中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 一种光学调节架,包括:一调节架固定架,分别开有螺纹孔、通孔及圆孔;一第一镜片夹持板,概似三角形,位于调节架固定架上部三角形的一侧,在第一镜片夹持板三角形的两斜边之间与调节架固定架的圆孔对应开有两个下沉孔;一第二镜片夹持板,概似三角形,位...
  • 本发明公开了一种夜间周界安防监控光子栅栏系统,该系统包括:脉冲激光器,用于发射激光脉冲对目标进行照明;选通成像器件,用于通过选通脉冲的脉宽来控制曝光时间;时序控制器,用于控制选通脉冲和激光脉冲之间的延时;以及计算机,用于对脉冲激光器、选...
  • 一种具有宽光谱响应的硅探测器结构,包括:一n型硅基衬底层,其表面有一圆形凹槽;一二氧化硅介质掩蔽层,形成于n型硅基衬底层表面圆形凹槽的周边,中间为环形结构;一p型参杂层,位于n型硅基衬底层的圆形凹槽内;一正面接触电极,制作在二氧化硅介质...
  • 一种阵列化图形细胞的电调控方法,包括如下步骤:取一衬底;在衬底上制备电极阵列,该电极阵列包括接点和与之连接的连线;在衬底的表面和电极阵列的连线上制备绝缘层,形成一基底;在基底的上表面进行化学修饰,使基底上的电极阵列的表面具有细胞粘附性质...
  • 一种双环结构的微纳生物传感器,包括:一SOI基片,该SOI基片的顶层为顶层硅;一双环结构,该双环结构形成于SOI基片的顶层硅上;一输入波导和一输出波导,该输入波导和输出波导位于双环结构的两侧,并形成于SOI基片的顶层硅上;一U型微流通道...
  • 一种半导体晶体管结构,包括:一绝缘体上硅,该绝缘体上硅包括埋氧层和顶层硅,该顶层硅的中间有一凹部,该凹部两侧分别为顶层硅的源区和漏区,该源区和漏区之间通过多个硅鳍状结构连接形成沟道,该顶层硅的源区、漏区和硅鳍状结构为同一掺杂类型;一栅极...
  • 一种染料敏化太阳能电池纳米复合光阳极的制备方法,包括以下几个步骤:步骤1:取一导电基片;步骤2:在导电基片上沉积ZnO晶种层,有利于ZnO纳米线的外延生长;步骤3:采用水热化学反应法,在ZnO晶种层上外延生长ZnO纳米线阵列,有利于光生...
  • 本发明公开了一种水听器指向性测试装置,包括:安装于下基础(10)上的振动台(20),用于产生振动信号;安装于振动台(20)上方的液柱缸(30),作为测试的容器;以及安装于上基础(50)上的旋转支架(40),用于夹持和转动待测水听器。利用...
  • 本发明公开了一种钢轨波磨与列车轴温检测装置,包括:至少一个安装于被测列车轴箱上的光纤激光振动传感器,用于检测轴箱的振动和温度;至少一根光缆,用于连接光纤激光振动传感器和光纤干涉仪并传输光信号;光纤干涉仪,用于将光纤激光振动传感器输出的波...
  • 一种广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池的结构,包括:一n型硅衬底;一黑硅层,该黑硅层制作在n型硅衬底上;一i型氢化非晶硅层,该i型氢化非晶硅层制作在黑硅层上;一p型氢化非晶硅层,该p型氢化非晶硅层制作在i型氢化非晶硅层上;一n+型重掺...
  • 本发明公开了一种提高太阳能电池效率的方法,该方法是采用脉冲激光对太阳能电池掺杂区域进行辐照,使掺杂区域中的杂质形成过饱和替位掺杂、且被激活,减少间隙掺杂数量,从而改善半导体结质量,减少载流子复合,达到提高短路电流和开路电压、最终实现提高...
  • 一种应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在硅衬底1上生长二氧化硅层;步骤2:采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的方向刻蚀出多个沟槽;步骤3:分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗,...
  • 一种实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构,包括:一砷化镓衬底;一光子晶体区域,该光子晶体区域制作在砷化镓衬底上,用来实现基模的大面积振荡;一过渡层,该过渡层制作在光子晶体区域上;一上限制层,该上限制层制作在过渡层上,用来限制光场向上...
  • 一种测量电子自旋相关输运的变温显微测量系统,包括:一HeNe激光器;一格兰泰勒棱镜将HeNe激光器出射的激光变成线偏振光;一光弹调制器;一显微物镜用于将入射激光聚焦在样品台面上;一变温液氮杜瓦样品座包括一温度控制仪,一紫铜冷指,待测量样...
  • 一种发光二极管封装结构,包括:一绝缘衬底的两侧开有通孔,并填充有导电金属;一n型层制作在绝缘衬底上,其上开有一孔,并填充有导电金属;一有源层制作在n型层上;一p型层制作在有源层上;一隔离层位于前述n型层、有源层和p型层的一侧并覆盖部分p...
  • 一种碳化硅PiN微结构的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一n型碳化硅衬底;步骤2:对n型碳化硅衬底的表面进行氢气刻蚀;步骤3:在n型碳化硅衬底上生长n-型变浓度缓冲层;步骤4:在n-型变浓度缓冲层上外延生长本征外延层;步骤5:采用离子...
  • 本发明公开了一种基于光压效应的红外光子探测方法,包括:驱动电路向作为感应元件的谐振结构提供驱动信号,该谐振结构在该驱动信号作用下起振;红外光源输出的红外辐射光经调制电路进行功率调制后,照射到谐振结构上产生光压效应,使谐振结构的振幅发生改...
  • 本发明公开了一种多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块,其包括:基片、霍尔芯片、控制处理芯片和多个引脚。控制处理芯片采用硅基集成电路工艺制造,实现信号处理等多种功能。霍尔芯片采用砷化镓等适于制作霍尔元件的半导体材料制造。被测电流通过其中一...
  • 一种集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法,包括:取一SOI基片;在SOI基片的顶层硅上涂光刻胶,利用光刻的技术在光刻胶上形成图形;利用感应耦合等离子体刻蚀工艺,在顶层硅上刻蚀出脊形光波导结构,去掉脊形光波导结构上的光刻胶;利用等...
  • 一种条纹相机反射式离轴光学耦合装置,包括:一镜筒,在该镜筒的中心开有一圆柱形孔;一准直镜座,该准直镜座为一圆柱体,在其中心一侧开有一出光口,在出光口的另一侧面积较大的部位开有一圆形凹槽,该圆形凹槽与中心轴线成一预定角度,该准直镜座用螺丝...