光纤检波器，该光纤检波器包括：缠绕有传感臂光纤(50)和参考臂光纤(60)的支撑梁(20)；安装于支撑梁(20)两侧用于安装膜片(30)的端架(10)；安装于端架(10)上能够在外界振动信号激励下产生形变的膜片(30...

一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，生长在衬底上；一插入层，生长在复合缓冲层上；一AlSb隔离层，生长在插入层上；一子沟道层，生长在AlSb隔离层上；一锑化物下势垒层，生长在子沟道层上；一InAs沟道...

本发明公开了一种光纤钻孔应变仪，包括：应变筒，用于感受应变；充满应变筒内的液体，用于传递应变筒感受到的应变；端盖，用于密封；安装于应变筒底部的波纹管，用于感受应变筒内压力的变化；安装于应变筒底部的螺栓，用于灌注液体并密封；固定于波纹管的...

本发明涉及晶体材料处理技术领域，公开了一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法，包括：在铁电晶体材料上施加高脉冲电压，将该铁电晶体材料极化为周期性反转铁电晶体；以及对该周期性反转铁电晶体进行切割、抛光和对准键合，完成大厚度周期极化铁电晶...

一种精确测量弱光纤光栅反射率的方法，该方法包括：步骤1：将宽带光源与3dB耦合器的端口1连接；步骤2：将3dB耦合器的端口2与弱光纤光栅一端连接；步骤3：将3dB耦合器的端口3与光谱仪连接；步骤4：切割光纤光栅的另一端，获得平整端面；步...

本发明公开了一种钢轨快速打磨清洗装置，该装置包括：主体支架(10)；用于在被测钢轨上行走并安装于主体支架(10)上的的走行装置(20)；打磨装置(30)；以及清洗装置(40)。本发明提供的这种钢轨快速打磨清洗装置，通过设置清洗装置实现了...

一种连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，包括：一主腔室，为一圆柱形的中空体，用于提供晶体生长的真空环境，该主腔室的径向穿过一尾气管路，在尾气管路的下方通入一源气体管路；一可动托盘位于主腔室内，在源气体管路的上方；一固定托盘位于主腔室内...

一种HTCVD法碳化硅晶体生长装置，所述晶体生长装置适用于高温化学气相沉积工艺，所述晶体生长装置包括：一真空室；一晶体生长室，与真空室连接，该晶体生长室包括多个独立的晶体生长腔；多个输送源气体的管路，该输送源气体的管路位于真空室和晶体生...

本发明公开了一种制备铌酸锂表面图形的方法，该方法包括：在铌酸锂衬底表面制作掩膜图形；采用氟基等离子对铌酸锂衬底进行干法刻蚀，以刻蚀铌酸锂；采用氧等离子对铌酸锂衬底进行刻蚀，以刻蚀在铌酸锂表面形成的氟化锂；重复上述采用氟基等离子及氧等离子...

一种集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法，其中每一单元包括如下步骤：步骤1：取一有源砷化镓外延片，该有源砷化镓外延片包括衬底、下限制层、有源层和上限制层；步骤2：在有源砷化镓外延片的上限制层上刻蚀周期性的耦合波导结构；步骤3...