发光二极管封装结构制造技术

一种发光二极管封装结构，包括：一绝缘衬底的两侧开有通孔，并填充有导电金属；一n型层制作在绝缘衬底上，其上开有一孔，并填充有导电金属；一有源层制作在n型层上；一p型层制作在有源层上；一隔离层位于前述n型层、有源层和p型层的一侧并覆盖部分p型层的上表面；一p电极覆盖隔离层，并覆盖部分p型层的上表面；一n电极制作在n型层上面的一侧，与绝缘衬底上的通孔中的导电金属连接；一第一背电极制作在绝缘衬底的背面的一侧，该第一背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与p电极连接；一第二背电极制作在绝缘衬底的背面的另一侧，该第二背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与n电极连接；前述各部分形成器件的基底；一光学元件封装于基底上，完成器件的制作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，特别是指利用晶圆级原位封装技术制备的发光二极管封装结构。
技术介绍
目前发光二极管的制备工艺一般分为材料外延、芯片工艺、芯片封装三个主要的步骤。半导体器件封装的基本功能就是将微小尺寸的芯片电极连接到尺寸相对较大的电极结构上，以方便实际使用。发光二极管封装工艺一般都要使用某种基板、管壳或者支架，将发光二极管芯片通过某种方式粘结在该基板、管壳或者支架上，然后通过金丝球焊工艺将芯片上部的电极连接到基板、管壳或者支架上的相应电极上以实现电连接，最后通过某种方式在该基板、 管壳或者支架上使用透明封装材料加以密封或者覆盖，有时也将该透明材料形成某种宏观形状以提高光提取效率，也有使用相应的具有荧光功能的材料进行密封或者覆盖，以实现专门的用途专利 US2010267174A1、US2005151142A1、CN201081157Y、CN201074776Y、 US2008089064A1、 CN201074776Y、 CN101222012A、 CNlO1409266A、 CN10137137B、 CN101060116B、EP2270889A2中分别描述了各种封装形本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光二极管封装结构，包括：一绝缘衬底，该绝缘衬底上面的两侧开有通孔，该通孔中填充有导电金属；一ｎ型层，该ｎ型层制作在绝缘衬底上，并覆盖绝缘衬底的大部分面积，使绝缘衬底的一侧形成一台面，该台面的另一侧的ｎ型层上与绝缘衬底的通孔配合开有一孔，该孔中填充有导电金属；一有源层，该有源层制作在ｎ型层上，该有源层的面积小于ｎ型层的面积，而位于ｎ型层的一侧；一ｐ型层，该ｐ型层制作在有源层上；一隔离层，该隔离层位于前述ｎ型层、有源层和ｐ型层的一侧并覆盖部分ｐ型层的上表面；一ｐ电极，该ｐ电极覆盖隔离层，并覆盖部分ｐ型层的上表面，该ｐ电极与绝缘衬底上的通孔中的导电金属连接；一ｎ电极，该ｎ电极制作在ｎ型层上...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨华，卢鹏志，谢海忠，于飞，郑怀文，薛斌，伊晓燕，王军喜，王国宏，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11